This 16.2-mΩ, –8-V, P-Channel device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small 1 × 1.5 mm outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.
| Documentación principal | Tipo | Título | Opciones de formato | Descargar la versión más reciente en inglés | Fecha |
|---|---|---|---|---|---|
| * | Hoja de datos | CSD23203W –8-V P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2/08/2016 | |
| Application brief | Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs | PDF | HTML | 31/10/2025 | ||
| Nota sobre la aplicación | MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) | PDF | HTML | 27/10/2025 | ||
| Nota sobre la aplicación | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 25/03/2024 | ||
| Nota sobre la aplicación | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 18/12/2023 | ||
| Nota sobre la aplicación | Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs | PDF | HTML | 14/12/2023 | ||
| Nota sobre la aplicación | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 13/03/2023 | ||
| Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 31/05/2022 | ||
| Nota sobre la aplicación | AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) | 14/06/2019 |
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