CSD16570Q5B
- Extremely Low Resistance
- Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.
기술 자료
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| 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|---|
| * | 데이터 시트 | CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2017. 5. 19 | |
| Application brief | Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs | PDF | HTML | 2025. 10. 31 | ||
| 애플리케이션 노트 | MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) | PDF | HTML | 2025. 10. 27 | ||
| 애플리케이션 노트 | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024. 3. 25 | ||
| 애플리케이션 노트 | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023. 12. 18 | ||
| 애플리케이션 노트 | QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) | PDF | HTML | 2023. 12. 6 | ||
| 애플리케이션 노트 | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023. 3. 13 | ||
| Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022. 5. 31 | ||
| 애플리케이션 노트 | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011. 11. 16 |
설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
지원 소프트웨어
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
크기, 비용 및 성능을 신속하게 절충하여 애플리케이션 조건에 따라 최적의 MOSFET을 선택합니다.
지원 소프트웨어
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
계산 툴
FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool
Excel based FET SOA calculation and selection tool
계산 툴
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
크기, 비용 및 성능을 신속하게 절충하여 애플리케이션 조건에 따라 최적의 MOSFET을 선택합니다.
레퍼런스 디자인
PMP23126 — 전력 밀도가 270W/in3을 초과하는 액티브 클램프 레퍼런스 설계를 기반으로 한 3kW 위상 변이 풀 브리지
이 레퍼런스 설계는 최대 전력 밀도를 목표로 하는 GaN 기반 3kW PSFB(위상 이동 풀 브리지)입니다. 이 설계에는 보조 동기식 정류기 MOSFET에 대한 전압 응력을 최소화하기 위해 액티브 클램프가 있으며 그에 따라 더 우수한 FOM(figure-of-merit)과 더 낮은 전압 정격 MOSFET을 활용할 수 있습니다. PMP23126은 기본 측에서 TI의 30mΩ GaN을 사용하고 보조 측에서 실리콘 MOSFET를 사용합니다. LMG3522 상단 측 냉각d GaN과 일체형 드라이버 및 보호 기능이 Si MOSFET와 (...)
레퍼런스 디자인
PMP40182 — 양방향 배터리 초기화 시스템 전원 보드 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 차량용 및 배터리 애플리케이션에 적합한 배터리 초기화 레퍼런스 설계 솔루션입니다. 이 모듈은 배터리 충전과 방전을 위해 고효율 단상 변환을 지원합니다. 이 설계는 고성능 INA225 전류 감지 증폭기를 사용해 0.1%의 정확한 전류 제어 루프를 제공합니다. 이 설계는 소형 폼 팩터(40mm x 143mm x 20mm)로 구현되었습니다.
레퍼런스 디자인
PMP40586 — 1kW 디지털 제어 전류 모드 LLC 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 12V~54V 출력을 지원하는 서버 PSU 애플리케이션을 대상으로 하는 업계 최초의 디지털 하이브리드 히스테리시스 제어(HHC) 솔루션입니다. 이 레퍼런스 설계는 400V~12V 1kW LLC 전력단에서 UCD3138의 HHC 제어 이점을 보여줍니다. 이 설계는 8kHz 피크 루프 대역폭을 달성합니다. 2.5A/us의 0% 및 100% 부하 변환에서 500mV 미만의 피크-피크 편차를 유지하고, 2.5A/us의 0% 및 150% 부하 변환에서 800mV 미만의 피크-피크 편차를 유지합니다.
레퍼런스 디자인
PMP41081 — C2000™ 실시간 마이크로컨트롤러를 사용하는 1kW, 12V HHC LLC 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 F280039C 마이크로컨트롤러를 이용해 하이브리드 히스테리시스 제어(HHC)의 부하 과도 성능을 평가하는 데 사용되는 1kW, 400V~12V 하프 브리지 공진 DC/DC 플랫폼입니다. HHC는 DFC(직접 주파수 제어) 및 전하 제어를 결합하는 방법이며, 추가된 주파수 보상 램프로 전하 제어를 제어합니다. 추가 내부 루프를 통해 HHC는 인덕터-인덕터 커패시터(LLC) 단계의 부하 과도 응답 성능을 개선할 수 있습니다.
레퍼런스 디자인
TIDA-010087 — 100A 듀얼 위상 디지털 제어 배터리 테스터 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 C2000™ MCU(마이크로컨트롤러) 및 정밀 ADC ADS131M08을 사용하여 양방향 인터리브 벅 컨버터 전력계의 전류 및 전압을 정확하게 제어하는 방법을 보여줍니다. 이 설계는 C2000 MCU의 고해상도 펄스 폭 변조(PWM) 생성 주변 장치를 활용하여 ±20mA 전류 조정 오차 및 ±1mV 전압 조정 오차를 달성합니다.
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| VSON-CLIP (DNK) | 8 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.