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ONET8551T

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RSSI 搭載、11.3Gbps、リミッティング・トランスインピーダンス・アンプ

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製品詳細

Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (Max) (Gbps) 11.3 ICC (Typ) (mA) 28 ICC (Max) (mA) 40 DJ (Typ) (ps) 6 Operating temperature range (C) -40 to 100
Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (Max) (Gbps) 11.3 ICC (Typ) (mA) 28 ICC (Max) (mA) 40 DJ (Typ) (ps) 6 Operating temperature range (C) -40 to 100
  • 9-GHz Bandwidth
  • 10-kΩ Differential Small Signal
    Transimpedance
  • –20-dBm Sensitivity
  • 0.9-µARMS Input Referred Noise
  • 2.5-mAp-p Input Overload Current
  • Received Signal Strength Indication
    (RSSI)
  • 92-mW Typical Power Dissipation
  • CML Data Outputs With On-Chip
    50-Ω Back-Termination
  • On Chip Supply Filter Capacitor
  • Single +3.3-V Supply
  • Die Size: 870 µm x 1036 µm
  • 9-GHz Bandwidth
  • 10-kΩ Differential Small Signal
    Transimpedance
  • –20-dBm Sensitivity
  • 0.9-µARMS Input Referred Noise
  • 2.5-mAp-p Input Overload Current
  • Received Signal Strength Indication
    (RSSI)
  • 92-mW Typical Power Dissipation
  • CML Data Outputs With On-Chip
    50-Ω Back-Termination
  • On Chip Supply Filter Capacitor
  • Single +3.3-V Supply
  • Die Size: 870 µm x 1036 µm

The ONET8551T device is a high-speed, high-gain, limiting transimpedance amplifier used in optical receivers with data rates up to 11.3 Gbps. It features low-input referred noise, 9-GHz bandwidth, 10-kΩ small signal transimpedance, and a received signal strength indicator (RSSI.

The ONET8551T device is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor, and is optimized for packaging in a TO can.

The ONET8551T device requires a single +3.3-V supply. The power-efficient design typically dissipates less than 95 mW. The device is characterized for operation from –40°C to 100°C case (IC back-side) temperature.

The ONET8551T device is a high-speed, high-gain, limiting transimpedance amplifier used in optical receivers with data rates up to 11.3 Gbps. It features low-input referred noise, 9-GHz bandwidth, 10-kΩ small signal transimpedance, and a received signal strength indicator (RSSI.

The ONET8551T device is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor, and is optimized for packaging in a TO can.

The ONET8551T device requires a single +3.3-V supply. The power-efficient design typically dissipates less than 95 mW. The device is characterized for operation from –40°C to 100°C case (IC back-side) temperature.
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* データシート ONET8551T データシート 2013年 10月 24日

設計および開発

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シミュレーション・ツール

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TINA-TI — SPICE ベースのアナログ・シミュレーション・プログラム

TINA-TI は、DC 解析、過渡解析、周波数ドメイン解析など、SPICE の標準的な機能すべてを搭載しています。TINA には多彩な後処理機能があり、結果を必要なフォーマットにすることができます。仮想計測機能を使用すると、入力波形を選択し、回路ノードの電圧や波形を仮想的に測定することができます。TINA の回路キャプチャ機能は非常に直観的であり、「クイックスタート」を実現できます。

TINA-TI をインストールするには、約 500MB が必要です。インストールは簡単です。必要に応じてアンインストールも可能です。(そのようなことはないと思いますが)

TINA は DesignSoft (...)

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リファレンス・デザイン

TIDA-00088 — 10G SFP+ LR 光学モジュール対応フォーム・ファクタの TI の ONET 部品用完全リファレンス・デザイン

テキサス・インスツルメンツのこのリファレンス・デザインは、ONET1151L レーザー・ドライバ、ONET8551T 高ゲイン・トランスインピーダンス・アンプ（TIA）、および ONET1151P リミッティング・アンプの光学性能を実証する目的で設計されたものです。10.3125Gbps の SFP+ LR 光学モジュールと互換性のあるフォーム・ファクタで供給されており、SFP+ ホスト・ボードとユーザーに配慮した GUI で、お客様側で評価に要する時間を短縮できます。ONET の部品に加えて、このリファレンス・デザインには MSP430FR5728 (...)
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購入と品質

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  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

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