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TPS7H2221-SEP

AKTIV

Radiation-tolerant, 1.6V to 5.5V input 1.25A load switch

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Datenblatt

TPS7H2221-SEP

AKTIV
Datenblatt Jetzt bestellen

Produktdetails

Product type Load switch Current limit type Fixed Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.6 Imax (A) 1.25 Rating Space Features Inrush current control, Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown Number of channels 1 Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 8 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.003 Soft start Fixed Rise Time Ron (typ) (mΩ) 115 Operating temperature range (°C) -55 to 125
Product type Load switch Current limit type Fixed Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.6 Imax (A) 1.25 Rating Space Features Inrush current control, Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown Number of channels 1 Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 8 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.003 Soft start Fixed Rise Time Ron (typ) (mΩ) 115 Operating temperature range (°C) -55 to 125
SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² (2 mm × 2.1 mm)
  • Vendor item drawing available, VID V62/22609
  • Total ionizing dose (TID) characterized to 30 krad(Si)
    • TID RLAT (radiation lot acceptance testing) for every wafer lot to 20 krad(Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized
    • Single-event latch-up (SEL), single-event burnout (SEB) and single-event gate rupture (SEGR) immune to effective linear energy transfer (LETEFF) of 43 MeV– cm2/mg.
    • Single-event transient (SET) and single-event functional interrupt (SEFI) characterized to LETEFF of 43 MeV– cm2/mg.
  • Input operating voltage range (VIN): 1.6 to 5.5 V
  • Recommended continuous current (IMAX): 1.25 A
  • On-resistance (RON):
    • 116 mΩ (typ.) at VIN = 5 V
    • 115 mΩ (typ.) at VIN = 3.3 V
    • 133 mΩ (typ.) at VIN = 1.8 V
  • Output short protection (ISC): 3 A (typ.)
  • Low power consumption:
    • ON state (IQ): 8.3 µA (typ.)
    • OFF state (ISD): 3 nA (typ.)
  • Slow turn ON timing to limit inrush current (tON):
    • tON at 5 V = 1.68 ms at 3.61 mV/µs
    • tON at 3.3 V = 1.51 ms at 2.91 mV/µs
    • tON at 1.8 V = 1.32 ms at 2.15 mV/µs
  • Adjustable output discharge and fall time:
    • Internal QOD resistance = 9.2 Ω (typ.) at VIN = 3.3 V
  • Space Enhanced Plastic (SEP)
    • Controlled baseline
    • Gold bondwire
    • NiPdAu lead finish
    • One assembly and test site
    • One fabrication site
    • Military (–55°C to 125°C) temperature range
    • Extended product life cycle
    • Extended product-change notification (PCN)
    • Product traceability
    • Enhance mold compound for low outgassing
  • Vendor item drawing available, VID V62/22609
  • Total ionizing dose (TID) characterized to 30 krad(Si)
    • TID RLAT (radiation lot acceptance testing) for every wafer lot to 20 krad(Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized
    • Single-event latch-up (SEL), single-event burnout (SEB) and single-event gate rupture (SEGR) immune to effective linear energy transfer (LETEFF) of 43 MeV– cm2/mg.
    • Single-event transient (SET) and single-event functional interrupt (SEFI) characterized to LETEFF of 43 MeV– cm2/mg.
  • Input operating voltage range (VIN): 1.6 to 5.5 V
  • Recommended continuous current (IMAX): 1.25 A
  • On-resistance (RON):
    • 116 mΩ (typ.) at VIN = 5 V
    • 115 mΩ (typ.) at VIN = 3.3 V
    • 133 mΩ (typ.) at VIN = 1.8 V
  • Output short protection (ISC): 3 A (typ.)
  • Low power consumption:
    • ON state (IQ): 8.3 µA (typ.)
    • OFF state (ISD): 3 nA (typ.)
  • Slow turn ON timing to limit inrush current (tON):
    • tON at 5 V = 1.68 ms at 3.61 mV/µs
    • tON at 3.3 V = 1.51 ms at 2.91 mV/µs
    • tON at 1.8 V = 1.32 ms at 2.15 mV/µs
  • Adjustable output discharge and fall time:
    • Internal QOD resistance = 9.2 Ω (typ.) at VIN = 3.3 V
  • Space Enhanced Plastic (SEP)
    • Controlled baseline
    • Gold bondwire
    • NiPdAu lead finish
    • One assembly and test site
    • One fabrication site
    • Military (–55°C to 125°C) temperature range
    • Extended product life cycle
    • Extended product-change notification (PCN)
    • Product traceability
    • Enhance mold compound for low outgassing

The TPS7H2221-SEP device is a small, single channel load switch with controlled slew rate. The device contains an N-channel MOSFET that can operate over an input voltage range of 1.6 V to 5.5 V and can support a maximum continuous current of 1.25 A.

The switch ON state is controlled by a digital input that is capable of interfacing directly with low-voltage control signals. When power is first applied, a Smart Pull Down is used to keep the ON pin from floating until system sequencing is complete. Once the pin is deliberately driven high (VON>VIH), the Smart Pull Down will be disconnected to prevent unnecessary power loss.

The TPS7H2221-SEP load switch is also self-protected, meaning that it protects against short circuit events on the output of the device.

The TPS7H2221-SEP is available in a standard SC-70 package characterized for operation over an ambient temperature range of –55°C to 125°C.

The TPS7H2221-SEP device is a small, single channel load switch with controlled slew rate. The device contains an N-channel MOSFET that can operate over an input voltage range of 1.6 V to 5.5 V and can support a maximum continuous current of 1.25 A.

The switch ON state is controlled by a digital input that is capable of interfacing directly with low-voltage control signals. When power is first applied, a Smart Pull Down is used to keep the ON pin from floating until system sequencing is complete. Once the pin is deliberately driven high (VON>VIH), the Smart Pull Down will be disconnected to prevent unnecessary power loss.

The TPS7H2221-SEP load switch is also self-protected, meaning that it protects against short circuit events on the output of the device.

The TPS7H2221-SEP is available in a standard SC-70 package characterized for operation over an ambient temperature range of –55°C to 125°C.
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Technische Dokumentation

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* Datenblatt TPS7H2221-SEP Radiation Tolerant 5.5-V, 1.25-A, 115-mΩ Load Switch datasheet (Rev. A) PDF | HTML 20.09.2022
* Strahlungs- und Zuverlässigkeitsbericht TPS7H2221-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) 28.09.2022
* Strahlungs- und Zuverlässigkeitsbericht TPS7H2221-SEP Production Flow and Reliability Report 22.09.2022
* Strahlungs- und Zuverlässigkeitsbericht TPS7H2221-SEP Neutron Displacement (NDD) Characterization Report 18.08.2022
* Strahlungs- und Zuverlässigkeitsbericht TPS7H2221-SEP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 12.07.2022
* VID TPS7H2221-SEP VID V62-22609 22.12.2022
Auswahlhilfe TI Space Products (Rev. L) 27.03.2026
Whitepaper Designing Space Systems With Integrated FDIR: A Guide to TI's Space-Grade Components PDF | HTML 12.07.2025
Technischer Artikel How Space Enhanced Products Address Challenges in low Earth orbit Applications (Rev. A) PDF | HTML 18.12.2023
Anwendungshinweis Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) PDF | HTML 15.09.2022
E-book Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 21.05.2019

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

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Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian
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