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UCC21330-Q1

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車載、基本絶縁対応、ディスエーブル、プログラマブル デッドタイム機能付き、4A/6A、デュアルチャネル絶縁型ゲート ドライバ

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製品詳細

Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 850 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 850 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 16 59.4 mm² (9.9 mm × 6 mm)

  • Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver

  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 5V,8V,12V VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing

  • Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver

  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 5V,8V,12V VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing

The UCC21330-Q1 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.

The UCC21330-Q1 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 3kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21330-Q1 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.

The UCC21330-Q1 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.

The UCC21330-Q1 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 3kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21330-Q1 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.
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技術資料

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* データシート UCC21330x -Q1 Automotive 4A, 6A, 3kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver データシート (Rev. A) PDF | HTML 2024/06/28
機能安全情報 UCC21222-Q1 and UCC21330-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. B) PDF | HTML 2025/01/30

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A、6A、3.0-kVRMS 絶縁型デュアルチャネルゲートドライバの評価基板

UCC21220EVM-009 は、4.0A のソースと 6.0A のシンクピーク電流能力を持つ 3.0-kVRMS 絶縁型シングルチャネルゲートドライバである UCC21220 を評価する目的で設計しています。この評価基板 (EVM) は、該当データシートを基準としてこのドライバ IC を評価する目的でも使用できます。また、ドライバ IC コンポーネントのセレクション ガイドという目的で、この EVM を使用することも可能です。この EVM は、PCB のレイアウトがゲート ドライバの性能に及ぼす影響を判断する目的での使用も可能です。
ユーザー ガイド: PDF
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限：
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入手不可
リファレンス・デザイン

PMP41150 — 1000W、48V スイッチト コンデンサ コンバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、インダクタレスのスイッチ コンデンサ変換トポロジを活用し、高い電力密度とコンパクトな電力段 (70mm × 55mm × 2.85mm) を両立しています。TLC555-Q1 タイマを使用するシンプルな制御方式により、4:1 または 3:1 固定の変換比で出力することができ、さまざまなパワー ディストリビューション要件に設定できます。変換比が 4:1 の場合、全負荷効率は 96.7%、ピーク効率は 98.5% (Iout = 30A) です。変換比が 3:1 の場合、全負荷効率は 97.6%、ピーク効率は 98.7% (Iout = 25A) です。

サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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