TPIC6596

TPIC6596 デバイスは、比較的大きな負荷電力を必要とするシステムで使用するように設計されたモノリシック、高電圧、大電流出力の 8 ビット シフト レジスタです。本デバイスは、誘導性過渡保護のために電圧クランプを出力に組み込んでいます。パワー ドライバ アプリケーションには、リレー、ソレノイド、その他の中電流または高電圧負荷が含まれます。

このデバイスには、8 ビットのシリアル イン、パラレル アウトのシフト レジスタが内蔵されており、8 ビットの D タイプ ストレージ レジスタへデータを供給します。シフト レジスタとストレージ レジスタのどちらを経由するデータ転送も、シフト レジスタ クロック(SRCK)とレジスタ クロック(RCK)の立ち上がりエッジで行われます。ストレージ レジスタは、シフト レジスタ クリア (SRCLR) が HIGH のとき、出力バッファへデータを転送します。書き込みデータと読み取りデータは、RCK が LOW のときのみ有効です。SRCLRがLOWの場合、デバイスのすべてのレジスタがクリアされます。出力イネーブル (G) が HIGH に保持されると、出力バッファのすべてのデータが LOW に保持され、すべてのドレイン出力がオフになります。G を LOW に保持すると、ストレージ レジスタのデータが出力バッファへ透過的になります。シリアル出力（SER OUT）は、カスケード接続されたアプリケーションに追加のホールドタイムを提供するために、SRCKの立ち下がりエッジでデバイスからクロックアウトされます。これにより、クロック信号にスキューが発生する可能性がある場合、デバイスが互いに近接していない場合、またはシステムが電磁妨害を許容しなければならない場合のアプリケーションのパフォーマンスが向上します。

出力は、45V の出力定格と 250mA の連続シンク電流能力を持つローサイド オープン ドレイン DMOS トランジスタです。出力バッファのデータが LOW のとき、DMOS トランジスタの出力がオフになります。データが HIGH のとき、DMOS トランジスタ出力はシンク電流能力を持つようになります。

電源ピンとロジックレベルのグランドピンを分離しているため、システムの最大の柔軟性が得られます。寄生インダクタンスを最小限に抑えるため、ピン 1、10、11、20 は内部的に接続されており、各ピンは電源システムのグランドに外部で接続する必要があります。ピン 19、ロジックグランド (LGND) とピン 1、10、11、20、パワーグランド (PGND) の間のシングルポイント接続では、ロジック回路と負荷回路の間のクロストークを低減するように外部で作成する必要があります。TPIC6596 デバイスは、動作ケース温度範囲 -40℃～125℃ 全体での動作が規定されています。