データシート
この製品には新バージョンがあります
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品。
TPS1H100-Q1
- 車載アプリケーション用に認定済み
- 下記内容でAEC-Q100認定済み:
- デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度範囲 –40°C~125°C
- デバイス HBM ESD 分類レベル H3A
- デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
- 機能安全対応
- 機能安全システムの設計に役立つ資料を利用可能
- 包括的な診断機能を備えたシングルチャネルのスマート・ハイサイド・パワー・スイッチ
- バージョン A:オープン・ドレインのステータス出力
- バージョン B:電流センス・アナログ出力
- 広い動作電圧範囲:3.5 ~ 40V
- 非常に低いスタンバイ電流:0.5µA 未満
- 動作時接合部温度範囲:–40~150°C
- 入力制御、3.3V および 5V ロジック互換
- 高精度電流センス:±30mA (1A 時)、±4mA (5mA 時)
- 外付け抵抗によるプログラマブル電流制限:±20% (0.5A 時)
- 診断イネーブル機能によって MCU のアナログ / デジタル・インターフェイスの多重化が可能
- AECQ100-12 グレード A に従ってテスト済み、
100 万回の GND 短絡テスト - 過渡電圧耐性に対する ISO7637-2 および ISO16750-2 の認定
- 保護
- 過負荷および短絡保護
- 誘導性負荷の負電圧クランプ
- 低電圧誤動作防止 (UVLO) 保護
- 自己回復可能なサーマル・シャットダウン / スイング
- GND 喪失、電源喪失保護
- 外部回路によるバッテリ逆極性保護
- 診断機能
- オンおよびオフ状態での出力開放およびバッテリ短絡の検出
- 過負荷およびグランド短絡検出、電流制限
- サーマル・シャットダウン / スイング検出
- 熱特性強化型 14 ピン PWP パッケージ
TPS1H100-Q1デバイスは各種の保護機能を搭載したハイサイド・パワー・スイッチで、NMOSパワーFETとチャージ・ポンプを内蔵して、抵抗性、誘導性、容量性の各種負荷をインテリジェントに制御することを目標にしています。高精度の電流センスとプログラマブル電流制限機能により、市場での差別化に役立ちます。
技術資料
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設計と開発
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評価ボード
TPS1H100EVM — TPS1H100-Q1 の評価基板:シングル チャネル スマート ハイサイド ドライバの評価基板
テキサス インスツルメンツの TPS1H100-Q1 評価基板は、TPS1H100-Q1 集積回路 (IC) を搭載し、1 チャネル ハイサイド ドライバ アプリケーションをサポートしています。この評価基板 (EVM) の目的は、抵抗性、静電容量性、評価基板の誘導性負荷レイアウトを対象にして、TPS1H100-Q1 評価を容易にすることです
ユーザー ガイド:
PDF
在庫あり
制限:
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入手不可
シミュレーション・モデル
TPS1H100A-Q1 PSpice Unencrypted Transient Model (Rev. C)
SLVMAI7C.ZIP (88 KB) - PSpice モデル
シミュレーション・モデル
TPS1H100B-Q1 TINA-TI Reference Design (Rev. A)
SLVMBG2A.TSC (181 KB) - TINA-TI リファレンス・デザイン
シミュレーション・モデル
TPS1H100B-Q1 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)
SLVMBG1A.ZIP (26 KB) - TINA-TI Spice モデル
シミュレーション・モデル
TPS1H100B-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. C)
SLVMAI8C.ZIP (86 KB) - PSpice モデル
多くの TI リファレンス デザインには、TPS1H100-Q1 があります。
TI のリファレンス デザイン セレクション ツールを使用すると、開発中のアプリケーションやパラメータとの適合度が最も高いデザインの確認と特定を進めることができます。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| HTSSOP (PWP) | 14 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。