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LMG1025-Q1

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Automotive 7A/5A single-channel low-side driver with 5V UVLO for narrow pulse applications

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Datenblatt

LMG1025-Q1

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Produktdetails

Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features 1.25-ns Pulse Width Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.65 Fall time (ns) 0.85 Propagation delay time (µs) 0.0029 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic TTL Input negative voltage (V) 0 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4.19 Driver configuration Dual inputs
Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features 1.25-ns Pulse Width Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.65 Fall time (ns) 0.85 Propagation delay time (µs) 0.0029 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic TTL Input negative voltage (V) 0 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4.19 Driver configuration Dual inputs
WSON (DEE) 6 4 mm² 2 x 2 WSON (DRV) 6 4 mm² 2 x 2
  • AEC-Q100 grade 1 qualified
  • 1.25ns typical minimum input pulse width
  • 2.6ns typical rising propagation delay
  • 2.9ns typical falling propagation delay
  • 300ps typical pulse distortion
  • Independent 7A pull-up and 5A pull-down current
  • 650ps typical rise time (220pF load)
  • 850ps typical fall time (220pF load)
  • 2mm x 2mm QFN package
  • Inverting and non-inverting inputs
  • UVLO and over-temperature protection
  • Single 5V supply voltage
  • AEC-Q100 grade 1 qualified
  • 1.25ns typical minimum input pulse width
  • 2.6ns typical rising propagation delay
  • 2.9ns typical falling propagation delay
  • 300ps typical pulse distortion
  • Independent 7A pull-up and 5A pull-down current
  • 650ps typical rise time (220pF load)
  • 850ps typical fall time (220pF load)
  • 2mm x 2mm QFN package
  • Inverting and non-inverting inputs
  • UVLO and over-temperature protection
  • Single 5V supply voltage

The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.

The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet LMG1025-Q1 Automotive Low Side GaN and MOSFET Driver For High Frequency and Narrow Pulse Applications datasheet (Rev. C) PDF | HTML 06 Dez 2024
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Application brief GaN Driver Schematic and Layout Recommendations PDF | HTML 10 Aug 2022
Application brief Key Parameters and Driving Requirements of GaN FETs PDF | HTML 04 Aug 2022
Application brief Nomenclature, Types, and Structure of GaN Transistors PDF | HTML 04 Aug 2022
Application brief How GaN Enables More Efficient and Reduced Form Factor Power Supplies PDF | HTML 02 Aug 2022
Functional safety information LMG1025-Q1 FIT, FMD, and Pin FMA PDF | HTML 24 Jun 2022
Application note Benefits of a Compact, Powerful, and Robust Low-Side Gate Driver PDF | HTML 10 Nov 2021
Certificate LMG1025-Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) 16 Sep 2020
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 28 Feb 2020
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 28 Feb 2020
Application note GaN Gate Driver Layout Help 23 Mai 2019
Application brief How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs 18 Jan 2019
Application brief Enable Function with Unused Differential Input 11 Jul 2018
Application brief Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole 16 Mär 2018
White paper A comprehensive methodology to qualify the reliability of GaN products 02 Mär 2015

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

LMG1020EVM-006 — LMG1020 GaN-Low-Side-Treiber und GaN FET LiDAR-Evaluierungsmodul

Das LMG1020EVM-006 ist eine kleine, benutzerfreundliche Leistungsstufe für LIDAR-Laserantriebe. Das EVM enthält eine integrierte ohmsche Last (Laser nicht im Lieferumfang enthalten) und nimmt einen Kurzimpulseingang, der entweder gepuffert (und weiter gekürzt) oder direkt an die Leistungsstufe (...)
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

LMG1025-Q1EVM — LMG1025-Q1 Evaluierungsmodul: GaN-Low-Side-Treiber und GaN FET LiDAR

LMG1025-Q1EVM ist eine kleine, einfach zu handhabende Leistungsstufe mit integrierter ohmscher Last (Laser nicht im Lieferumfang enthalten). Es benötigt einen Kurzimpulseingang, der entweder gepuffert (und weiter gekürzt) oder direkt an die Leistungsstufe geleitet werden kann.
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Simulationsmodell

LMG1020 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM618C.ZIP (1575 KB) - PSpice Model
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Simulationsmodell

LMG1020 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNOM620A.ZIP (43 KB) - TINA-TI Spice Model
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Berechnungstool

SLURB15 — LMG1025-Q1 Schematic Review Template

Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Low-Side-Treiber
  • LMG1025-Q1 — Automotive 7A/5A single-channel low-side driver with 5V UVLO for narrow pulse applications
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Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

PSpice® für TI ist eine Design- und Simulationsumgebung, welche Sie dabei unterstützt, die Funktionalität analoger Schaltungen zu evaluieren. Diese Design- und Simulationssuite mit vollem Funktionsumfang verwendet eine analoge Analyse-Engine von Cadence®. PSpice für TI ist kostenlos erhältlich und (...)
Anfordern
Referenzdesigns

TIDA-01573 — Referenzdesign für Nano-Laser-Treiber Referenzdesign für LiDAR

Dieses Referenzdesign für Light Distancing and Ranging (LiDAR) zeigt die Low-Side-Gate-Treiber LMG1020 und LMG1025-Q1 für Anwendungen mit engen Impulsen. Diese Bausteine können einen FET ansteuern, um laseroptische Impulse von < 1,5 ns und mehr als 100 W zu erzeugen.
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
WSON (DEE) 6 Ultra Librarian
WSON (DRV) 6 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

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  • Werksstandort
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