データシート
TPS28225-Q1
- 車載アプリケーション向けに認定済み
- 2 つの N チャネル MOSFET を 14ns の適応型デッド・タイムで駆動
- 広いゲート駆動電圧範囲：4.5V～8.8V (7V～8V で最大効率)
- 広いパワー・システム・トレイン入力電圧範囲：3V～27V
- 広い PWM 入力信号範囲：2V～13.2V の振幅
- 1 相あたり 40A 以上の電流で MOSFET を駆動可能
- 高周波動作：14ns の伝播遅延、10ns の立ち上がり / 立ち下がり時間により、 最大 2MHz の FSW を実現
- 30ns 未満の入力 PWM パルスを伝搬可能
- ローサイド・ドライバ・シンク・オン抵抗 (0.4Ω) により、dV/dt に関連する貫通電流を防止
- パワー段をシャットダウンするための 3 ステート PWM 入力
- 同じピンを共有する省スペースのイネーブル (入力) 信号とパワー・グッド (出力) 信号
- サーマル・シャットダウン
- UVLO 保護
- 内蔵ブートストラップ・ダイオード
- 安価な SOIC-8 パッケージと放熱性に優れた 3mm × 3mm VSON-8 パッケージ
- 一般的な 3 ステート入力ドライバに対する高性能な代替品
TPS28225-Q1 は、適応型デッド・タイム制御機能を備えた、N チャネル相補型パワー MOSFET 用の高速ドライバです。さまざまな種類の 1 相および多相の高電流 DC-DC コンバータとともに使用できるよう最適化されています。TPS28225-Q1 は高効率であり、小さいソリューション・サイズと EMI 放射を特長としています。
TPS28225-Q1 デバイスは、最大 8.8V のゲート駆動電圧、14ns の適応型デッド・タイム制御、14ns の伝播遅延、2A ソース / 4A シンクの高電流駆動能力などの優れた機能を備えています。ローサイド・ゲート・ドライバの 0.4Ω のインピーダンスによってパワー MOSFET のゲートをスレッショルド未満に保持し、高い dV/dt でノードが遷移した場合でも貫通電流が生じないようにしています。ブートストラップ・コンデンサは内蔵ダイオードで充電されるため、N チャネル MOSFET をハーフブリッジ構成で使用できます。
TPS28225-Q1 は安価な SOIC-8 パッケージと、放熱性に優れた小型 VSON パッケージで供給されます。本ドライバは –40℃～105℃の温度範囲で動作するように設計されており、接合部温度の絶対最大定格は 150℃です。
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技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TPS28225-Q1 車載用、高周波、4A シンク、同期 MOSFET ドライバ データシート (Rev. D 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2022/02/22 |
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| その他の技術資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018/10/29 |
設計と開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
| VSON (DRB) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。