Herramienta de cálculo
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
LMG2652H
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET) E-GAN INTELIGENTE DE 140 MOHM CON CONTROLADOR
Hoja de datos
LMG2652H
- GaN power-FET half bridge: 650V
- Low-side and high-side GaN FETs: 140mΩ
- Integrated gate drivers with low propagation delays: < 100ns
- Programmable turn-on slew rate control
- Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
- Low-side referenced (INH) and high-side referenced (GDH) high-side gate drive pins
- Low-side (INL) and high-side (INH) gate-drive interlock
- High-side (INH) gate-drive signal level shifter
- Smart-switched bootstrap diode function
- High-side start up: < 8µs
- Low-side and high-side cycle-by-cycle overcurrent protection
- Overtemperature protection
- AUX idle quiescent current: 250µA
- AUX standby quiescent current: 50µA
- BST idle quiescent current: 70µA
- 6mm × 8mm QFN package with dual thermal pads
The LMG2652H is a 650V 140mΩ GaN power-FET half bridge. The LMG2652H simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap FET, and high-side gate-drive level shifter in a 6mm × 8mm QFN package.
Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to connect to PCB power ground.
Control the high-side GaN power FET with either the low-side referenced gate-drive pin (INH) or the high-side referenced gate-drive pin (GDH). The high-side gate-drive signal level shifter reliably transmits the INH pin signal to the high-side gate driver in challenging power switching environments. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.
The LMG2652H supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down. Ultra low slew rate setting supports motor drive applications.
Documentación técnica
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| Documentación principal | Tipo | Título | Opciones de formato | Fecha |
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LMG2652H 650V 140 mΩ GaN Half Bridge With Integrated Driver and Current Sense Emulation datasheet | PDF | HTML | 11 feb 2026 |
Diseño y desarrollo
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| Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
|---|---|---|
| VQFN (RFB) | 19 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
Información incluida:
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
Soporte y capacitación
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