LMG1025-Q1
Einkanaliger Low-Side-Gate-Treiber für die Automobilindustrie, 7/5 A, mit 5-V-UVLO für Anwendungen m
LMG1025-Q1
- AEC-Q100 grade 1 qualified
- 1.25-ns typical minimum input pulse width
- 2.6-ns typical rising propagation delay
- 2.9-ns typical falling propagation delay
- 300-ps typical pulse distortion
- Independent 7-A pull-up and 5-A pull-down current
- 650-ps typical rise time (220-pF load)
- 850-ps typical fall time (220-pF load)
- 2-mm x 2-mm QFN package
- Inverting and non-inverting inputs
- UVLO and over-temperature protection
- Single 5-V supply voltage
The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25-ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300-ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9-ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.
The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.
Technische Dokumentation
Typ | Titel | Datum | ||
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* | Data sheet | LMG1025-Q1 Automotive Low Side GaN and MOSFET Driver For High Frequency and Narrow Pulse Applications datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 16 Jan 2020 |
Application brief | GaN Applications | PDF | HTML | 10 Aug 2022 | |
Application brief | Key Parameters and Driving Requirements of GaN FETs | PDF | HTML | 04 Aug 2022 | |
Application brief | Nomenclature, Types, and Structure of GaN Transistors | PDF | HTML | 04 Aug 2022 | |
Application brief | How GaN Enables More Efficient and Reduced Form Factor Power Supplies | PDF | HTML | 02 Aug 2022 | |
Functional safety information | LMG1025-Q1 FIT, FMD, and Pin FMA | PDF | HTML | 24 Jun 2022 | |
Certificate | LMG1025-Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) | 16 Sep 2020 | ||
EVM User's guide | LMG1025-Q1 EVM User's Guide (Rev. B) | 08 Mai 2020 | ||
Application brief | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 28 Feb 2020 | ||
Application brief | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 28 Feb 2020 |
Design und Entwicklung
Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.
LMG1020EVM-006 — Evaluierungsmodul: GaN-Low-Side-Treiber LMG1020 + GaN FET LiDAR
LMG1025-Q1EVM — LMG1025-Q1 Evaluierungsmodul: GaN-Low-Side-Treiber und GaN FET LiDAR
LMG1020 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)
PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool
TIDA-01573 — Referenzdesign für Nano-Laser-Treiber Referenzdesign für LiDAR
Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
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WSON (DEE) | 6 | Ultra Librarian |
Bestellen & Qualität
- RoHS
- REACH
- Bausteinkennzeichnung
- Blei-Finish/Ball-Material
- MSL-Rating / Spitzenrückfluss
- MTBF-/FIT-Schätzungen
- Materialinhalt
- Qualifikationszusammenfassung
- Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
- Werksstandort
- Montagestandort
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