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LM7480-Q1

現行

用於驅動背對背 NFET 的 3V 至 65V、車用理想二極體控制器

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產品規格表

LM7480-Q1

現行
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產品詳細資料

Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 2 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 300 Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 2 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 300 Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • 3-V to 65-V input range
  • Reverse input protection down to –65 V
  • Drives external back-to-back N-Channel MOSFETs in common drain and common source configurations
  • Ideal diode operation with 10.5-mV A to C forward voltage drop regulation (LM74800-Q1)
  • Low reverse detection threshold (–4.5 mV) with fast response (0.5 µs)
  • 20-mA peak gate (DGATE) turnon current
  • 2.6-A peak DGATE turnoff current
  • Adjustable overvoltage protection
  • Low 2.87-µA shutdown current (EN/UVLO=Low)
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
  • Available in space saving 12-Pin WSON package
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • 3-V to 65-V input range
  • Reverse input protection down to –65 V
  • Drives external back-to-back N-Channel MOSFETs in common drain and common source configurations
  • Ideal diode operation with 10.5-mV A to C forward voltage drop regulation (LM74800-Q1)
  • Low reverse detection threshold (–4.5 mV) with fast response (0.5 µs)
  • 20-mA peak gate (DGATE) turnon current
  • 2.6-A peak DGATE turnoff current
  • Adjustable overvoltage protection
  • Low 2.87-µA shutdown current (EN/UVLO=Low)
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
  • Available in space saving 12-Pin WSON package

The LM7480x-Q1 ideal diode controller drives and controls external back to back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and overvoltage protection using HGATE control. The device features an adjustable overvoltage cut-off protection feature. LM7480-Q1 has two variants, LM74800-Q1 and LM74801-Q1. LM74800-Q1 employs reverse current blocking using linear regulation and comparator scheme vs. LM74801-Q1 which supports comparator based scheme. With Common Drain configuration of the power MOSFETs, the mid-point can be utilized for OR-ing designs using an another ideal diode. The LM7480x-Q1 has a maximum voltage rating of 65 V. The loads can be protected from extended overvoltage transients like 200-V Unsuppressed Load Dumps in 24-V Battery systems by configuring the device with external MOSFETs in Common Source topology.

The LM7480x-Q1 ideal diode controller drives and controls external back to back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and overvoltage protection using HGATE control. The device features an adjustable overvoltage cut-off protection feature. LM7480-Q1 has two variants, LM74800-Q1 and LM74801-Q1. LM74800-Q1 employs reverse current blocking using linear regulation and comparator scheme vs. LM74801-Q1 which supports comparator based scheme. With Common Drain configuration of the power MOSFETs, the mid-point can be utilized for OR-ing designs using an another ideal diode. The LM7480x-Q1 has a maximum voltage rating of 65 V. The loads can be protected from extended overvoltage transients like 200-V Unsuppressed Load Dumps in 24-V Battery systems by configuring the device with external MOSFETs in Common Source topology.
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設計與開發

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開發板

LM74800EVM-CD — LM74800-Q1 理想二極體控制器評估模組

TI 的評估模組 LM74800EVM-CD 可協助設計人員評估 LM7480-Q1 理想二極體控制器 (LM74800QDRR 和 LM74801QDRR) 在反向電池保護應用中的運作及性能。此評估模組展示 LM7480-Q1 如何控制兩個背對背 N 通道功率 MOSFET，首先連接理想二極體 MOSFET，接著連接第二個 MOSFET，以進行切換輸出及電源路徑切斷。

使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
開發板

LM74800EVM-CS — LM7480-Q1 理想二極體控制器評估模組

TI 的評估模組 LM74800EVM-CD 可協助設計人員評估 LM7480-Q1 理想二極體控制器 (LM74800QDRR 和 LM74801QDRR) 在反向電池保護應用中的運作及性能。此評估模組展示 LM7480-Q1 如何控制兩個背對背 N 通道功率 MOSFET，首先連接理想二極體 MOSFET，接著連接第二個 MOSFET，以進行切換輸出及電源路徑切斷。

