LM5113-Q1
- 車載アプリケーションに対応
- 下記内容でAEC-Q100認定済み:
- デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲－40°C～125°C
- デバイスHBM ESD分類レベル1C
- デバイスCDM ESD分類レベルC6
- ハイサイドとローサイドで独立したTTLロジック入力
- ピーク・ソース1.2A、ピーク・シンク5Aの出力電流
- ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは最大100VDCで動作可能
- 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
- 出力の分割により、ターンオンおよびターンオフの強度を変更可能
- プルダウン0.6Ω、プルアップ2.1Ωの抵抗
- 高速伝搬時間（標準28ns）
- 優れた伝搬遅延マッチング(標準1.5ns)
- 電源レールの低電圧誤動作防止
- 低消費電力
LM5113-Q1は、車載用途向けに、同期整流の降圧、昇圧、またはハーフブリッジの構成で、ハイサイドおよびローサイド両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN) FETまたはシリコンMOSFETを駆動するよう設計されています。このデバイスには100Vのブートストラップ・ダイオード、およびハイサイド出力とローサイド出力用にそれぞれ独立した入力が内蔵され、最大の柔軟性で制御が可能です。ハイサイドのバイアス電圧は内部で5.2Vにクランプされるため、ゲート電圧がエンハンスメント・モードGaN FETの最大ゲート-ソース電圧定格を超過することが防止されます。デバイスの入力はTTLロジック互換で、VDD電圧にかかわらず最高14Vの入力電圧に耐えられます。LM5113-Q1には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を別々に設定可能な柔軟性があります。
さらに、LM5113-Q1の強力なシンク能力によりゲートがLOW状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LM5113-Q1の最大動作周波数は数MHzです。LM5113-Q1は標準の10ピンWSONパッケージで供給され、電力放熱の補助として露出パッドが付属します。
技術資料
設計と開発
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LM5113LLPEVB — LM5113 エンハンスメント モード GaN FET 向け、100V、1.2A/5A、ハーフ ブリッジ ゲート ドライバの評価基板
LM5113 評価ボードは、100V ハーフ ブリッジ エンハンスメント モードの窒化ガリウム (GaN) FET ドライバ LM5113 を評価する設計技術者のために、同期整流降圧コンバータ提供することを意図して設計されています。アクティブ クランプ電圧モードコントローラで LM5025 を使用して、降圧スイッチと同期整流スイッチの PWM 信号を生成します。
LM5113 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. A)
SNVR523 — LM5113(-Q1) Component Design Calculator and Schematic Review
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| WSON (DPR) | 10 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。