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UCC21739-Q1

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IGBT/SiC용 절연 아날로그 감지를 지원하는 오토모티브 3kVrms, ±10A 단일 채널 절연 게이트 드라이버

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UCC21739-Q1

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Isolation rating Basic Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700, 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8400 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Basic Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700, 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8400 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 3kVRMS single channel isolated gate driver
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: -40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 3A
    • Device CDM ESD classification level C3
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 900Vpk
  • 33V maximum output drive voltage (VDD-VEE)
  • ±10A drive strength and split output
  • 150V/ns minimum CMTI
  • 270ns response time fast overcurrent protection
  • External active miller clamp
  • Internal 2-level turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-Link or phase voltage
  • Alarm FLT on over current and reset from RST/EN
  • Fast enable/disable response on RST/EN
  • Reject <40ns noise transient and pulse on input pins
  • 12V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage Immunity up to 5V
  • 130ns (maximum) propagation delay and 30ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications :
    • 4242VPK isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
  • 3kVRMS single channel isolated gate driver
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: -40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 3A
    • Device CDM ESD classification level C3
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 900Vpk
  • 33V maximum output drive voltage (VDD-VEE)
  • ±10A drive strength and split output
  • 150V/ns minimum CMTI
  • 270ns response time fast overcurrent protection
  • External active miller clamp
  • Internal 2-level turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-Link or phase voltage
  • Alarm FLT on over current and reset from RST/EN
  • Fast enable/disable response on RST/EN
  • Reject <40ns noise transient and pulse on input pins
  • 12V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage Immunity up to 5V
  • 130ns (maximum) propagation delay and 30ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications :
    • 4242VPK isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)

The UCC21739-Q1 is a galvanic isolated single channel gate drivers designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 900V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. UCC21739-Q1 has up to ±10A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 636VRMS working voltage, 6kVPK surge immunity basic isolation with longer than 40 years isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew, and >150V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21739-Q1 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, and input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be utilized for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size and cost.

The UCC21739-Q1 is a galvanic isolated single channel gate drivers designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 900V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. UCC21739-Q1 has up to ±10A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 636VRMS working voltage, 6kVPK surge immunity basic isolation with longer than 40 years isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew, and >150V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21739-Q1 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, and input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be utilized for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size and cost.
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기술 자료

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상위 문서 유형 직함 형식 옵션 날짜
* Data sheet UCC21739-Q1 Automotive 10A Source/Sink Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with Active Protection, Isolated Analog Sensing and High-CMTI datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2024/01/31
Certificate VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 2025/08/20
Application brief Does My Design Need a Miller Clamp? PDF | HTML 2024/12/11
Application note Choosing Appropriate Protection Approach for IGBT and SiC Power Modules PDF | HTML 2024/07/19
User guide UCC217xx and ISO5x5x Half-Bridge EVM User's Guide for Wolfspeed 1200-V SiC 2023/09/01
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021/12/16
Design guide SiC/IGBT Isolated Gate Driver Reference Design With Thermal Diode and Sensing 2019/12/18

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC21732QDWEVM-025 — SiC 및 IGBT 트랜지스터 및 전원 모듈용 구동 및 보호 평가 보드

UCC21732QDWEVM-025는 150 x 62 x 17mm 및 106 x 62 x 30mm 패키지에 포함된 SiC MOSFET 및 Si IGBT 전원 모듈에 필요한 드라이브, 바이어스 전압, 보호 및 진단을 제공하는 소형 단일 채널 절연 게이트 드라이버 보드입니다. 이 TI EVM은 8.0mm 연면 및 간극의 SOIC-16DW 패키지로 제공되는 5.7kVrms 강화 절연 드라이버 UCC217XX을 기반으로 합니다. 이 EVM에는 SN6505B 기반 절연 DC-DC 변압기 바이어스 공급 장치가 포함되어 있습니다.

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매할 수 없음
계산 툴

SLUC695 — UCC217xx XL Calculator Tool

Calculator enable customer design in terms of switching frequency and OC/DESAT, STO timing
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어
다운로드
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 착수하기 (...)
요청
레퍼런스 디자인

PMP23223 — 바이어스 공급 장치가 포함된 스마트 절연 게이트 드라이버 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계에서는 UCC21732 게이트 드라이버와 UCC14xxx 시리즈 바이어스 공급 장치의 조합을 보여줍니다. 이 설계는 Wolfspeed SiC(실리콘 카바이드) FET( Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) FET(전계 효과 트랜지스터) 모듈 등 다양한 전원 스위치 구동에 사용할 수 있습니다. 이 레퍼런스 설계는 고압측 또는 저압측 드라이버 역할을 할 수도 있고, 정전 용량 모조 부하와 함께 테스트할 수도 있습니다.

UCC14240-Q1, UCC14141-Q1 및 UCC14341-Q1은 각각 다른 (...)

Test report: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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