TPS737-Q1
- AEC-Q100 qualified for automotive applications:
- Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
- Device HBM ESD classification level 2
- Device CDM ESD classification level C4A
- Stable with 1µF or larger ceramic output capacitor
- Input voltage range: 2.2V to 5.5V
- Ultra-low dropout voltage: 130mV (typical) at 1A
- Excellent load transient response, even with only 1µF output capacitor
- NMOS topology delivers low reverse leakage current
- 1% initial accuracy
- 3% overall accuracy over line, load, and temperature
- Less than 20nA (typical) quiescent current in shutdown mode
- Thermal shutdown and current limit for fault protection
- Available in multiple output voltage versions
The TPS737-Q1 linear low-dropout (LDO) voltage regulator uses an n-type field effect transistor (NMOS) pass transistor in a voltage-follower configuration. This topology is relatively insensitive to output capacitor value and ESR, allowing a wide variety of load configurations. Load transient response is excellent, even with a small 1µF ceramic output capacitor. The NMOS topology also allows very low dropout.
The TPS737-Q1 uses an advanced bipolar complementary metal-oxide semiconductor (BiCMOS) process. This process yields high precision and delivers very low dropout voltages and low ground pin current. Current consumption, when not enabled, is under 20nA and is designed for portable applications. This device is protected by thermal shutdown and foldback current limit.
技術文件
| 類型 | 標題 | 日期 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | TPS737-Q1 Automotive, 1A Low-Dropout Regulator With Reverse Current Protection datasheet (Rev. C) | PDF | HTML | 2025年 3月 21日 |
| Application note | LDO Noise Demystified (Rev. B) | PDF | HTML | 2020年 8月 18日 | |
| Application note | LDO PSRR Measurement Simplified (Rev. A) | PDF | HTML | 2017年 8月 9日 |
設計與開發
如需其他條款或必要資源,請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。
TIDEP-01012 — 使用串接 mmWave 感測器的成像雷達參考設計
- 要將 MMWCAS-DSP-EVM 用作捕獲卡,通過使用 mmWave studio 工具全面評估 AWR2243 四晶片級聯性能,請閱讀 TIDEP-01012 設計指南。
- 要使用 MMWCAS-DSP-EVM 開發雷達實時軟體應用,請閱讀 TIDEP-01017 設計指南。
此參考設計使用串接成像雷達射頻 (RF) 系統。串接雷達裝置可支援長程雷達 (LRR) 波束成形應用,以及具備強化角度解析度性能的中程雷達 (MRR) 和短程雷達 (SRR) 多輸入多輸出 (MIMO) 應用。
AWR2243 串接雷達 RF 開發套件透過多裝置波束成形配置,可估計並追蹤超過 (...)
TIDM-TM4C129SDRAMNVM — 適用於高效能 MCU,可從 SDRAM 執行並於 NVM 儲存程式碼
TIDA-01512 — 適用於 NXP QorIQ LS2085A/88A 處理器的 PMBus 電壓穩壓器參考設計
控制器的雙輸出針對採用四相設計的 60ATDC、1.0V 核心軌,以及 30ATDC、1.2V 的輔助軌。使用智慧功率級和整合式 PMBus™ 功能可輕鬆設定輸出電壓、遙測主要設計參數,並進行補償調整。
在驗證期間,可從 NXP 的參考電路板看到輸出電容減少超過 50%。
TIDM-TM4C129POEAUDIO — 支援乙太網路供電 (PoE) 的音頻通訊參考設計
TIDM-TM4C129POE — 適用於物聯網連線的 TM4C129POE 乙太網路供電 (PoE) 參考設計
TIDM-TM4CFLASHSRAM — 適用於在高效能 MCU 上下載和執行程式碼的平行並聯 XIP 快閃記憶體和 SRAM 設計
TIDM-TM4C129XS2E — 高效能 MCU 的 RTOS 架構可配置序列轉乙太網路轉換器參考設計
| 封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON (DRB) | 8 | Ultra Librarian |
訂購與品質
- RoHS
- REACH
- 產品標記
- 鉛塗層/球物料
- MSL 等級/回焊峰值
- MTBF/FIT 估算值
- 材料內容
- 認證摘要
- 進行中持續性的可靠性監測
- 晶圓廠位置
- 組裝地點
建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。