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LM7480

AKTIV

Idealer Diodencontroller, 3 bis 65 V Back-to-Back NFET, –55 bis 125 Grad Celsius

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LM7480

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Produktdetails

Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Catalog Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 300 Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -55 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Catalog Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 300 Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -55 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² (3 mm × 3 mm)
  • Qualified for extended temperature applications
    • Device temperature: –55°C to +125°C ambient operating temperature range
  • 3-V to 65-V input range
  • Reverse input protection down to –65 V
  • Drives external back-to-back N-channel MOSFETs in common drain and common source configurations
  • Ideal diode operation with 10.5-mV A to C forward voltage drop regulation (LM74800)
  • Low reverse detection threshold (–4.5 mV) with fast response (0.5 µs)
  • 20-mA peak gate (DGATE) turnon current
  • 2.6-A peak DGATE turnoff current
  • Adjustable overvoltage protection
  • Low 2.87-µA shutdown current (EN/UVLO = Low)
  • Available in space saving 12-pin WSON package
  • Qualified for extended temperature applications
    • Device temperature: –55°C to +125°C ambient operating temperature range
  • 3-V to 65-V input range
  • Reverse input protection down to –65 V
  • Drives external back-to-back N-channel MOSFETs in common drain and common source configurations
  • Ideal diode operation with 10.5-mV A to C forward voltage drop regulation (LM74800)
  • Low reverse detection threshold (–4.5 mV) with fast response (0.5 µs)
  • 20-mA peak gate (DGATE) turnon current
  • 2.6-A peak DGATE turnoff current
  • Adjustable overvoltage protection
  • Low 2.87-µA shutdown current (EN/UVLO = Low)
  • Available in space saving 12-pin WSON package

The LM7480 ideal diode controller drives and controls external back to back N-channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V input powered systems. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and overvoltage protection using HGATE control. The device features an adjustable overvoltage cut-off protection feature. LM7480 has two variants, LM74800 and LM74801. LM74800 employs reverse current blocking using linear regulation and comparator scheme versus LM74801, which supports a comparator based scheme. With common-drain configuration of the power MOSFETs, the mid-point can be utilized for ORing designs using another ideal diode. The LM7480 has a maximum voltage rating of 65 V. The loads can be protected from extended overvoltage transients like 200-V unsuppressed load dumps in 24-V battery systems by configuring the device with external MOSFETs in common source topology.

The LM7480 ideal diode controller drives and controls external back to back N-channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V input powered systems. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and overvoltage protection using HGATE control. The device features an adjustable overvoltage cut-off protection feature. LM7480 has two variants, LM74800 and LM74801. LM74800 employs reverse current blocking using linear regulation and comparator scheme versus LM74801, which supports a comparator based scheme. With common-drain configuration of the power MOSFETs, the mid-point can be utilized for ORing designs using another ideal diode. The LM7480 has a maximum voltage rating of 65 V. The loads can be protected from extended overvoltage transients like 200-V unsuppressed load dumps in 24-V battery systems by configuring the device with external MOSFETs in common source topology.
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Technische Dokumentation

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* Datenblatt LM7480 3-V to 65-V, Ideal Diode Controller Driving Back to Back NFETs datasheet PDF | HTML 21.12.2022

Design und Entwicklung

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