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MOSFET

CSD75207W15

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP de fuente común doble de 1.5 mm x 1.5 mm, 27 mOhm

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CSD75207W15

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Detalles del producto

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZF) 9 3.0625 mm² 1.75 x 1.75
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection >4 kV
    • HBM JEDEC standard JESD22-A114
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection >4 kV
    • HBM JEDEC standard JESD22-A114
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant

The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.

The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet CSD75207W15 Dual P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 12 jun 2014
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Diseño y desarrollo

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Diseños de referencia

TIDA-00100 — Diseño de referencia de captación de energía de luz interior para el subsistema de baliza Bluetooth

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Design guide: PDF
Esquema: PDF
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DSBGA (YZF) 9 Ver opciones
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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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