홈 전력 관리 게이트 드라이버 절연 게이트 드라이버
홈
전력 관리
게이트 드라이버
절연 게이트 드라이버

UCC21550

활성

Reinforced, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable, programmable deadtime

지금 주문하기
데이터 시트

UCC21550

활성
데이터 시트 지금 주문하기

제품 상세 정보

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7070 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Catalog Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7070 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Catalog Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (DW) 16 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm) SOIC (DWK) 14 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm)

  • Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver

  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 5V,8V,12V VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing

  • Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver

  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 5V,8V,12V VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing

The UCC21550 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.

The UCC21550 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 5kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21550 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.

The UCC21550 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.

The UCC21550 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 5kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21550 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.
filter 기타 절연 게이트 드라이버 찾기
다운로드 스크립트와 함께 비디오 보기 비디오

기술 자료

검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하세요.
4개 모두 보기
상위 문서 유형 직함 형식 옵션 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* 데이터 시트 UCC21550x 4A, 6A, Reinforced Isolation Dual-Channel Gate Driver datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2024. 8. 9
인증서 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AB) 2026. 7. 15
인증서 FPPT2 - Nonoptical Isolating Devices UL 1577 Certificate of Compliance. 2025. 5. 19
인증서 CQC Certificate for UCC21551xx 2024. 8. 27

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC21520EVM-286 — UCC21520 4A/6A 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버 평가 모듈

UCC21520EVM-286은 4A 소스 및 6A 싱크 피크 전류 용량을 지원하는 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버인 UCC21520DW를 평가하기 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 UCC21520 핀 기능 식별, 부품 선택 가이드 및 PCB 레이아웃 예시를 포함해 전원 MOSFET, IGBT, SiC MOSFET 전원을 구동하기 위한 레퍼런스 설계로 사용할 수 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWK) 14 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​

동영상