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LMG3100R017

プレビュー

ドライバ内蔵、100V、1.7mΩ の GaN FET

製品詳細

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 1.7 ID (max) (A) 97 Features Built-in bootstrap diode, Integrated FET, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 1.7 ID (max) (A) 97 Features Built-in bootstrap diode, Integrated FET, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
UNKNOWN (VBE) 15 See data sheet
  • 1.7mΩ の GaN FET とドライバを内蔵
  • 電圧定格:連続 100V、パルス 120V
  • ハイサイドのレベル シフトとブートストラップを内蔵
  • 2 つの LMG3100 でハーフ ブリッジを形成
    • 外付けのレベル シフタが不要
  • 5V の外部バイアス電源
  • 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
  • 低リンギングで、高スルーレートのスイッチング
  • ゲート ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能
  • 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 低消費電力
  • 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
  • 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
  • 底面に底面冷却用の大型露出パッド
  • 1.7mΩ の GaN FET とドライバを内蔵
  • 電圧定格:連続 100V、パルス 120V
  • ハイサイドのレベル シフトとブートストラップを内蔵
  • 2 つの LMG3100 でハーフ ブリッジを形成
    • 外付けのレベル シフタが不要
  • 5V の外部バイアス電源
  • 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
  • 低リンギングで、高スルーレートのスイッチング
  • ゲート ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能
  • 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 低消費電力
  • 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
  • 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
  • 底面に底面冷却用の大型露出パッド

LMG3100 デバイスは、100V 連続、120V パルス、126A、ドライバを内蔵した、窒化ガリウム (GaN) FET です。このデバイスは、高周波 GaN FET ドライバによって駆動される 100V の GaN FET で構成されています。LMG3100 には、ハイサイドのレベル シフタとブートストラップ回路が組み込まれているので、追加のレベル シフタなしで、2 つの LMG3100 デバイスを使用してハーフ ブリッジを形成できます。

GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。ドライバおよび GaN FET は、ボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG3100 デバイスは、6.5mm × 4mm × 0.89mm の鉛フリー パッケージで供給され、簡単に PCB へ取り付けできます。

TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。

このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。

LMG3100 デバイスは、100V 連続、120V パルス、126A、ドライバを内蔵した、窒化ガリウム (GaN) FET です。このデバイスは、高周波 GaN FET ドライバによって駆動される 100V の GaN FET で構成されています。LMG3100 には、ハイサイドのレベル シフタとブートストラップ回路が組み込まれているので、追加のレベル シフタなしで、2 つの LMG3100 デバイスを使用してハーフ ブリッジを形成できます。

GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。ドライバおよび GaN FET は、ボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG3100 デバイスは、6.5mm × 4mm × 0.89mm の鉛フリー パッケージで供給され、簡単に PCB へ取り付けできます。

TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。

このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LMG3100R017 100V、126A、ドライバ内蔵 GaN FET データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 9月 6日
技術記事 GaN を採用してエレクトロニクス設計を変革する、4 種類の中電圧向けアプリケーション PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 2月 20日
技術記事 GaN 可推動電子設計轉型的 4 種中電壓應用 PDF | HTML 2024年 2月 20日
技術記事 GaN이 전자 설계를 혁신하는 4가지 중전압 애플리케이션 PDF | HTML 2024年 2月 20日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LMG3100EVM-089 — LMG3100 の評価基板

LMG3100 評価基板 (EVM) は、外部 PWM (パルス幅変調) 信号と組み合わせて使用する小型で使いやすい電力段です。この基板は、1 個のハーフブリッジを使用して、降圧コンバータ、昇圧コンバータ、他のコンバータいずれかのトポロジに構成することができます。この評価基板 (EVM) は 2 個の LMG3100 パワー モジュールを実装しており、各モジュールは、ドライバを内蔵した 100V 1.7mΩ の GaN FET を 1 個搭載しています。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
リファレンス・デザイン

PMP23421 — Multiphase four-switch buck-boost DC/DC converter reference design

This reference design is a digitally controlled, gallium nitride (GaN) based, four-switch buck-boost DC/DC converter used for battery backup (BBU) application. This design has a total of seven phases. Six phases are connected in parallel for battery discharging operation providing up to 8.1kW (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

PMP23392 — 車載アプリケーション向け、48V、GaN FET を使用する 2 相降圧コンバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、単相同期整流降圧コントローラである LM5148-Q1 を 2 個、また GaN FET である LMG3100R017 を 4 個搭載し、2 相インターリーブ同期整流降圧コンバータとして構成しています。このコンバータは、24Vin ~ 60Vin (公称 48Vin) の入力電圧で動作し、5V の安定化出力を生成して公称 30A の電流を負荷に供給するほか、ピーク電流能力は 60A に達します。このデザインは、6 層 PCB を使用した構造であり、6 層のそれぞれで 2 オンスの銅箔を採用しています。この評価ボードのサイズは 5.0 インチ x 3.4 インチ (...)
試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
UNKNOWN (VBE) 15 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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