계산 툴
LM5101
- Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
- Independent high and low driver logic inputs (TTL for LM5101 or CMOS for LM5100)
- Bootstrap supply voltage range up to 118V DC
- Fast propagation times (25 ns typical)
- Drives 1000 pF load with 15 ns rise and fall times
- Excellent propagation delay matching (3 ns typical)
- Supply rail under-voltage lockouts
- Low power consumption
- Pin compatible with HIP2100/HIP2101
The LM5100/LM5101 High Voltage Gate Drivers are designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of operating with supply voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with CMOS input thresholds (LM5100) or TTL input thresholds (LM5101). An integrated high voltage diode is provided to charge the high side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. This device is available in the standard SOIC-8 pin and the LLP-10 pin packages.
기술 자료
검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하십시오.
8개 모두 보기 | 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LM5100/LM5101 High Voltage High Side and Low Side Gate Driver datasheet (Rev. C) | 2005/03/16 | |
| Application note | Using Half-Bridge Gate Driver to Achieve 100% Duty Cycle for High Side FET | PDF | HTML | 2024/03/25 | |
| Application note | Bootstrap Circuitry Selection for Half Bridge Configurations (Rev. A) | PDF | HTML | 2023/09/08 | |
| Application note | Comparative Analysis of Two Different Methods for Gate-Drive Current Boosting (Rev. A) | PDF | HTML | 2022/02/17 | |
| Application brief | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 2020/02/28 | ||
| Application brief | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 2020/02/28 | ||
| More literature | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018/10/29 | ||
| Selection guide | Power Management Guide 2018 (Rev. R) | 2018/06/25 |
설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
평가 보드
UCC27288EVM — UCC27288 100V, 3A, 8V UVLO 하프 브리지 게이트 드라이버 평가 모듈
UCC27288EVM은 2.5A 피크 소스 전류 및 3.5A 피크 싱크 전류 기능을 지원하는 100V 하프 브리지 게이트 드라이버인 UCC27288D를 평가하기 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 최대 20V 드라이브 전압으로 전력 MOSFET을 구동하기 위한 레퍼런스 설계로 사용됩니다.
사용 설명서: PDF
시뮬레이션 툴
PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®
TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.
TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 착수하기 (...)
TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 착수하기 (...)
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.