ONET8551T
- 9-GHz Bandwidth
- 10-kΩ Differential Small Signal
Transimpedance - –20-dBm Sensitivity
- 0.9-µARMS Input Referred Noise
- 2.5-mAp-p Input Overload Current
- Received Signal Strength Indication
(RSSI) - 92-mW Typical Power Dissipation
- CML Data Outputs With On-Chip
50-Ω Back-Termination - On Chip Supply Filter Capacitor
- Single +3.3-V Supply
- Die Size: 870 µm x 1036 µm
The ONET8551T device is a high-speed, high-gain, limiting transimpedance amplifier used in optical receivers with data rates up to 11.3 Gbps. It features low-input referred noise, 9-GHz bandwidth, 10-kΩ small signal transimpedance, and a received signal strength indicator (RSSI.
The ONET8551T device is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor, and is optimized for packaging in a TO can.
The ONET8551T device requires a single +3.3-V supply. The power-efficient design typically dissipates less than 95 mW. The device is characterized for operation from –40°C to 100°C case (IC back-side) temperature.
技術資料
| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | 11.3 Gbps Limiting Transimpedance Amplifier With RSSI, ONET8551T データシート | 2013/10/24 |
設計と開発
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TIDA-00088 — 10G SFP+ LR 光学モジュール対応フォーム ファクタの TI の ONET 部品用完全リファレンス デザイン
テキサス インスツルメンツのこのリファレンス デザインは、ONET1151L レーザー ドライバ、ONET8551T 高ゲイン トランスインピーダンス アンプ (TIA)、および ONET1151P リミッティング アンプの光学性能を実証する目的で設計されたものです。10.3125Gbps の SFP+ LR 光学モジュールと互換性のあるフォーム ファクタで供給されており、SFP+ ホスト ボードとユーザーに配慮した GUI で、お客様側で評価に要する時間を短縮できます。ONET の部品に加えて、このリファレンス デザインには MSP430FR5728 マイコン (MCU) (...)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| WAFERSALE (YS) | — | Ultra Librarian |
| DIESALE (Y) | — | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。