ホーム パワー マネージメント DC/DC パワー モジュール 絶縁型パワー モジュール (トランス内蔵)
ホーム
パワー マネージメント
DC/DC パワー モジュール
絶縁型パワー モジュール (トランス内蔵)
新規

UCC35131-Q1

プレビュー

車載用、トランス内蔵、5.5V ～ 20V 入力電圧 (VIN)、2W のレギュレーション済み、5kVRMS 絶縁型 DC/DC モジュール

ご注文はこちら
データシート

UCC35131-Q1

プレビュー
データシート ご注文はこちら

製品詳細

Rating Automotive Topology Full-bridge Vin (max) (V) 20 Vin (min) (V) 5.5 Vout (max) (V) 26 Vout (min) (V) 12 Features 2W, Dual output, Enable, Power good, Regulated, Reinforced isolation, Soft start, UVLO adjustable Device type Isolated modules Regulated outputs (#) 2 TI functional safety category Functional Safety-Capable Isolation rating Reinforced Output power (W) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Control mode Internally Regulated with Dual Adjustable Outputs
Rating Automotive Topology Full-bridge Vin (max) (V) 20 Vin (min) (V) 5.5 Vout (max) (V) 26 Vout (min) (V) 12 Features 2W, Dual output, Enable, Power good, Regulated, Reinforced isolation, Soft start, UVLO adjustable Device type Isolated modules Regulated outputs (#) 2 TI functional safety category Functional Safety-Capable Isolation rating Reinforced Output power (W) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Control mode Internally Regulated with Dual Adjustable Outputs
SO-MOD (DHA) 16 60.255 mm² (5.85 mm × 10.3 mm)
  • 絶縁平面変圧器付き、完全集積型、高密度、絶縁型 DC/DC モジュール
  • 広い入力電圧範囲: 5.5V ～ 28V (22V OVLO 使用)
    • VVIN = 12V ±10%、12V ≤ VVDD-COM ≤ 18V の場合、TA ≤ 85°C における標準出力は ≥ 2.0W
    • 8V ≤ VVIN ≤ 18V、12V ≤ VVDD-COM ≤ 18V の場合、TA ≤ 85°C における標準出力は ≥ 1.6W
    • 6V ≤ VVIN ≤ 7V、VVIN = 5.5V で ≥ 0.5W で ≥ 0.6W の標準出力、TA ≤ 105°C で
  • 出力電圧をプログラム可能 (VDD–COM)
    • 12V ～ 18V、≤±1.5% の合計レギュレーション精度
  • 出力電圧をプログラム可能 (VEE–COM)
    • -2V ～ -8V、≤±5% の合計レギュレーション精度
  • 適応型スペクトラム拡散変調 (SSM)
  • 強力な磁場および放射磁場耐性
  • 突入電流 ソフトスタートを減少
  • ロジック イネーブルおよびプログラミング入力 UVLO 用の ENA ピン
  • オープン ドレイン パワーグッドによるフォルト インジケータ
  • 保護機能を内蔵：UVLO、OVLO、短絡、OVP、UVP、サーマル シャットダウン。
  • 絶縁静電容量：3pF 未満
  • 静的と動的の CMTI > ±250kV/µs
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
    • 温度グレード 1：-40℃ ≦ TA ≦ 125℃
  • 安全性関連の認定 (予定)：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁
    • UL 1577 / CSA 部品認定プログラム
  • 16 ピン、ワイド ボディ SOIC パッケージ
  • 絶縁平面変圧器付き、完全集積型、高密度、絶縁型 DC/DC モジュール
  • 広い入力電圧範囲: 5.5V ～ 28V (22V OVLO 使用)
    • VVIN = 12V ±10%、12V ≤ VVDD-COM ≤ 18V の場合、TA ≤ 85°C における標準出力は ≥ 2.0W
    • 8V ≤ VVIN ≤ 18V、12V ≤ VVDD-COM ≤ 18V の場合、TA ≤ 85°C における標準出力は ≥ 1.6W
    • 6V ≤ VVIN ≤ 7V、VVIN = 5.5V で ≥ 0.5W で ≥ 0.6W の標準出力、TA ≤ 105°C で
  • 出力電圧をプログラム可能 (VDD–COM)
    • 12V ～ 18V、≤±1.5% の合計レギュレーション精度
  • 出力電圧をプログラム可能 (VEE–COM)
    • -2V ～ -8V、≤±5% の合計レギュレーション精度
  • 適応型スペクトラム拡散変調 (SSM)
  • 強力な磁場および放射磁場耐性
  • 突入電流 ソフトスタートを減少
  • ロジック イネーブルおよびプログラミング入力 UVLO 用の ENA ピン
  • オープン ドレイン パワーグッドによるフォルト インジケータ
  • 保護機能を内蔵：UVLO、OVLO、短絡、OVP、UVP、サーマル シャットダウン。
  • 絶縁静電容量：3pF 未満
  • 静的と動的の CMTI > ±250kV/µs
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
    • 温度グレード 1：-40℃ ≦ TA ≦ 125℃
  • 安全性関連の認定 (予定)：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁
    • UL 1577 / CSA 部品認定プログラム
  • 16 ピン、ワイド ボディ SOIC パッケージ

