TPS737-Q1
- AEC-Q100 qualified for automotive applications:
- Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
- Device HBM ESD classification level 2
- Device CDM ESD classification level C4A
- Stable with 1µF or larger ceramic output capacitor
- Input voltage range: 2.2V to 5.5V
- Ultra-low dropout voltage: 130mV (typical) at 1A
- Excellent load transient response, even with only 1µF output capacitor
- NMOS topology delivers low reverse leakage current
- 1% initial accuracy
- 3% overall accuracy over line, load, and temperature
- Less than 20nA (typical) quiescent current in shutdown mode
- Thermal shutdown and current limit for fault protection
- Available in multiple output voltage versions
The TPS737-Q1 linear low-dropout (LDO) voltage regulator uses an n-type field effect transistor (NMOS) pass transistor in a voltage-follower configuration. This topology is relatively insensitive to output capacitor value and ESR, allowing a wide variety of load configurations. Load transient response is excellent, even with a small 1µF ceramic output capacitor. The NMOS topology also allows very low dropout.
The TPS737-Q1 uses an advanced bipolar complementary metal-oxide semiconductor (BiCMOS) process. This process yields high precision and delivers very low dropout voltages and low ground pin current. Current consumption, when not enabled, is under 20nA and is designed for portable applications. This device is protected by thermal shutdown and foldback current limit.
技術文件
| 重要文件 | 類型 | 標題 | 格式選項 | 下載最新的英文版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 資料表 | TPS737-Q1 Automotive, 1A Low-Dropout Regulator With Reverse Current Protection datasheet (Rev. C) | PDF | HTML | 2025/3/21 | ||
| 應用說明 | LDO Noise Demystified (Rev. B) | PDF | HTML | 2020/8/18 | |||
| 應用說明 | LDO PSRR Measurement Simplified (Rev. A) | PDF | HTML | 2017/8/9 |
設計與開發
如需其他條款或必要資源，請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。
TIDA-01512 — 適用於 NXP QorIQ LS2085A/88A 處理器的 PMBus 電壓穩壓器參考設計
TIDA-01512 使用 TPS53681 多相控制器和 CSD95490Q5MC 智慧功率級，可實作適合為 NXP QorIQ 通訊處理器供電的高性能設計。
控制器的雙輸出針對採用四相設計的 60ATDC、1.0V 核心軌，以及 30ATDC、1.2V 的輔助軌。使用智慧功率級和整合式 PMBus™ 功能可輕鬆設定輸出電壓、遙測主要設計參數，並進行補償調整。
在驗證期間，可從 NXP 的參考電路板看到輸出電容減少超過 50%。
TIDEP-01012 — 使用串接 mmWave 感測器的成像雷達參考設計
串級開發套件有兩個主要使用案例：
- 要將 MMWCAS-DSP-EVM 用作捕獲卡，通過使用 mmWave studio 工具全面評估 AWR2243 四晶片級聯性能，請閱讀 TIDEP-01012 設計指南。
- 要使用 MMWCAS-DSP-EVM 開發雷達實時軟體應用，請閱讀 TIDEP-01017 設計指南。
此參考設計使用串接成像雷達射頻 (RF) 系統。串接雷達裝置可支援長程雷達 (LRR) 波束成形應用，以及具備強化角度解析度性能的中程雷達 (MRR) 和短程雷達 (SRR) 多輸入多輸出 (MIMO) 應用。
AWR2243 串接雷達 RF 開發套件透過多裝置波束成形配置，可估計並追蹤超過 (...)
TIDM-TM4C129POE — 適用於物聯網連線的 TM4C129POE 乙太網路供電 (PoE) 參考設計
TIDM-TM4C129POEAUDIO — 支援乙太網路供電 (PoE) 的音頻通訊參考設計
TIDM-TM4C129SDRAMNVM — 適用於高效能 MCU，可從 SDRAM 執行並於 NVM 儲存程式碼
此參考設計展示如何實作非揮發性記憶體和 SDRAM，並將兩者介接至 TM4C 產品系列中的性能微控制器 TM4C1294NCPDT。實作方式是針對 SD 卡和四序列快閃記憶體等非揮發性記憶體，使用微控制器的 EPI 介面來介接 60MHz 的 256Mbit SDRAM 及 60MHz 的 QSSI 介面，讓開發人員可以將代碼和資料空間擴展至 TM4C1294 微控制器內部記憶體最大容量以上。
TIDM-TM4C129XS2E — 高效能 MCU 的 RTOS 架構可配置序列轉乙太網路轉換器參考設計
傳統產品只包含序列埠。由於無法將此類終端設備 (EE) 新增到共享網路並遠端存取（例如遠端控制站），因此存取這類設備逐漸成為一項挑戰。序列轉乙太網路 (S2E) 轉換器可輕鬆因應，解決這類 EE 所帶來的挑戰。此參考設計運用乙太網路型 TM4C129x（原稱 Tiva）微控制器來實作 S2E 轉換器，可加快上市時間並節省成本。
TIDM-TM4CFLASHSRAM — 適用於在高效能 MCU 上下載和執行程式碼的平行並聯 XIP 快閃記憶體和 SRAM 設計
此參考設計展示如何實作非同步平行快閃記憶體和 SRAM 記憶體，並將兩者介接至性能微控制器 TM4C129。實作方式是在主機匯流排 16 模式中使用 EPI 介面和多個晶片選擇來介接 1Gbit-8Mbit 範圍 16 位元平行快閃記憶體和 16Mbit 16 位元平行 SRAM，讓開發人員可以將代碼和資料空間擴展至 TM4C1294 微控制器內部記憶體最大容量以上。
| 封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON (DRB) | 8 | Ultra Librarian |
訂購與品質
建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。