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UCC21551-Q1

プレビュー

車載対応、IGBT/SiC 向け、EN ピンと DT ピン搭載、4A、6A、5.7kVRMS、デュアルチャネル、絶縁型ゲート・ドライバ

製品詳細

Number of channels 2 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Bus voltage (max) (V) 2121 Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 2 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Bus voltage (max) (V) 2121 Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 汎用:デュアル・ローサイド、デュアル・ハイサイド、またはハーフ・ブリッジ・ドライバ

  • 下記内容で AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1
    • デバイス HBM ESD 分類レベル H2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
  • 接合部温度範囲:–40 ~ +150℃
  • 最大 4A/6A のピーク・ソース / シンク出力
  • 125V/ns を超える同相過渡耐性 (CMTI)
  • 最大 25V の VDD 出力駆動電源
    • 12V の VDD UVLO オプション
  • スイッチング・パラメータ:
    • 33ns (標準値) の伝搬遅延
    • 最大遅延マッチング:5ns
    • 最大パルス幅歪み:5ns
    • 最大 VDD 電源オン遅延:10µs
  • あらゆる電源に対応する UVLO 保護
  • 電源シーケンシング向けの高速イネーブル動作
  • 汎用:デュアル・ローサイド、デュアル・ハイサイド、またはハーフ・ブリッジ・ドライバ

  • 下記内容で AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1
    • デバイス HBM ESD 分類レベル H2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
  • 接合部温度範囲:–40 ~ +150℃
  • 最大 4A/6A のピーク・ソース / シンク出力
  • 125V/ns を超える同相過渡耐性 (CMTI)
  • 最大 25V の VDD 出力駆動電源
    • 12V の VDD UVLO オプション
  • スイッチング・パラメータ:
    • 33ns (標準値) の伝搬遅延
    • 最大遅延マッチング:5ns
    • 最大パルス幅歪み:5ns
    • 最大 VDD 電源オン遅延:10µs
  • あらゆる電源に対応する UVLO 保護
  • 電源シーケンシング向けの高速イネーブル動作

UCC21551x -Q1 は、デッド・タイムをプログラムでき広い温度範囲に対応する絶縁型デュアル・チャネル・ゲート・ドライバ・ファミリです。極端な温度条件下でも安定した性能を提供し、堅牢性に優れています。ピーク電流はソース 4A、シンク 6A で、パワー MOSFET、SiC、IGBT トランジスタを駆動するように設計されています。

UCC21551x -Q1は、2 つのローサイド・ドライバ、2つのハイサイド・ドライバ、または 1 つのハーフ・ブリッジ・ドライバとして構成可能です。入力側は、5kVRMS の絶縁バリアによって 2 つの出力ドライバと分離されており、同相過渡耐性 (CMTI) は 150V/ns 以上です。

保護機能として、抵抗によりプログラム可能なデッド・タイム、両方の出力を同時にシャットダウンするディセーブル機能、5ns 未満の入力過渡を除去する内蔵グリッチ除去フィルタ、入力 / 出力ピンでの最大 -2V、200ns までのスパイクに対する負電圧耐性があります。すべての電源が UVLO 機能を備えています。

UCC21551x -Q1 デバイスは、25V までの VDD 電源電圧を受け付けます。VCCI 入力電圧範囲が 3V~5.5 V と広いため、このドライバはデジタル・コントローラとの接続にも適しています。すべての電源電圧ピンには、低電圧誤動作防止 (UVLO) 機能が搭載されています。

これらの高度な機能により、UCC21551x -Q1 は 広範な電力アプリケーションにおいて高効率、高電力密度、および堅牢性を実現します。

UCC21551x -Q1 は、デッド・タイムをプログラムでき広い温度範囲に対応する絶縁型デュアル・チャネル・ゲート・ドライバ・ファミリです。極端な温度条件下でも安定した性能を提供し、堅牢性に優れています。ピーク電流はソース 4A、シンク 6A で、パワー MOSFET、SiC、IGBT トランジスタを駆動するように設計されています。

UCC21551x -Q1は、2 つのローサイド・ドライバ、2つのハイサイド・ドライバ、または 1 つのハーフ・ブリッジ・ドライバとして構成可能です。入力側は、5kVRMS の絶縁バリアによって 2 つの出力ドライバと分離されており、同相過渡耐性 (CMTI) は 150V/ns 以上です。

保護機能として、抵抗によりプログラム可能なデッド・タイム、両方の出力を同時にシャットダウンするディセーブル機能、5ns 未満の入力過渡を除去する内蔵グリッチ除去フィルタ、入力 / 出力ピンでの最大 -2V、200ns までのスパイクに対する負電圧耐性があります。すべての電源が UVLO 機能を備えています。

UCC21551x -Q1 デバイスは、25V までの VDD 電源電圧を受け付けます。VCCI 入力電圧範囲が 3V~5.5 V と広いため、このドライバはデジタル・コントローラとの接続にも適しています。すべての電源電圧ピンには、低電圧誤動作防止 (UVLO) 機能が搭載されています。

これらの高度な機能により、UCC21551x -Q1 は 広範な電力アプリケーションにおいて高効率、高電力密度、および堅牢性を実現します。

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技術資料

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設計および開発

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評価ボード

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購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材料 (内容)
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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