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UCC5350-Q1

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SiC/IGBT용 밀러 클램프 또는 분할 출력을 지원하는 차량용 ±5A 단일 채널 절연 게이트 드라이버

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UCC5350-Q1

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700, 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7000 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive, Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700, 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7000 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive, Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (DWV) 8 67.275 mm² 5.85 x 11.5
  • ±5A minimum peak current drive strength
  • ±10A typical peak current drive strength
  • 3V to 15V input supply voltage
  • Up to 33V driver supply voltage
    • 8V and 12V UVLO options
  • 100V/ns minimum CMTI
  • Negative 5V handling capability on input pins
  • 100ns (maximum) propagation delay and <25ns part-to-part skew
  • 8-pin DWV (8.5mm creepage) and D (4mm creepage) packages
  • Isolation barrier life > 40 Years
  • Safety-related certifications:
    • DIN EN IEC 60747-17(VDE 0884-17)
    • UL 1577 componenet recognition program
  • CMOS inputs
  • Operating junction temperature: –40°C to +150°C
  • ±5A minimum peak current drive strength
  • ±10A typical peak current drive strength
  • 3V to 15V input supply voltage
  • Up to 33V driver supply voltage
    • 8V and 12V UVLO options
  • 100V/ns minimum CMTI
  • Negative 5V handling capability on input pins
  • 100ns (maximum) propagation delay and <25ns part-to-part skew
  • 8-pin DWV (8.5mm creepage) and D (4mm creepage) packages
  • Isolation barrier life > 40 Years
  • Safety-related certifications:
    • DIN EN IEC 60747-17(VDE 0884-17)
    • UL 1577 componenet recognition program
  • CMOS inputs
  • Operating junction temperature: –40°C to +150°C

The UCC5350-Q1 is a single-channel, isolated gate driver with 10A source and 10A sink typical peak current designed to drive MOSFETs, IGBTs, and SiC MOSFETs. The UCC5350-Q1 has the option for Miller clamp or Split Outputs. The CLAMP pin is used to connect the transistor gate to an internal FET beside the output to prevent false turn-on caused by Miller current injection. The split outputs option allows separate control of the rise and fall times of the gate voltage with OUTH and OUTL pins.

The UCC5350-Q1 is available in a 4mm SOIC-8 (D) or 8.5mm wide body SOIC-8 (DWV) package and can support isolation voltage up to 3kVRMS and 5kVRMS, respectively. The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology with longer than 40 years isolation barrier lifetime. The UCC5350-Q1 is a good fit for driving IGBTs or MOSFETs in applications such as high-voltage traction inverters and on-board chargers.

Compared to an opto-isolated gate driver, the UCC5350-Q1 device has lower part-to-part skew, lower propagation delay, higher operating temperature, and higher CMTI.

The UCC5350-Q1 is a single-channel, isolated gate driver with 10A source and 10A sink typical peak current designed to drive MOSFETs, IGBTs, and SiC MOSFETs. The UCC5350-Q1 has the option for Miller clamp or Split Outputs. The CLAMP pin is used to connect the transistor gate to an internal FET beside the output to prevent false turn-on caused by Miller current injection. The split outputs option allows separate control of the rise and fall times of the gate voltage with OUTH and OUTL pins.

The UCC5350-Q1 is available in a 4mm SOIC-8 (D) or 8.5mm wide body SOIC-8 (DWV) package and can support isolation voltage up to 3kVRMS and 5kVRMS, respectively. The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology with longer than 40 years isolation barrier lifetime. The UCC5350-Q1 is a good fit for driving IGBTs or MOSFETs in applications such as high-voltage traction inverters and on-board chargers.

