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UCC21330-Q1

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Automotive Basic, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable, programmable deadtime

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製品詳細

Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 850 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 850 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 16 59.4 mm² (9.9 mm × 6 mm)

  • Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver

  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 5V,8V,12V VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing

  • Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver

  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 5V,8V,12V VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing

The UCC21330-Q1 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.

The UCC21330-Q1 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 3kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21330-Q1 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.

The UCC21330-Q1 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.

The UCC21330-Q1 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 3kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21330-Q1 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.
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技術資料

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* データシート UCC21330x -Q1 Automotive 4A, 6A, 3kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver データシート (Rev. A) PDF | HTML 2024/06/28
機能安全情報 UCC21222-Q1 and UCC21330-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. B) PDF | HTML 2025/01/30

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A、6A、3.0-kVRMS 絶縁型デュアルチャネルゲートドライバの評価基板

UCC21220EVM-009 は、4.0A のソースと 6.0A のシンクピーク電流能力を持つ 3.0-kVRMS 絶縁型シングルチャネルゲートドライバである UCC21220 を評価する目的で設計しています。この評価基板 (EVM) は、該当データシートを基準としてこのドライバ IC を評価する目的でも使用できます。また、ドライバ IC コンポーネントのセレクション ガイドという目的で、この EVM を使用することも可能です。この EVM は、PCB のレイアウトがゲート ドライバの性能に及ぼす影響を判断する目的での使用も可能です。
ユーザー ガイド: PDF
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限：
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入手不可
リファレンス・デザイン

PMP41150 — 1000W、48V スイッチト コンデンサ コンバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、インダクタレスのスイッチ コンデンサ変換トポロジを活用し、高い電力密度とコンパクトな電力段 (70mm × 55mm × 2.85mm) を両立しています。TLC555-Q1 タイマを使用するシンプルな制御方式により、4:1 または 3:1 固定の変換比で出力することができ、さまざまなパワー ディストリビューション要件に設定できます。変換比が 4:1 の場合、全負荷効率は 96.7%、ピーク効率は 98.5% (Iout = 30A) です。変換比が 3:1 の場合、全負荷効率は 97.6%、ピーク効率は 98.7% (Iout = 25A) です。

サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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