製品詳細

Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (Max) (Gbps) 11.3 ICC (Typ) (mA) 28 ICC (Max) (mA) 40 DJ (Typ) (ps) 6 Operating temperature range (C) -40 to 100
Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (Max) (Gbps) 11.3 ICC (Typ) (mA) 28 ICC (Max) (mA) 40 DJ (Typ) (ps) 6 Operating temperature range (C) -40 to 100
  • 9-GHz Bandwidth
  • 10-kΩ Differential Small Signal
    Transimpedance
  • –20-dBm Sensitivity
  • 0.9-µARMS Input Referred Noise
  • 2.5-mAp-p Input Overload Current
  • Received Signal Strength Indication
    (RSSI)
  • 92-mW Typical Power Dissipation
  • CML Data Outputs With On-Chip
    50-Ω Back-Termination
  • On Chip Supply Filter Capacitor
  • Single +3.3-V Supply
  • Die Size: 870 µm x 1036 µm
  • 9-GHz Bandwidth
  • 10-kΩ Differential Small Signal
    Transimpedance
  • –20-dBm Sensitivity
  • 0.9-µARMS Input Referred Noise
  • 2.5-mAp-p Input Overload Current
  • Received Signal Strength Indication
    (RSSI)
  • 92-mW Typical Power Dissipation
  • CML Data Outputs With On-Chip
    50-Ω Back-Termination
  • On Chip Supply Filter Capacitor
  • Single +3.3-V Supply
  • Die Size: 870 µm x 1036 µm

The ONET8551T device is a high-speed, high-gain, limiting transimpedance amplifier used in optical receivers with data rates up to 11.3 Gbps. It features low-input referred noise, 9-GHz bandwidth, 10-kΩ small signal transimpedance, and a received signal strength indicator (RSSI.

The ONET8551T device is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor, and is optimized for packaging in a TO can.

The ONET8551T device requires a single +3.3-V supply. The power-efficient design typically dissipates less than 95 mW. The device is characterized for operation from –40°C to 100°C case (IC back-side) temperature.

The ONET8551T device is a high-speed, high-gain, limiting transimpedance amplifier used in optical receivers with data rates up to 11.3 Gbps. It features low-input referred noise, 9-GHz bandwidth, 10-kΩ small signal transimpedance, and a received signal strength indicator (RSSI.

The ONET8551T device is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor, and is optimized for packaging in a TO can.

The ONET8551T device requires a single +3.3-V supply. The power-efficient design typically dissipates less than 95 mW. The device is characterized for operation from –40°C to 100°C case (IC back-side) temperature.

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Special Note

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技術資料

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* データシート ONET8551T データシート 2013年 10月 24日

設計および開発

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シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
シミュレーション・ツール

TINA-TI — SPICE ベースのアナログ・シミュレーション・プログラム

TINA-TI は、DC 解析、過渡解析、周波数ドメイン解析など、SPICE の標準的な機能すべてを搭載しています。TINA には多彩な後処理機能があり、結果を必要なフォーマットにすることができます。仮想計測機能を使用すると、入力波形を選択し、回路ノードの電圧や波形を仮想的に測定することができます。TINA の回路キャプチャ機能は非常に直観的であり、「クイックスタート」を実現できます。

TINA-TI をインストールするには、約 500MB が必要です。インストールは簡単です。必要に応じてアンインストールも可能です。(そのようなことはないと思いますが)

TINA は DesignSoft (...)

リファレンス・デザイン

TIDA-00088 — 10G SFP+ LR 光学モジュール対応フォーム・ファクタの TI の ONET 部品用完全リファレンス・デザイン

テキサス・インスツルメンツのこのリファレンス・デザインは、ONET1151L レーザー・ドライバ、ONET8551T 高ゲイン・トランスインピーダンス・アンプ(TIA)、および ONET1151P リミッティング・アンプの光学性能を実証する目的で設計されたものです。10.3125Gbps の SFP+ LR 光学モジュールと互換性のあるフォーム・ファクタで供給されており、SFP+ ホスト・ボードとユーザーに配慮した GUI で、お客様側で評価に要する時間を短縮できます。ONET の部品に加えて、このリファレンス・デザインには MSP430FR5728 (...)
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購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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