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CSD88539ND

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MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SO-8 doble, 28 mOhm

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Detalles del producto

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 28 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 11.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 28 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 11.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • Ultra-Low Q g and Q gd
  • Avalanche Rated
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Ultra-Low Q g and Q gd
  • Avalanche Rated
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

This dual SO-8, 60 V, 23 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to serve as a half bridge in low-current motor control applications.

This dual SO-8, 60 V, 23 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to serve as a half bridge in low-current motor control applications.
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* Hoja de datos CSD88539ND Dual 60 V N-ChannelNexFETPower MOSFETs datasheet (Rev. A) PDF | HTML 7/12/2023

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