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CSD18541F5

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ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1.5mm x 0.8mm の LGA、シングル、65mΩ、60V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

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製品詳細

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 65 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 75 VGSTH typ (typ) (V) 1.75 QG (typ) (nC) 11 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.2 ID - package limited (A) 2.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 65 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 75 VGSTH typ (typ) (V) 1.75 QG (typ) (nC) 11 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.2 ID - package limited (A) 2.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJK) 3 1.0877 mm² (1.49 mm × 0.73 mm)
  • 低オン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 1.53mm × 0.77mm
  • 薄型
    • 高さ 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠
  • 低オン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 1.53mm × 0.77mm
  • 薄型
    • 高さ 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠

この 54mΩ、60V、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、スペースに制約のあるさまざまな産業用ロード・スイッチ・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。

この 54mΩ、60V、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、スペースに制約のあるさまざまな産業用ロード・スイッチ・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。
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技術資料

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設計と開発

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評価ボード

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N チャネルの評価基板

FemtoFET N チャネル向けのこの評価基板 (EVM) には 7 枚のドーター カードが付属しており、各カードには FemtoFET N チャネルの異なる型番が記載されています。  ドーター カードを使用すると、エンジニアはこれらの超小型デバイスを簡単に接続してテストすることができます。  7 個の FemtoFET は 12V ～ 60V の範囲の VDS (ドレイン ソース間電圧) に対応しており、デバイスのサイズは F3 (0.6 x 0.7mm)、F4 (0.6 x 1.0mm)、F5 (0.8 x 1.5mm) のいずれかです。

ユーザー ガイド: PDF
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限：
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
サポート対象の製品とハードウェア
サポート・ソフトウェア

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

CSD18541F5 TINA-TI Spice Model

SLPM228.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

CSD18541F5 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM180B.ZIP (3 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
計算ツール

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
サポート対象の製品とハードウェア
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

TIDA-010049 — IEC 61508 (SIL-2) 向け、TUV による評価済みデジタル入力のリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、8 チャネル、グループ絶縁型のデジタル入力モジュールであり、産業用の機能安全への対応を必要とするアプリケーションを重視しています。このデザインは、永続的と過渡的両方のランダム ハードウェア障害の検出を支援するために、診断機能を実装してあります。この入力モジュールのコンセプトは、TUEV SUED (TÜV SÜD) による評価実施済みであり、設計者の皆様が、開発中のシステムで IEC61508-2:2010 (SIL2) と EN13849-1:2015 (Cat2 PLd) の各規格を満たすのに役立ちます。また、このデザインは、ハードウェア障害耐性 (...)
サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

TIDA-01064 — MOSFET 搭載低 BOM コスト AC ソリッド ステート リレーのリファレンス デザイン

低 BOM コストの MOSFET を用いた ac ソリッド ステート リレーのリファレンス デザインは、サーモ スタット用途において従来の電磁リレーの代替となる低消費電力で効率的な電力管理を可能にする、単一リレーの置き換えソリューションです。この SSR リファレンス デザインは、自己給電型ソリッド ステート リレーの基本モデルであり、低コストのサーモスタット向けに低 BOM コストのソリューションを提供します。

サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

TIDA-01065 — MOSFET 使用の絶縁型電源内蔵 AC ソリッド ステート リレーのリファレンス デザイン

MOSFET リファレンス デザインでの絶縁型電源内蔵 AC ソリッド ステート リレーは、標準的な電気機械式リレーに代わるローパワーの効率的なパワー マネージメントを実現するリレー代替品です。静電容量式に実装されているガルバニック絶縁により、コスト効率に優れた小さいフットプリントのソリューションを実現できます。これは、サーモスタットや他の同様の機器で使用される複数のリレーの代替として適しています。
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
PICOSTAR (YJK) 3 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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