OPA657-DIE
- 高いゲイン帯域幅積: 1.6GHz
- 高い帯域幅: 275MHz (G = 10)
- スルー・レート: 700V/µs (G = 10、1V刻み)
- 低い入力オフセット電圧: ±250µV
- 低い入力バイアス電流: 2pA
- 低い入力電圧ノイズ: 4.8nV/√Hz
- 高い出力電流: 70mA
- 高速なオーバードライブ回復
アプリケーション
- 広帯域フォトダイオード・アンプ
- ウェハ・スキャン機器
- ADC入力アンプ
- テストおよび計測フロントエンド
- 高ゲインの高精度アンプ
- 光学時間領域反射率測定(OTDR)
OPA657デバイスは、ゲイン帯域幅が高く、歪みが低い電圧帰還型オペアンプで、電圧ノイズの低いJFET入力段により、非常にダイナミック・レンジが広いアンプであるため、高精度のA/Dコンバータ(ADC)の駆動や、広帯域トランスインピーダンス・アプリケーションに使用できます。フォトダイオード・アプリケーションでは、この補償なしでゲイン帯域幅の高いアンプにより、ノイズと帯域幅を改善できます。
帯域幅と精度が非常に優れているため、非常に低レベルの信号を、単一のOPA657ゲイン段で大幅に増幅できます。入力バイアス電流と容量が非常に低いため、ソースのインピーダンスが比較的高い場合もこのパフォーマンスを実現できます。広帯域の光検知アプリケーションは、OPA657の低電圧ノイズのJFET入力からメリットが得られます。JFET入力は電流ノイズが事実上ゼロであるため、このデバイスは高ゲインのフォトダイオード・アプリケーションに理想的です。
技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | OPA657-DIE 1.6GHz、低ノイズ、FET入力オペアンプ データシート | PDF | HTML | 英語版をダウンロード | PDF | HTML | 2016年 12月 30日 |
技術記事 | 3 common questions when designing with high-speed amplifiers | 2020年 7月 17日 | ||||
e-Book(PDF) | The Signal - オペアンプ設計ブログ集 | 英語版をダウンロード | 2018年 3月 23日 | |||
その他の技術資料 | 高速データ変換 | 英語版をダウンロード | 2009年 12月 11日 | |||
その他の技術資料 | 高速オペアンプのノイズ解析 (Rev. A 翻訳版) | 英語版をダウンロード (Rev.A) | 2007年 12月 5日 |
設計および開発
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パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
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DIESALE (TD) | — |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL rating / リフローピーク温度
- MTBF/FIT 推定値
- 材料 (内容)
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果