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CSD13201W10

활성

12V, N-채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 싱글 WLP 1mm x 1mm, 34mΩ

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CSD13302W 활성 12V, N-채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 싱글 WLP 1mm x 1mm, 17.1mΩ This product has lower resistance and a similar 1 ku price.

CSD13201W10

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제품 상세 정보

VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 34 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 2.3 QGD (typ) (nC) 0.3 QGS (typ) (nC) 0.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 ID - package limited (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 34 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 2.3 QGD (typ) (nC) 0.3 QGS (typ) (nC) 0.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 ID - package limited (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZB) 4 1.5625 mm² (— mm × — mm)
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Small Footprint (1 mm × 1 mm)
  • Low Profile 0.62-mm Height
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen-Free
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Small Footprint (1 mm × 1 mm)
  • Low Profile 0.62-mm Height
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen-Free
  • Gate-Source Voltage Clamp

This 12-V, 26-mΩ, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.

This 12-V, 26-mΩ, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.
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* 데이터 시트 CSD13201W10 N-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2015. 9. 30
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025. 10. 31
애플리케이션 노트 MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025. 10. 27
애플리케이션 노트 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024. 3. 25
애플리케이션 노트 Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023. 12. 18
애플리케이션 노트 Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023. 12. 14
애플리케이션 노트 Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023. 3. 13
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022. 5. 31
애플리케이션 노트 AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019. 6. 14

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

지원 소프트웨어

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

크기, 비용 및 성능을 신속하게 절충하여 애플리케이션 조건에 따라 최적의 MOSFET을 선택합니다.
지원되는 제품 및 하드웨어
지원 소프트웨어

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

CSD13201W10 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM173B.ZIP (4 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
계산 툴

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
지원되는 제품 및 하드웨어
계산 툴

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

크기, 비용 및 성능을 신속하게 절충하여 애플리케이션 조건에 따라 최적의 MOSFET을 선택합니다.
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDA-01236 — 무선 초음파 가스 누출 감지기에서 코인 셀 배터리 작동 시간을 늘리기 위한 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 특정 특징에 대한 초음파 스펙트럼을 분석하여 가스 누출을 감지하는 저전력 무선 센서를 보여줍니다. 이 시스템은 단일 리튬 1차 코인 셀로 작동하고 기지국과 무선으로 통신하도록 설계되어 배선에 대한 모든 요구 사항이 없고 설치가 간편합니다. 이 설계는 초저전력 배터리 연료 게이지를 통합하여 배터리 상태를 정확하게 예측하고 예정된 배터리 교체를 위해 향후 수명 종료에 대한 사전 알림을 제공합니다.

지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
DSBGA (YZB) 4 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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