LMG1205
- ハイサイドとローサイドで独立した TTL ロジック入力
- ピーク・ソース 1.2A、シンク電流 5A
- ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは 最高 DC 100V で動作可能
- 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
- 出力の分割により、ターンオンおよび ターンオフの強度を調整可能
- プルダウン 0.6Ω、プルアップ 2.1Ω の抵抗
- 短い伝播遅延 (標準値 35ns)
- 優れた伝搬遅延マッチング (標準値 1.5ns)
- 電源レールの低電圧誤動作防止
- 低消費電力
LMG1205 は、同期整流降圧、昇圧、またはハーフブリッジ構成で、ハイサイドとローサイドの両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム (GaN) FET を駆動できるように設計されています。このデバイスには 100V のブートストラップ・ダイオード、およびハイサイドとローサイド出力用に独立した入力が内蔵され、最大の柔軟性で制御が可能です。ハイサイドのバイアス電圧はブートストラップ技法を使用して生成され、内部で 5V にクランプされます。これによって、ゲート電圧がエンハンスメント・モード GaN FET の最大ゲート・ソース電圧定格を超過しなくなります。LMG1205 の入力は TTL ロジック互換で、VDD 電圧に関係なく最大 14V の入力電圧に耐えることができます。LMG1205 には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を別々に調整可能な柔軟性があります。
さらに、LM1205 の強力なシンク能力によりゲートが LOW 状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LMG1205 の最大動作周波数は数 MHz です。LMG1205 は、占有面積が小さく、パッケージのインダクタンスが最小化された、12 ピンの DSBGA パッケージで供給されます。
技術資料
設計と開発
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LMG1205HBEVM — LMG1205 GaN パワー ステージの評価基板
80V、10A の電力段評価基板 (EVM) - LMG1205 ハーフブリッジ EVM 基板は、電力段を PWM 外部信号と組み合わせるための小型で使いやすい評価基板です。この EVM は、さまざまな DC-DC コンバータ トポロジで GaN ハーフブリッジを駆動する LMG1205 の性能を評価するのに適しています。ハーフブリッジの性能を推定し、効率を測定するために使用できます。このモジュールは、最大 10A の電流を供給できます。ただし、基板上の部品の最大動作温度仕様を超えないように、適切な熱管理 (強制空気、低周波数での動作など) に従う必要があります。この評価基板はオープン (...)
SNOR034 — LMG1205 Component Design Calculator and Schematic Review
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| DSBGA (YFX) | 12 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。