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TXS4555

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SIM カード電源、レベル トランスレータ付き

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製品詳細

Bits (#) 3 Data rate (max) (Mbps) 50 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.65 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 3.3 Applications SIM Card Features Single LDO Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 3 Data rate (max) (Mbps) 50 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.65 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 3.3 Applications SIM Card Features Single LDO Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
UQFN (RUT) 12 3.4 mm² 2 x 1.7 VQFN (RGT) 16 9 mm² 3 x 3
  • レベル トランスレータ
    • VCC 範囲：1.65V ～ 3.3V
    • VBATT 範囲：2.3 V～5.5V
  • 低ドロップアウト (LDO) レギュレータ
    • イネーブル機能付き 50mA LDO レギュレータ
    • 1.8V または 2.95V を選択可能な出力電圧
    • 入力電圧範囲：2.3V～5.5V
    • 50mA 時に最大 100mV の非常に低ドロップアウト電圧
  • ISO7816-3 に準拠した SIM カード信号のシャットダウン機能を内蔵
  • JESD 22 を上回る ESD 保護
    • 2000V、人体モデル (A114-B)
    • 荷電デバイス モデルで 500V (C101)
    • SIM ピン用 8kV HBM
  • パッケージ
    • 16 ピン VQFN (3mm x 3mm)
    • 12 ピン UQFN (2mm x 1.7mm)
  • レベル トランスレータ
    • VCC 範囲：1.65V ～ 3.3V
    • VBATT 範囲：2.3 V～5.5V
  • 低ドロップアウト (LDO) レギュレータ
    • イネーブル機能付き 50mA LDO レギュレータ
    • 1.8V または 2.95V を選択可能な出力電圧
    • 入力電圧範囲：2.3V～5.5V
    • 50mA 時に最大 100mV の非常に低ドロップアウト電圧
  • ISO7816-3 に準拠した SIM カード信号のシャットダウン機能を内蔵
  • JESD 22 を上回る ESD 保護
    • 2000V、人体モデル (A114-B)
    • 荷電デバイス モデルで 500V (C101)
    • SIM ピン用 8kV HBM
  • パッケージ
    • 16 ピン VQFN (3mm x 3mm)
    • 12 ピン UQFN (2mm x 1.7mm)

TXS4555 は、モバイル ハンドヘルド機器向けに、ワイヤレス ベースバンド プロセッサと SIM カードとの間でインターフェイスを提供するスマート アイデンティティ モジュール (SIM) カード インターフェイス デバイスです。このデバイスは、ISO/IEC のスマート カード インターフェイス要件に準拠しているほか、GSM および 3G モバイル規格にも対応しています。このデバイスには、Class-B (2.95V) および Class-C (1.8V) インターフェイスをサポートする高速レベル トランスレータと、これらのインターフェイスに対応した出力電圧を選択可能な低ドロップアウト (LDO) 電圧レギュレータが搭載されています。

このデバイスには、二つの電源電圧ピンがあります。VCC は 1.65V ～ 3.3V の全範囲で動作し、VBATT は 2.3 ～ 5.5V の範囲で動作します。VPWR は 1.8V または 2.95V に設定され、内部 LDO によって供給されます。内蔵 LDO は最大 5.5V の入力電圧を受け付け、B 側回路および外部 SIM カードに対して、1.8V または 2.95V を 50mA で出力します。TXS4555 を使用することで、システム設計者は低電圧マイクロプロセッサを、1.8V または 2.95V で動作する SIM カードに接続できます。

TXS4555 は、SIM カード向け ISO 7816-3 規格に基づいた SIM カード ピンのシャットダウン シーケンスを内蔵しています。携帯電話が予期せずシャットダウンした場合でも、SIM カードを適切にシャットダウンすることで、データの破損を防ぐことができます。このデバイスは、SIM ピンに対して 8kV HBM 保護を備えており、その他のすべてのピンには標準の 2kV HBM 保護を備えています。

TXS4555 は、モバイル ハンドヘルド機器向けに、ワイヤレス ベースバンド プロセッサと SIM カードとの間でインターフェイスを提供するスマート アイデンティティ モジュール (SIM) カード インターフェイス デバイスです。このデバイスは、ISO/IEC のスマート カード インターフェイス要件に準拠しているほか、GSM および 3G モバイル規格にも対応しています。このデバイスには、Class-B (2.95V) および Class-C (1.8V) インターフェイスをサポートする高速レベル トランスレータと、これらのインターフェイスに対応した出力電圧を選択可能な低ドロップアウト (LDO) 電圧レギュレータが搭載されています。

このデバイスには、二つの電源電圧ピンがあります。VCC は 1.65V ～ 3.3V の全範囲で動作し、VBATT は 2.3 ～ 5.5V の範囲で動作します。VPWR は 1.8V または 2.95V に設定され、内部 LDO によって供給されます。内蔵 LDO は最大 5.5V の入力電圧を受け付け、B 側回路および外部 SIM カードに対して、1.8V または 2.95V を 50mA で出力します。TXS4555 を使用することで、システム設計者は低電圧マイクロプロセッサを、1.8V または 2.95V で動作する SIM カードに接続できます。

TXS4555 は、SIM カード向け ISO 7816-3 規格に基づいた SIM カード ピンのシャットダウン シーケンスを内蔵しています。携帯電話が予期せずシャットダウンした場合でも、SIM カードを適切にシャットダウンすることで、データの破損を防ぐことができます。このデバイスは、SIM ピンに対して 8kV HBM 保護を備えており、その他のすべてのピンには標準の 2kV HBM 保護を備えています。
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技術資料

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* データシート TXS4555 レベル トランスレータ内蔵 1.8V/3V SIM カード電源 データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2026年 6月 2日
アプリケーション・ノート Schematic Checklist - A Guide to Designing with Auto-Bidirectional Translators PDF | HTML 2024年 7月 12日
アプリケーション・ノート Understanding Transient Drive Strength vs. DC Drive Strength in Level-Shifters (Rev. A) PDF | HTML 2024年 7月 3日
セレクション・ガイド Voltage Translation Buying Guide (Rev. A) 2021年 4月 15日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

シミュレーション・モデル

TXS4555 IBIS Model

SBOM452.ZIP (47 KB) - IBIS Model
ダウンロード
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
UQFN (RUT) 12 Ultra Librarian
VQFN (RGT) 16 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

サポートとトレーニング

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