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LM25101

활성

8V UVLO 및 TTL 입력을 지원하는 3A, 2A 또는 1A 하프 브리지 게이트 드라이버

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LM25101

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제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.022 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 8 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Noninverting
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.022 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 8 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Noninverting
WSON (DPR) 10 16 mm² (4 mm × 4 mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm) WSON (NGT) 8 16 mm² (4 mm × 4 mm)
  • Independent High and Low Driver Logic Inputs
  • Bootstrap Supply Voltage up to 100-V DC
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFETs
  • Fast Propagation Times (25 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 8-ns Rise and Fall Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (3 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Pin Compatible With HIP2100 and HIP2101
  • Independent High and Low Driver Logic Inputs
  • Bootstrap Supply Voltage up to 100-V DC
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFETs
  • Fast Propagation Times (25 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 8-ns Rise and Fall Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (3 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Pin Compatible With HIP2100 and HIP2101

The LM25101 high-voltage gate driver is designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The A version provides a full 3-A of gate drive while the B and C versions provide 2-A and 1-A, respectively. The outputs are independently controlled with TTL input thresholds. An integrated high voltage diode is provided to charge the high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails.

These devices are available in the standard 8-pin SOIC, 8-pin SO-PowerPAD, 8-pin WSON, 10-pin WSON, and 8-pin MSOP PowerPAD packages.

The LM25101 high-voltage gate driver is designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The A version provides a full 3-A of gate drive while the B and C versions provide 2-A and 1-A, respectively. The outputs are independently controlled with TTL input thresholds. An integrated high voltage diode is provided to charge the high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails.

These devices are available in the standard 8-pin SOIC, 8-pin SO-PowerPAD, 8-pin WSON, 10-pin WSON, and 8-pin MSOP PowerPAD packages.
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기술 자료

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* 데이터 시트 LM25101 3-A, 2-A, and 1-A 80-V Half-Bridge Gate Drivers datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2016. 9. 28
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애플리케이션 노트 Voltage Fed Full Bridge DC-DC & DC-AC Converter High-Freq Inverter Using C2000 (Rev. D) 2021. 4. 7
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애플리케이션 노트 Implementing High-Side Switches Using Half-Bridge Gate Drivers for 48-V Battery. 2020. 5. 12
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020. 2. 28
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020. 2. 28
Application brief Small Price Competitive 100-V Driver for 48-V BLDC Motor Drives 2019. 10. 22
애플리케이션 노트 Maximizing DC/DC converter designs with UCC27282 2019. 1. 18
애플리케이션 노트 UCC27282 Improving motor drive system robustness 2019. 1. 11
추가 자료 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018. 10. 29

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC27288EVM — UCC27288 100V, 3A, 8V UVLO 하프 브리지 게이트 드라이버 평가 모듈

UCC27288EVM은 2.5A 피크 소스 전류 및 3.5A 피크 싱크 전류 기능을 지원하는 100V 하프 브리지 게이트 드라이버인 UCC27288D를 평가하기 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 최대 20V 드라이브 전압으로 전력 MOSFET을 구동하기 위한 레퍼런스 설계로 사용됩니다.
사용 설명서: PDF
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
계산 툴

SNVR521 — LM51xx Schematic Review Template

지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDA-00121 — MPPT 충전기 통합 태양광 가로등 레퍼런스 디자인

이 설계는 700mA LED 드라이버가 장착된 12A 최대 전력 지점 추적(MPPT) 태양광 충전 컨트롤러입니다. 이는 태양광 가로등과 같은 저전력 태양광 충전기 및 LED 드라이버 솔루션을 대상으로 합니다. 이 설계는 12V 패널에서 최대 10A의 출력 전류로 12V 배터리를 충전할 수 있습니다. 하지만 MOSFET을 60V 정격 부품으로 변경하기만 하면 24V 시스템에 손쉽게 적용할 수 있습니다. 또한 이 설계는 700mA의 전류로 최대 15개의 LED를 직렬로 구동할 수 있습니다. 하드웨어 변경을 최소화하면서 최대 1.1A의 (...)

지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
WSON (DPR) 10 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
HSOIC (DDA) 8 Ultra Librarian
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian
WSON (NGT) 8 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

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