UCC35131-Q1 は、IGBT、SiC、Si、GaN の各絶縁型ゲートドライバと UIR センサへの電力供給を目的として設計された車載認定済み高絶縁電圧 DC/DC 電源モジュールです。独自の内蔵トランス、フリップチップ パッケージ、高度な制御アーキテクチャにより、高い電力密度、低ノイズ、最小のシステム BOM を実現できます。このデバイスは、周囲温度が 85°C のとき、標準値 2.0W の出力電力を供給できます。高精度のデュアル出力電圧は、抵抗デバイダで簡単に設定でき、SiC、IGBT、GaN の各デバイス、低オン抵抗、高速、高信頼性のスイッチングを実現します。低レイテンシのフィードバック制御により、出力容量を低減して高速負荷過渡を実現し、動的な電圧プログラミングをサポートできます。広い入力電圧範囲と調整可能な VIN UVLO は、電気自動車 (EV) の広いバッテリ電圧とレギュレーション済み入力レールの両方をサポートします。5.5V ～ 20V の VIN で動作し、最大 28V の VIN 過電圧過渡に耐えられます。

内蔵の保護機能、異常検出出力付パワーグッド ピン、イネーブル機能により、システムの堅牢性が向上し、外付け部品が削減されています。沿面距離と空間距離が 8.2mm の SOIC パッケージにより、高い絶縁能力が保証されます。

UCC35131-Q1 は、IGBT、SiC、Si、GaN の各絶縁型ゲートドライバと UIR センサへの電力供給を目的として設計された車載認定済み高絶縁電圧 DC/DC 電源モジュールです。独自の内蔵トランス、フリップチップ パッケージ、高度な制御アーキテクチャにより、高い電力密度、低ノイズ、最小のシステム BOM を実現できます。このデバイスは、周囲温度が 85°C のとき、標準値 2.0W の出力電力を供給できます。高精度のデュアル出力電圧は、抵抗デバイダで簡単に設定でき、SiC、IGBT、GaN の各デバイス、低オン抵抗、高速、高信頼性のスイッチングを実現します。低レイテンシのフィードバック制御により、出力容量を低減して高速負荷過渡を実現し、動的な電圧プログラミングをサポートできます。広い入力電圧範囲と調整可能な VIN UVLO は、電気自動車 (EV) の広いバッテリ電圧とレギュレーション済み入力レールの両方をサポートします。5.5V ～ 20V の VIN で動作し、最大 28V の VIN 過電圧過渡に耐えられます。

内蔵の保護機能、異常検出出力付パワーグッド ピン、イネーブル機能により、システムの堅牢性が向上し、外付け部品が削減されています。沿面距離と空間距離が 8.2mm の SOIC パッケージにより、高い絶縁能力が保証されます。
filter その他の 絶縁型パワー モジュール (トランス内蔵) を検索
ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

技術資料

結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
3 をすべて表示
上位の文書 タイプ タイトル フォーマットオプション 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート UCC35131-Q1 車載用 2.0 W、 12 V VIN 、高密度、 > 5kVRMS 、絶縁型 DC/DC モジュール データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025/10/23
アプリケーション概要 電気励磁同期機向けに最適化された励磁電力段 PDF | HTML PDF | HTML 2026/05/08
証明書 UCC35131EVM-118 EU Declaration of Conformity (DoC) 2024/11/08

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

計算ツール

UCC35131-Q1-CALC — UCC35131-Q1 設計カリキュレータ ツール

Design calculator tool to generate external BOM based on system requirement
サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

TIDA-011011 — 絶縁バイアス電源を備えた絶縁ゲート ドライバ ボードの、3.3kV SiC-FET 向けリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、最大 3.3kV 定格の電界効果トランジスタ (FET) 向けゲート ドライブ設計を実装するためのテンプレートを提供します。分割出力を備えた単一チャネルの絶縁プリドライバを使用することで、高いソース / シンク電流能力を維持しながら、複数の種類のパワー FET を駆動できます。制御された出力レール電圧を持つ DC/DC 絶縁バイアス電源を組み込むことで、駆動設計の性能がさらに向上し、より低い RDS(on) 動作が可能になります。

サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

TIDA-011012 — 中電圧アプリケーション向け、50kW、SiC ベース モジュール型ソリッドステート トランスのリファレンス デザイン

この設計では、シリコン カーバイド (SiC) パワー モジュールをベースにした 3 相ソリッド ステート トランス (SST) を実装しています。モジュール型アーキテクチャの採用により、複数のコンバータ サブモジュールを直列にスタックし、中電圧グリッドの要件を満たすことができます。高速スイッチング SiC デバイスの採用により、DC/AC 段を 10kHz で、デュアル アクティブ ブリッジ (DAB) 絶縁段を 100kHz (...)
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SO-MOD (DHA) 16 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

投稿されたすべてのフォーラムトピック (英語) を表示

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