전력 관리 게이트 드라이버 절연 게이트 드라이버

UCC5390-Q1

활성

Automotive Basic/Reinforced, 17A/17A single-channel isolated gate driver w/ Emitter-referenced UVLO

제품 상세 정보

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7000 Peak output current (A) 17 Peak output current (source) (typ) (A) 17 Peak output current (sink) (typ) (A) 17 Features UVLO reference to ground Output VCC/VDD (min) (V) 13.2 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 26 Fall time (ns) 22 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7000 Peak output current (A) 17 Peak output current (source) (typ) (A) 17 Peak output current (sink) (typ) (A) 17 Features UVLO reference to ground Output VCC/VDD (min) (V) 13.2 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 26 Fall time (ns) 22 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (DWV) 8 67.275 mm² (5.85 mm × 11.5 mm)
  • 5kVRMS single channel isolated gate driver
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1
    • HBM ESD classification level H2
    • CDM ESD classification level C6
  • Functional Safety Quality-Managed
  • 12V UVLO referenced to GND2
  • 8-pin DWV (8.5mm creepage) package
  • 60ns (typical) propagation delay
  • Small part-to-part skew in propagation delay
  • 100V/ns minimum CMTI
  • 10A minimum peak current
  • 3V to 15V input supply voltage
  • Up to 33V driver supply voltage
  • Negative 5V handling capability on input pins
  • Safety-related certifications:
    • 7000VPK isolation (DWV) per DIN V VDE V 0884-11:2017-01 (planned)
    • 5000VRMS (DWV) isolation rating for 1 minute per UL 1577
    • CQC Certification per GB4943.1-2011
  • CMOS inputs
  • Operating junction temperature: –40°C to +150°C
  • 5kVRMS single channel isolated gate driver
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1
    • HBM ESD classification level H2
    • CDM ESD classification level C6
  • Functional Safety Quality-Managed
  • 12V UVLO referenced to GND2
  • 8-pin DWV (8.5mm creepage) package
  • 60ns (typical) propagation delay
  • Small part-to-part skew in propagation delay
  • 100V/ns minimum CMTI
  • 10A minimum peak current
  • 3V to 15V input supply voltage
  • Up to 33V driver supply voltage
  • Negative 5V handling capability on input pins
  • Safety-related certifications:
    • 7000VPK isolation (DWV) per DIN V VDE V 0884-11:2017-01 (planned)
    • 5000VRMS (DWV) isolation rating for 1 minute per UL 1577
    • CQC Certification per GB4943.1-2011
  • CMOS inputs
  • Operating junction temperature: –40°C to +150°C

The UCC5390-Q1 is a single-channel, isolated gate driver with 10A source and 10A sink peak current designed to drive MOSFETs, IGBTs, and SiC MOSFETs. The UCC5390-Q1 has its UVLO2 referenced to GND2, which facilitates bipolar supplies and optimizes SiC and IGBT switching behavior and robustness.

The UCC5390-Q1 is available in 8.5mm SOIC-8 (DWV) package and can support isolation voltage up to 5kVRMS. The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology with longer than 40 years isolation barrier lifetime. With its high drive strength and true UVLO detection, this device is a good fit for driving IGBTs and SiC MOSFETs in applications such as on-board chargers and traction inverters.

Compared to an optocoupler, the UCC5390-Q1 has lower part-to-part skew, lower propagation delay, higher operating temperature, and higher CMTI.

The UCC5390-Q1 is a single-channel, isolated gate driver with 10A source and 10A sink peak current designed to drive MOSFETs, IGBTs, and SiC MOSFETs. The UCC5390-Q1 has its UVLO2 referenced to GND2, which facilitates bipolar supplies and optimizes SiC and IGBT switching behavior and robustness.

The UCC5390-Q1 is available in 8.5mm SOIC-8 (DWV) package and can support isolation voltage up to 5kVRMS. The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology with longer than 40 years isolation barrier lifetime. With its high drive strength and true UVLO detection, this device is a good fit for driving IGBTs and SiC MOSFETs in applications such as on-board chargers and traction inverters.

Compared to an optocoupler, the UCC5390-Q1 has lower part-to-part skew, lower propagation delay, higher operating temperature, and higher CMTI.

다운로드 스크립트와 함께 비디오 보기 비디오

기술 자료

검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하세요.
6개 모두 보기
상위 문서 유형 직함 형식 옵션 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* 데이터 시트 UCC5390-Q1 Single-Channel Isolated Gate Driver for SiC/IGBT and Automotive Applications datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2024. 2. 14
인증서 VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AA) 2026. 6. 11
인증서 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. D) 2025. 9. 8
인증서 UCC5310 CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023. 8. 16
기능 안전 정보 UCC5390-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA PDF | HTML 2022. 3. 16
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021. 12. 16

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC5390ECDWVEVM — UCC5390ECDWV 10A, 10A 5kVRMS 절연 단일 채널 게이트 드라이버 평가 모듈

UCC5390ECDWVEVM은 10A 소스 및 10A 싱크 피크 전류 용량을 지원하는 5.0kVRMS 절연 싱글 채널 게이트 드라이버인 UCC53xxDWV 제품군을 평가하기 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 데이터 시트를 기준으로 드라이버 IC를 평가하는 데 사용할 수 있습니다. EVM은 드라이버 IC 구성 요소 선택 가이드로 사용할 수도 있습니다. EVM을 사용하여 게이트 드라이버 성능에 대한 PCB 레이아웃의 영향을 확인할 수 있습니다.
사용 설명서: PDF
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

UCC5390ECD PSpice Transient Model

SLLM366.ZIP (53 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

UCC5390ECD Unencrypted PSpice Transient Model

SLLM369.ZIP (3 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
계산 툴

SLURAY7 — UCC53x0 Gate Resistor and Thermal Calculator Tool

지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (DWV) 8 Ultra Librarian

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​

동영상