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OPA3S2859-EP

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エンハンスド製品、デュアルチャネル、900MHz、2.2nV/√Hz、プログラマブル・ゲイン・トランスインピーダンス・アンプ

製品詳細

Number of channels (#) 2 GBW (Typ) (MHz) 900 Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) 5.5 Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) 3.3 Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) 8 Rail-to-rail No Features Shutdown BW @ Acl (MHz) 1800 Operating temperature range (C) -55 to 125 Rating HiRel Enhanced Product
Number of channels (#) 2 GBW (Typ) (MHz) 900 Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) 5.5 Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) 3.3 Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) 8 Rail-to-rail No Features Shutdown BW @ Acl (MHz) 1800 Operating temperature range (C) -55 to 125 Rating HiRel Enhanced Product
WQFN (RTW) 24 WQFN (RTW) 24 16 mm² 4 x 4
  • ゲイン帯域幅積:900MHz
  • 内部スイッチでゲインをプログラム可能
  • 高インピーダンスの FET 入力
  • 入力電圧ノイズ:2.2nV/√Hz
  • スルーレート:350V/µs
  • 電源電圧範囲:3.3V~5.25V
  • 静止電流:22 mA/チャネル
  • パワーダウン・モードの IQ:75µA
  • 温度範囲:-55℃~125℃
  • 防衛、航空宇宙、および医療アプリケーションをサポート
    • 管理されたベースライン
    • 単一のアセンブリ/テスト施設
    • 単一の製造施設
    • 長い製品ライフ・サイクル
    • 製品変更通知期間の延長
    • 製品のトレーサビリティ
  • ゲイン帯域幅積:900MHz
  • 内部スイッチでゲインをプログラム可能
  • 高インピーダンスの FET 入力
  • 入力電圧ノイズ:2.2nV/√Hz
  • スルーレート:350V/µs
  • 電源電圧範囲:3.3V~5.25V
  • 静止電流:22 mA/チャネル
  • パワーダウン・モードの IQ:75µA
  • 温度範囲:-55℃~125℃
  • 防衛、航空宇宙、および医療アプリケーションをサポート
    • 管理されたベースライン
    • 単一のアセンブリ/テスト施設
    • 単一の製造施設
    • 長い製品ライフ・サイクル
    • 製品変更通知期間の延長
    • 製品のトレーサビリティ

OPA3S2859-EP は、広帯域トランスインピーダンスおよび電圧アンプ・アプリケーション用の、広帯域、低ノイズの CMOS 入力プログラマブル・ゲイン・アンプです。本デバイスをトランスインピーダンス・アンプ (TIA) として構成した場合、0.9GHz のゲイン帯域幅積 (GBWP) により、低容量フォトダイオード (PD) アプリケーションで高い閉ループ帯域幅を実現できます。

3 つの内部スイッチ付き帰還パスを利用し、スイッチなしの 1 つの並列帰還パスを任意で併用することで、最大 4 つのゲイン構成を選択できます。スイッチを内蔵することで、ディスクリートの外付けスイッチを使うシステムに比べて、寄生素子による影響を最小限に抑え、性能を向上させることができます。各スイッチは、広ダイナミック・レンジ・アプリケーションに対応して、1kΩ 未満から 100kΩ を上回る範囲の帰還抵抗値に最適化されています。スイッチ・パスの選択は、どちらのチャネルも 2 線式パラレル・インターフェイスを使って制御されます。選択された各チャネルに対して、ラッチ・ピンをアサートすることでゲイン・パスが変わらないようにすることもできます。これにより、選択されたチャネルのスイッチ制御を無効にし、チャネルのゲインが変わらないようにできます。

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OPA3S2859-EP は、広帯域トランスインピーダンスおよび電圧アンプ・アプリケーション用の、広帯域、低ノイズの CMOS 入力プログラマブル・ゲイン・アンプです。本デバイスをトランスインピーダンス・アンプ (TIA) として構成した場合、0.9GHz のゲイン帯域幅積 (GBWP) により、低容量フォトダイオード (PD) アプリケーションで高い閉ループ帯域幅を実現できます。

3 つの内部スイッチ付き帰還パスを利用し、スイッチなしの 1 つの並列帰還パスを任意で併用することで、最大 4 つのゲイン構成を選択できます。スイッチを内蔵することで、ディスクリートの外付けスイッチを使うシステムに比べて、寄生素子による影響を最小限に抑え、性能を向上させることができます。各スイッチは、広ダイナミック・レンジ・アプリケーションに対応して、1kΩ 未満から 100kΩ を上回る範囲の帰還抵抗値に最適化されています。スイッチ・パスの選択は、どちらのチャネルも 2 線式パラレル・インターフェイスを使って制御されます。選択された各チャネルに対して、ラッチ・ピンをアサートすることでゲイン・パスが変わらないようにすることもできます。これにより、選択されたチャネルのスイッチ制御を無効にし、チャネルのゲインが変わらないようにできます。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート OPA3S2859-EP エンハンスド製品、デュアルチャネル、900MHz、2.2nV/√Hz、プログラマブル・ゲイン・トランスインピーダンス・アンプ データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版をダウンロード (Rev.B) PDF | HTML 2022年 2月 24日
* 放射線と信頼性レポート OPA3S2859-EP Reliability Report 2021年 12月 9日
技術記事 What you need to know about transimpedance amplifiers – part 1 2016年 5月 6日
アプリケーション・ノート 高速データ変換 英語版をダウンロード 2009年 12月 11日

設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

評価ボード

OPA3S2859RTWEVM — OPA3S2859-EP 900MHz、2.5nV/√Hz、プログラマブル・ゲイン・トランスインピーダンス・アンプの評価基板

OPA3S2859RTWEVM 評価基板 (EVM) は、このアンプの機能と汎用性を実証できる設計を採用しています。この EVM (評価基板) は、単一電源または分割電源に合わせて構成することができ、あらゆるアナログ入出力の SMA コネクタに対応できるフットプリントを採用しています。帰還回路内で寄生結合を低減できるように最適化済みのレイアウトを採用するとともに、幅広い周波数で最良の信号忠実度を達成しています。
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

OPA3S2859-EP TINA-TI Reference Design Circuit OPA3S2859-EP TINA-TI Reference Design Circuit

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TINA は DesignSoft (...)

パッケージ ピン数 ダウンロード
WQFN (RTW) 24 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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