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CSD25202W15

AKTIV

-20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 26 mOhm, Gate-ESD-Schutz

Produktdetails

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 26 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 32 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 5.8 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 4 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 26 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 32 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 5.8 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 4 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZF) 9 3.0625 mm² (— mm × — mm)
  • Low-Resistance
  • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm
  • Gate ESD Protection –3 kV
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Low-Resistance
  • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm
  • Gate ESD Protection –3 kV
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Gate-Source Voltage Clamp

This 21 mΩ, 20 V device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in a small 1.5 mm × 1.5 mm chip scale package with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.

This 21 mΩ, 20 V device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in a small 1.5 mm × 1.5 mm chip scale package with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.

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Technische Dokumentation

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* Datenblatt CSD25202W15 20-V P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 16.07.2014
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31.10.2025
Anwendungshinweis MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27.10.2025
Anwendungshinweis Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25.03.2024
Anwendungshinweis Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18.12.2023
Anwendungshinweis Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 14.12.2023
Anwendungshinweis Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13.03.2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31.05.2022
Anwendungshinweis AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 14.06.2019

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Support-Software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

CSD25202W15 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM130B.ZIP (4 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
DSBGA (YZF) 9 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

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Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

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