TPS737-Q1
- AEC-Q100 qualified for automotive applications:
- Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
- Device HBM ESD classification level 2
- Device CDM ESD classification level C4A
- Stable with 1µF or larger ceramic output capacitor
- Input voltage range: 2.2V to 5.5V
- Ultra-low dropout voltage: 130mV (typical) at 1A
- Excellent load transient response, even with only 1µF output capacitor
- NMOS topology delivers low reverse leakage current
- 1% initial accuracy
- 3% overall accuracy over line, load, and temperature
- Less than 20nA (typical) quiescent current in shutdown mode
- Thermal shutdown and current limit for fault protection
- Available in multiple output voltage versions
The TPS737-Q1 linear low-dropout (LDO) voltage regulator uses an n-type field effect transistor (NMOS) pass transistor in a voltage-follower configuration. This topology is relatively insensitive to output capacitor value and ESR, allowing a wide variety of load configurations. Load transient response is excellent, even with a small 1µF ceramic output capacitor. The NMOS topology also allows very low dropout.
The TPS737-Q1 uses an advanced bipolar complementary metal-oxide semiconductor (BiCMOS) process. This process yields high precision and delivers very low dropout voltages and low ground pin current. Current consumption, when not enabled, is under 20nA and is designed for portable applications. This device is protected by thermal shutdown and foldback current limit.
기술 자료
| 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|---|
| * | 데이터 시트 | TPS737-Q1 Automotive, 1A Low-Dropout Regulator With Reverse Current Protection datasheet (Rev. C) | PDF | HTML | 2025. 3. 21 | |
| 애플리케이션 노트 | LDO Noise Demystified (Rev. B) | PDF | HTML | 2020. 8. 18 | ||
| 애플리케이션 노트 | LDO PSRR Measurement Simplified (Rev. A) | PDF | HTML | 2017. 8. 9 |
설계 및 개발
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