この製品には新バージョンがあります。
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品
TPIC6B596
- 低い rDS(on):5 Ω
- アバランシェ エネルギー:30mJ
- 8 つのパワー DMOS トランジスタ出力、150-mA 連続電流
- 500mAの標準的な電流制限能力
- 出力クランプ電圧:50V
- 拡張カスケードにより複数段可能
- 単一の入力ですべてのレジスタをクリア
- 低消費電力
TPIC6B596 デバイスは、比較的大きな負荷電力を必要とするシステムで使用するために設計されたモノリシック、高電圧、中電流出力の 8 ビット シフト レジスタです。本デバイスは、誘導性過渡保護のために電圧クランプを出力に組み込んでいます。パワー ドライバ アプリケーションには、リレー、ソレノイド、その他の中電流または高電圧負荷が含まれています。
このデバイスには、8 ビットのシリアル イン、パラレル アウトのシフト レジスタが内蔵されており、8 ビットの D タイプ ストレージ レジスタへデータを供給します。データはシフト レジスタとストレージ レジスタを経由して、それぞれシフト レジスタ クロック(SRCK)とレジスタ クロック(RCK)の立ち上がりエッジで転送されます。ストレージ レジスタは、シフト レジスタ クリア (SRCLR) が HIGH のとき、出力バッファへデータを転送します。書き込みデータと読み取りデータは、RCK が LOW のときのみ有効です。SRCLRがLOWの場合、デバイスのすべてのレジスタがクリアされます。出力イネーブル (G) が HIGH に保持されると、出力バッファのすべてのデータが LOW に保持され、すべてのドレイン出力がオフになります。G を LOW に保持すると、ストレージ レジスタのデータが出力バッファへ透過的になります。出力バッファのデータが LOW のとき、DMOS- トランジスタの出力がオフになります。データが HIGH のとき、DMOS- トランジスタ出力はシンク電流能力を持つようになります。シリアル出力(SER OUT)は、カスケード接続されたアプリケーションに追加のホールドタイムを提供するために、SRCKの立ち下がりエッジでデバイスからクロックアウトされます。これにより、クロック信号にスキューが生じたり、デバイスが互いに近接していなかったり、システムが電磁妨害を許容しなければならない場合、このアプリケーションのパフォーマンスが向上します。
出力は、50V の出力定格と 150mA の連続シンク電流能力を持つローサイド オープン ドレイン DMOS トランジスタです。各出力には、TC = 25°Cでの500mAの標準電流制限があります。デバイス保護を強化するため、接合部の温度が上昇すると、電流制限は減少します。
TPIC6B596 デバイスは、動作ケース温度範囲 -40℃~125℃ 全体での動作が規定されています。
技術資料
| 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TPIC6B596 パワー ロジック 8 ビット シフト レジスタ データシート (Rev. B 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2025年 6月 5日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション ツール向け PSpice®
設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI を使用すると、内蔵のライブラリを使用して、複雑なミックスド (...)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| PDIP (N) | 20 | Ultra Librarian |
| SOIC (DW) | 20 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点