Compared to an opto-isolated gate driver, the UCC5350-Q1 device has lower part-to-part skew, lower propagation delay, higher operating temperature, and higher CMTI.
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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet UCC5350-Q1 Single-Channel Isolated Gate Driver datasheet (Rev. G) 2025/01/09
Certificate VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 2025/08/20
Application brief Does My Design Need a Miller Clamp? PDF | HTML 2024/12/11
Functional safety information UCC5390-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA PDF | HTML 2022/03/16
Technical article Increasing power density with an integrated GaN solution PDF | HTML 2022/03/14
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021/12/16

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC5320SCEVM-058 — UCC5320SC 절연 게이트 드라이버 평가 모듈

UCC5320SCEVM은 UCC53xx 장치 제품군 평가에 사용되는 평가 모듈이며 사용한 장치가 무엇인지에 따라 사용자가 분할 출력, 밀러 클램프 또는 UVLO로 드라이버를 구성할 수 있도록 유연성을 제공합니다. EVM에는 최소한의 외부 부품으로 장치를 평가할 수 있는 충분한 테스트 포인트 및 점퍼 옵션이 있습니다.
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

UCC5390ECDWVEVM — UCC5390ECDWV 10A, 10A 5kVRMS 절연 단일 채널 게이트 드라이버 평가 모듈

UCC5390ECDWVEVM은 10A 소스 및 10A 싱크 피크 전류 용량을 지원하는 5.0kVRMS 절연 싱글 채널 게이트 드라이버인 UCC53xxDWV 제품군을 평가하기 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 데이터 시트를 기준으로 드라이버 IC를 평가하는 데 사용할 수 있습니다. EVM은 드라이버 IC 구성 요소 선택 가이드로 사용할 수도 있습니다. EVM을 사용하여 게이트 드라이버 성능에 대한 PCB 레이아웃의 영향을 확인할 수 있습니다.
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

UCC5390SCDEVM-010 — 소형 단일 채널 3kVrms 절연 17V 게이트 드라이브 바이어스 전원 평가 모듈

UCC5390SCDEVM-010은 광범위한 구동 전압을 제공하는 재구성 가능한 바이어스 전원을 포함한 완전한 단일 채널 절연 게이트 드라이브 보드입니다. 이 EVM은 SOIC-8 패키지의 17A 분할 출력 기본 절연 UCC5390SCD 드라이버를 기반으로 합니다. 또한 이 설계에는 11V~33V의 단일 또는 분할 레일 드라이브 전압에 맞게 구성할 수 있는 SN6505B 기반 바이어스 서플라이가 포함되어 광범위한 Si 및 SiC FET 및 IGBT를 포괄합니다.
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

UCC5350MCD PSpice Transient Model (Rev. A)

SLLM368A.ZIP (54 KB) - PSpice Model
다운로드
시뮬레이션 모델

UCC5350MCD Unencrypted PSpice Transient Model (Rev. A)

SLLM367A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

UCC5350SBD PSpice Transient Model

SLLM379.ZIP (53 KB) - PSpice Model
다운로드
시뮬레이션 모델

UCC5350SBD Unencrypted PSpice Transient Model

SLLM378.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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계산 툴

SLURAY7 — UCC53x0 Gate Resistor and Thermal Calculator Tool

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
절연 게이트 드라이버
UCC5310 — 밀러 클램프, 12V UVLO 및 D 또는 DWV 패키지를 지원하는 3kVrms/5kVrms, 2A/1A 단일 채널 절연 게이트 드라이버 UCC5320 — GND 또는 분할 출력 기준 UVLO를 지원하는 3k/5kVrms, 2A/2A 싱글 채널 절연 게이트 드라이버 UCC5350 — 밀러 클램프 또는 분할 출력 및 8V 또는 12V UVLO를 지원하는 5A/5A 단일 채널 절연 게이트 드라이버 UCC5350-Q1 — SiC/IGBT용 밀러 클램프 또는 분할 출력을 지원하는 차량용 ±5A 단일 채널 절연 게이트 드라이버 UCC5390 — GND 또는 분할 출력으로 참조되는 UVLO를 지원하는 3kVrms/5kVrms, ±10A 단일 채널 절연 게이트 드라이버 UCC5390-Q1 — 차량용 17A 5kv RMS 싱글 채널 절연 게이트 드라이버
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시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 착수하기 (...)
요청
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
SOIC (DWV) 8 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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