LMG1205

アクティブ

5V UVLO 搭載、GaNFET と MOSFET 向け、1.2A、5A、90V、ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

製品詳細

Power switch MOSFET, GaNFET Input VCC (Min) (V) 4.5 Input VCC (Max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Rise time (ns) 7 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 4 Rating Catalog Number of channels (#) 2 Fall time (ns) 3.5 Prop delay (ns) 35 Iq (uA) 90 Input threshold TTL Channel input logic TTL Negative voltage handling at HS pin (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamping, Split outputs on high and low side Driver configuration Half Bridge
Power switch MOSFET, GaNFET Input VCC (Min) (V) 4.5 Input VCC (Max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Rise time (ns) 7 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 4 Rating Catalog Number of channels (#) 2 Fall time (ns) 3.5 Prop delay (ns) 35 Iq (uA) 90 Input threshold TTL Channel input logic TTL Negative voltage handling at HS pin (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamping, Split outputs on high and low side Driver configuration Half Bridge
DSBGA (YFX) 12 0 mm² 1.765 x 1.915
  • ハイサイドとローサイドで独立した
    TTLロジック入力
  • ピーク・ソース電流1.2A、シンク電流5A
  • ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは最大100VDCで動作可能
  • 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
  • 出力の分割により、ターンオンおよびターンオフの強度を変更可能
  • プルダウン0.6Ω、プルアップ2.1Ωの抵抗
  • 短い伝搬時間(標準35ns)
  • 優れた伝搬遅延マッチング(標準1.5ns)
  • 電源レールの低電圧誤動作防止
  • 低消費電力
  • ハイサイドとローサイドで独立した
    TTLロジック入力
  • ピーク・ソース電流1.2A、シンク電流5A
  • ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは最大100VDCで動作可能
  • 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
  • 出力の分割により、ターンオンおよびターンオフの強度を変更可能
  • プルダウン0.6Ω、プルアップ2.1Ωの抵抗
  • 短い伝搬時間(標準35ns)
  • 優れた伝搬遅延マッチング(標準1.5ns)
  • 電源レールの低電圧誤動作防止
  • 低消費電力

LMG1205は、同期整流降圧、昇圧、またはハーフブリッジ構成で、ハイサイドとローサイドの両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN) FETを駆動できるように設計されています。このデバイスには100Vのブートストラップ・ダイオード、およびハイサイドとローサイド出力用に独立した入力が内蔵され、最大の柔軟性で制御が可能です。ハイサイドのバイアス電圧はブートストラップ技法を使用して生成され、内部で5Vにクランプされます。これによって、ゲート電圧がエンハンスメント・モードGaN FETの最大ゲート-ソース電圧定格を超過することが防止されます。LMG1205の入力はTTLロジック互換で、VDD電圧に関係なく最大14Vの入力電圧に耐えることができます。LMG1205には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を別々に設定可能な柔軟性があります。

さらに、LM1205の強力なシンク能力によりゲートがLOW状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LMG1205の最大動作周波数は数MHzです。LMG1205は、占有面積が小さく、パッケージのインダクタンスが最小化された、12ピンのDSBGAパッケージで供給されます。

LMG1205は、同期整流降圧、昇圧、またはハーフブリッジ構成で、ハイサイドとローサイドの両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN) FETを駆動できるように設計されています。このデバイスには100Vのブートストラップ・ダイオード、およびハイサイドとローサイド出力用に独立した入力が内蔵され、最大の柔軟性で制御が可能です。ハイサイドのバイアス電圧はブートストラップ技法を使用して生成され、内部で5Vにクランプされます。これによって、ゲート電圧がエンハンスメント・モードGaN FETの最大ゲート-ソース電圧定格を超過することが防止されます。LMG1205の入力はTTLロジック互換で、VDD電圧に関係なく最大14Vの入力電圧に耐えることができます。LMG1205には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を別々に設定可能な柔軟性があります。

さらに、LM1205の強力なシンク能力によりゲートがLOW状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LMG1205の最大動作周波数は数MHzです。LMG1205は、占有面積が小さく、パッケージのインダクタンスが最小化された、12ピンのDSBGAパッケージで供給されます。

ダウンロード

お客様が関心を持ちそうな類似製品

open-in-new 製品の比較
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品。
LMG1210 アクティブ 5V UVLO とプログラマブル・デッドタイム機能搭載、GaNFET と MOSFET 向け、1.5A、3A、200V、ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ This product offers superior switching performance (10-ns prop delay, 1-ns delay matching), resistor-programmable deadtime, an internal LDO, and 300-V/ns CMTI.

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアして、もう一度検索を行ってください。
12 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LMG1205 ブートストラップ・ダイオード内蔵の80V、1.2A~5A、ハーフ・ブリッジGaNドライバ データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版をダウンロード (Rev.A) PDF | HTML 2018年 5月 21日
アプリケーション・ノート Key Parameters and Driving Requirements of GaN FETs PDF | HTML 2022年 8月 4日
アプリケーション・ノート Nomenclature, Types, & Structure of GaN Transistors PDF | HTML 2022年 8月 4日
アプリケーション・ノート How GaN Enables More Efficient and Reduced Form Factor Power Supplies PDF | HTML 2022年 8月 2日
アプリケーション・ノート External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション・ノート Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020年 2月 28日
ホワイト・ペーパー Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A) 2018年 11月 27日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技術記事 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 1: negative voltage 2018年 4月 17日
EVM ユーザー ガイド (英語) Using the LMG1205HBEVM GaN Half-Bridge EVM 2017年 3月 22日

設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

評価ボード

LMG1205HBEVM — LMG1205 GaN パワー・ステージの評価モジュール

80-V 10A Power Stage EVM - The LMG1205 half-bridge EVM board is a small, easy to use, power stage with an external PWM signal. The EVM is suitable for evaluating the performance of the LMG1205 driving a GaN half-bridge in many different DC-DC converter topologies. It can be used to estimate the (...)

ユーザー・ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

LMG1205 PSpice Transient Model (Rev. A)

SNOM624A.ZIP (35 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

LMG1205 TINA-TI Reference Design (Rev. A)

SNOM622A.TSC (131 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル

LMG1205 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNOM621A.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リファレンス・デザイン

PMP22519 — Unregulated LLC module reference design for two-stage 54-V POL in data centers

このリファレンス・デザインは、2 段の電源アーキテクチャに対応しており、データ・センターの 48V ラック電源アーキテクチャ内で 54V から VCore への変換を実施し、CPU、GPU、DDR メモリに電力を供給する VRM (電圧レギュレータ・モジュール) 向けです。最初の段は非安定化 LLC 共振コンバータであり、統合型のプレーナ (平面) 磁気構造を採用し、6:1 という固定の変圧比を使用しています。この LLC モジュールは、2 次側の同期整流器として UCD3138a コントローラと CSD95490Q5MC スマート電力段を使用し、1 次側で LMG1205 と (...)
試験報告書: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
DSBGA (YFX) 12 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