UCC21222-Q1

アクティブ

車載対応、ディスエーブル・ピン採用、プログラマブル・デッドタイムと 8V UVLO の各機能搭載、3.0kVrms、4A/6A、2 チャネル絶縁型ゲート・ドライバ

製品詳細

Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 3000 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 4242 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 990 Output VCC/VDD (Max) (V) 18 Output VCC/VDD (Min) (V) 9.2 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 25 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 8
Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 3000 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 4242 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 990 Output VCC/VDD (Max) (V) 18 Output VCC/VDD (Min) (V) 9.2 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 25 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 8
SOIC (D) 16 59 mm² 9.9 x 6
  • AEC Q100認定済み
    • デバイス温度グレード1
    • デバイスHBM ESD分類レベルH2
    • デバイスCDM ESD分類レベルC6
  • 接合部温度範囲: -40℃~150℃
  • 抵抗によりプログラミング可能なデッドタイム
  • 汎用: デュアル・ローサイド、デュアル・ハイサイド、またはハーフ・ブリッジ・ドライバ
  • ピーク・ソース4A、ピーク・シンク6Aの出力
  • 入力VCCI範囲: 3V~5.5V
  • 最大18VのVDD出力駆動電源
    • 8VのVDD UVLO
  • スイッチング・パラメータ
    • 伝搬遅延: 28ns (標準値)
    • 最小パルス幅 10ns
    • 最大遅延マッチング 5ns
    • 最大パルス幅歪み 5.5ns
  • TTLおよびCMOS互換の入力
  • グリッチ除去フィルタを内蔵
  • I/O耐性: -2Vで200ns
  • 100V/nsを超える同相過渡耐性(CMTI)
  • 絶縁バリアの寿命: 40年超
  • 最大7800VPKのサージ耐性
  • ナローボディSOIC-16 (D)パッケージ
  • 安全性関連の認定(予定)
    • DIN V VDE V 0884-11:2017-01およびDIN EN 61010-1に準拠した絶縁耐圧: 4242VPK
    • UL 1577に準拠した絶縁耐圧: 3000VRMS (1分間)
    • IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1最終機器標準に準拠したCSA認定
    • GB4943.1-2011準拠のCQC認定
  • AEC Q100認定済み
    • デバイス温度グレード1
    • デバイスHBM ESD分類レベルH2
    • デバイスCDM ESD分類レベルC6
  • 接合部温度範囲: -40℃~150℃
  • 抵抗によりプログラミング可能なデッドタイム
  • 汎用: デュアル・ローサイド、デュアル・ハイサイド、またはハーフ・ブリッジ・ドライバ
  • ピーク・ソース4A、ピーク・シンク6Aの出力
  • 入力VCCI範囲: 3V~5.5V
  • 最大18VのVDD出力駆動電源
    • 8VのVDD UVLO
  • スイッチング・パラメータ
    • 伝搬遅延: 28ns (標準値)
    • 最小パルス幅 10ns
    • 最大遅延マッチング 5ns
    • 最大パルス幅歪み 5.5ns
  • TTLおよびCMOS互換の入力
  • グリッチ除去フィルタを内蔵
  • I/O耐性: -2Vで200ns
  • 100V/nsを超える同相過渡耐性(CMTI)
  • 絶縁バリアの寿命: 40年超
  • 最大7800VPKのサージ耐性
  • ナローボディSOIC-16 (D)パッケージ
  • 安全性関連の認定(予定)
    • DIN V VDE V 0884-11:2017-01およびDIN EN 61010-1に準拠した絶縁耐圧: 4242VPK
    • UL 1577に準拠した絶縁耐圧: 3000VRMS (1分間)
    • IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1最終機器標準に準拠したCSA認定
    • GB4943.1-2011準拠のCQC認定

UCC21222-Q1は、プログラミング可能なデッドタイムを備えた、温度範囲の広い絶縁型デュアル・チャネル・ゲート・ドライバです。極端な温度条件下でも安定した性能を提供し、堅牢性に優れています。ピーク電流はソース4A、シンク6Aで、パワーMOSFET、IGBT、GaNトランジスタを駆動するように設計されています。

UCC21222-Q1は、2つのローサイド・ドライバ、2つのハイサイド・ドライバ、または1つのハーフ・ブリッジ・ドライバとして構成可能です。5nsの遅延マッチング性能により、内部貫通電流のリスクを伴わずに、2つの出力を並列化して2倍の駆動力で重負荷条件に対応できます。

入力側は3.0kVRMSの絶縁バリアによって2つの出力ドライバと分離され、同相過渡耐性(CMTI)は最小で100V/nsです。

抵抗によるデッドタイムのプログラミングが可能なため、システムの制約に合わせてデッドタイムを調整することにより、効率を高め、出力のオーバーラップを防止できます。その他の保護機能として、DISをHIGHに設定した場合に2つの出力を同時にシャットダウンするディセーブル機能、5ns未満の入力過渡を除去する内蔵グリッチ除去フィルタ、入力/出力ピンでの200nsにわたる最大-2Vのスパイクに対応する負電圧処理機能があります。すべての電源がUVLO保護機能を備えています。

UCC21222-Q1は、プログラミング可能なデッドタイムを備えた、温度範囲の広い絶縁型デュアル・チャネル・ゲート・ドライバです。極端な温度条件下でも安定した性能を提供し、堅牢性に優れています。ピーク電流はソース4A、シンク6Aで、パワーMOSFET、IGBT、GaNトランジスタを駆動するように設計されています。

UCC21222-Q1は、2つのローサイド・ドライバ、2つのハイサイド・ドライバ、または1つのハーフ・ブリッジ・ドライバとして構成可能です。5nsの遅延マッチング性能により、内部貫通電流のリスクを伴わずに、2つの出力を並列化して2倍の駆動力で重負荷条件に対応できます。

入力側は3.0kVRMSの絶縁バリアによって2つの出力ドライバと分離され、同相過渡耐性(CMTI)は最小で100V/nsです。

抵抗によるデッドタイムのプログラミングが可能なため、システムの制約に合わせてデッドタイムを調整することにより、効率を高め、出力のオーバーラップを防止できます。その他の保護機能として、DISをHIGHに設定した場合に2つの出力を同時にシャットダウンするディセーブル機能、5ns未満の入力過渡を除去する内蔵グリッチ除去フィルタ、入力/出力ピンでの200nsにわたる最大-2Vのスパイクに対応する負電圧処理機能があります。すべての電源がUVLO保護機能を備えています。

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技術資料

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設計および開発

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評価ボード

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TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

UCC21222-Q1 PSpice Transient Model

SLUM622.ZIP (57 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

UCC21222-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM623.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (D) 16 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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