CSD13302W
- Ultra Low On Resistance
- Low Qg and Qgd
- Small Footprint 1 mm × 1 mm
- Low Profile 0.62 mm Height
- Pb Free
- RoHS Compliant
- Halogen Free
This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in a small 1 × 1 mm outline with excellent thermal characteristics and an ultra low profile.
기술 자료
유형 | 직함 | 날짜 | ||
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* | Data sheet | CSD13302W 12 V N Channel NexFET Power MOSFET datasheet | PDF | HTML | 2015/03/16 |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024/06/14 | |
Application note | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024/03/25 | |
Application note | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023/12/18 | |
Application note | Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs | PDF | HTML | 2023/12/14 | |
Application note | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023/03/13 | |
Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/05/31 | |
More literature | WCSP Handling Guide | 2019/11/07 | ||
Application note | AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) | 2019/06/14 |
설계 및 개발
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지원되는 제품 및 하드웨어
제품
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패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
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DSBGA (YZB) | 4 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.