CSD22206W
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1.5mm x 1.5mm のシングル WLP、5.7mΩ、–8V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD22206W
- 非常に低い抵抗
- 1.5mm×1.5mmの小さな占有面積
- 鉛不使用
- ゲートESD保護
- RoHS準拠
- ハロゲン不使用
- ゲート・ソース電圧クランプ
この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた熱特性を持つよう設計されています。低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスはバッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。
技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
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| * | データシート | CSD22206W -8V、Pチャネル NexFETパワーMOSFET データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2017/06/26 |
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設計と開発
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サポート・ソフトウェア
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| DSBGA (YZF) | 9 | Ultra Librarian |
購入と品質
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