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LMG1025-Q1

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좁은 펄스 애플리케이션용 5V UVLO를 갖춘 차량용 7A/5A 단일 채널 저압측 게이트 드라이버

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LMG1025-Q1

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features 1.25-ns Pulse Width Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.65 Fall time (ns) 0.85 Propagation delay time (µs) 0.0029 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic TTL Input negative voltage (V) 0 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4.19 Driver configuration Dual inputs
Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features 1.25-ns Pulse Width Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.65 Fall time (ns) 0.85 Propagation delay time (µs) 0.0029 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic TTL Input negative voltage (V) 0 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4.19 Driver configuration Dual inputs
WSON (DEE) 6 4 mm² (2 mm × 2 mm) WSON (DRV) 6 4 mm² (2 mm × 2 mm)
  • AEC-Q100 grade 1 qualified
  • 1.25ns typical minimum input pulse width
  • 2.6ns typical rising propagation delay
  • 2.9ns typical falling propagation delay
  • 300ps typical pulse distortion
  • Independent 7A pull-up and 5A pull-down current
  • 650ps typical rise time (220pF load)
  • 850ps typical fall time (220pF load)
  • 2mm x 2mm QFN package
  • Inverting and non-inverting inputs
  • UVLO and over-temperature protection
  • Single 5V supply voltage
  • AEC-Q100 grade 1 qualified
  • 1.25ns typical minimum input pulse width
  • 2.6ns typical rising propagation delay
  • 2.9ns typical falling propagation delay
  • 300ps typical pulse distortion
  • Independent 7A pull-up and 5A pull-down current
  • 650ps typical rise time (220pF load)
  • 850ps typical fall time (220pF load)
  • 2mm x 2mm QFN package
  • Inverting and non-inverting inputs
  • UVLO and over-temperature protection
  • Single 5V supply voltage

The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.

The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.
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기술 자료

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* 데이터 시트 LMG1025-Q1 Automotive Low Side GaN and MOSFET Driver For High Frequency and Narrow Pulse Applications datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2024. 12. 6
애플리케이션 노트 TLV3602 ToF LiDAR Transmitter Application Design Guide PDF | HTML 2026. 7. 15
애플리케이션 노트 Increasing Precision in LiDAR and Laser Scanner Applications With Discrete Non-Isolated GaN Gate Drivers PDF | HTML 2026. 1. 21
애플리케이션 노트 Review of Different Power Factor Correction (PFC) Topologies' Gate Driver Needs PDF | HTML 2024. 1. 22
애플리케이션 노트 Using a Single-Output Gate-Driver for High-Side or Low-Side Drive (Rev. B) PDF | HTML 2023. 9. 8
Application brief GaN Applications PDF | HTML 2022. 8. 10
Application brief GaN Driver Schematic and Layout Recommendations PDF | HTML 2022. 8. 10
Application brief Nomenclature, Types, and Structure of GaN Transistors PDF | HTML 2022. 8. 4
Application brief Key Parameters and Driving Requirements of GaN FETs PDF | HTML 2022. 8. 4
Application brief How GaN Enables More Efficient and Reduced Form Factor Power Supplies PDF | HTML 2022. 8. 2
기능 안전 정보 LMG1025-Q1 FIT, FMD, and Pin FMA PDF | HTML 2022. 6. 24
애플리케이션 노트 Benefits of a Compact, Powerful, and Robust Low-Side Gate Driver PDF | HTML 2021. 11. 10
인증서 LMG1025-Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) 2020. 9. 16
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020. 2. 28
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020. 2. 28
애플리케이션 노트 GaN Gate Driver Layout Help 2019. 5. 23
Application brief How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs 2019. 1. 18
Application brief Enable Function with Unused Differential Input 2018. 7. 11
Application brief Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole 2018. 3. 16
백서 A comprehensive methodology to qualify the reliability of GaN products 2015. 3. 2

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

LMG1020EVM-006 — LMG1020 GaN 저압측 드라이버 + GaN FET LiDAR 평가 모듈

LMG1020EVM-006은 작고 사용하기 쉬운 LIDAR 레이저 드라이브용 전력계입니다. EVM에는 통합 저항 부하(레이저 미포함)가 포함되어 있으며 버퍼 (및 추가 단축)되거나 전력계로 직접 전달될 수 있는 단펄스 입력을 받습니다. 이 보드는 고해상도 LIDAR 및 ToF 시스템을 위한 나노초 레이저 펄스를 시연할 수 있습니다.
사용 설명서: PDF | HTML
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
평가 보드

LMG1025-Q1EVM — LMG1025-Q1 GaN 저압측 드라이버 + GaN FET LiDAR 평가 모듈

LMG1025-Q1EVM은 저항식 부하(레이저 미포함)가 통합된 사용하기 쉬운 소형 전력계입니다. 이 EVM은 버퍼를 이용하거나(따라서 더 짧아짐) 전력 단계로 직접 전달할 수 있는 짧은 펄스 입력을 수신합니다.
사용 설명서: PDF
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

LMG1020 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM618C.ZIP (1575 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

LMG1020 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNOM620A.ZIP (43 KB) - Tina-TI Spice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
계산 툴

SLURB15 — LMG1025-Q1 Schematic Review Template

지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDA-01573 — LiDAR를 위한 나노초 레이저 드라이버 레퍼런스 설계

TI의 LiDAR(Light Distancing and Ranging) 레퍼런스 설계는 좁은 펄스 애플리케이션을 위한 LMG1020 및 LMG1025-Q1 저압측 게이트 드라이버를 제공합니다. 이러한 장치는 FET를 구동하여 100W를 초과하는 1.5ns 미만의 레이저 광학 펄스를 생성할 수 있습니다.
지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
WSON (DEE) 6 Ultra Librarian
WSON (DRV) 6 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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