使用指南: PDF | HTML
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模擬型號

LM74800-Q1 PSPICE Transient Model

SLVMDB8.ZIP (145 KB) - PSpice Model
下載
模擬型號

LM74800-Q1 TINA-TI Common Drain Transient Model

SLVMDD0.TSC (407 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
模擬型號

LM74800-Q1 TINA-TI Common Source Transient Model

SLVMDD1.TSC (656 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
計算工具

FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup

The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
理想二極體與 ORing 控制器
  • LM74502 — 具有負載斷開和 OVP 的 3.2-V 至 65-V 工業 RPP 控制器
  • LM74502-Q1 — 汽車反向極性保護控制器、過電壓保護、閘極驅動強度 60 μA
  • LM74502H — 具有負載斷開、OVP 及高閘極驅動器的 3.2-V 至 65-V 工業 RPP 控制器
  • LM74502H-Q1 — 汽車反向極性保護控制器、過電壓保護、閘極驅動強度 11 mA
  • LM74720-Q1 — 具有主動式整流與負載突降保護的車用、低 IQ 理想二極體控制器
  • LM74721-Q1 — 車用、無 TVS 低 IQ 反向電池保護理想二極體控制器、主動式整流
  • LM74722-Q1 — 具有 200-khz 主動式整流與負載突降保護的車用、低 IQ 理想二極體控制器
  • LM7480 — 3-V 至 65-V 背對背 NFET 理想二極體控制器、-55°C 至 125°C
  • LM7480-Q1 — 用於驅動背對背 NFET 的 3V 至 65V、車用理想二極體控制器
  • LM7481 — 具有高閘極驅動器的 3-V 至 65-V 背對背 NFET 理想二極體控制器、-55°C 至 125°C
  • LM7481-Q1 — 具有主動式整流驅動 B2B NFET 的車用理想二極體控制器
高壓側開關控制器
  • TPS1200-Q1 — 具有保護與診斷功能的車用 45V 低 IQ 高壓側驅動器
  • TPS1210-Q1 — 具有短路防護與診斷功能的車用 45V 低 IQ 雙高壓側驅動器
  • TPS1211-Q1 — 具有保護與診斷功能的車用 3.5V 至 45V 高壓側驅動器
  • TPS1213-Q1 — 具低功率模式和可調整短路保護的車用、45V 低 Iq 高壓側驅動器
  • TPS4800-Q1 — 具有保護與診斷功能的車用 100V 低 IQ 高壓側驅動器
  • TPS4810-Q1 — 具有短路防護與診斷功能的車用 100V 低 IQ 雙高壓側驅動器
  • TPS4811-Q1 — 具有保護與診斷功能的車用 3.5V 至 100V 高壓側驅動器
  • TPS4813-Q1 — 具低功耗模式和可調整短路防護的車用 100V 低 IQ 高壓側驅動器
智慧型 eFuse 高壓側開關
  • TPS1214-Q1 — 具有低 Iq、低功率、負載喚醒、I2t 與診斷功能的車用 74V 高壓側開關控制器
下載
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 設計與模擬工具

PSpice® for TI 是有助於評估類比電路功能的設計和模擬環境。這款全功能設計和模擬套件使用 Cadence® 的類比分析引擎。PSpice for TI 包括業界最大的模型庫之一，涵蓋我們的類比和電源產品組合，以及特定類比行為模型，且使用無需支付費用。

PSpice for TI 設計和模擬環境可讓您使用其內建函式庫來模擬複雜的混合訊號設計。在進行佈局和製造之前，建立完整的終端設備設計和解決方案原型，進而縮短上市時間並降低開發成本。 

在 PSpice for TI 設計與模擬工具中，您可以搜尋 TI (...)
要求
參考設計

TIDA-010240 — 可擴充多組智慧型電池充電器參考設計

隨身行李通常不允許放置超過 100 瓦時數 (Wh) 的鋰電池，而此規定的任何例外情況均由航空公司自行裁定，並需事先獲得核准。此參考設計是一種智慧型高效率充電器設計，適用於高達 100 Wh 的雙智慧電池組，以平行配置的 1S–5S 鋰離子 (Li-ion) 電池形式實作。
Design guide: PDF
參考設計

TIDA-010242 — MIL-STD -1275E 突波防護參考設計

MIL-STD-1275E 標準針對在軍用車輛中使用設備的 28-V DC 輸入電源提供最新特性。此標準表徵軍用車輛運作期間發生的三項主要事件，任何連接至 28-V 主電源供應器的設備都必須受到保護、免受這三個事件的影響。這些事件包括反向極性、電壓突波和電壓浪湧。若要越過這些事件，請勿在反向極性事件期間操作保護電路。在整個突波與浪湧事件期間，保護電路的輸出應為額定 28 V 且最大 34 V。此參考設計採用可處理最大 120-W 輸出的兩級箝位電路。藉由執行兩級箝制電路，此設計有助於降低物料清單 (BOM) 的整體成本，並將整體尺寸降至最低。
Design guide: PDF
參考設計

PMP23146 — 適用伺服器輔助電源且具 GaN 的 45-W 高功率密度主動箝位返馳參考設計

此參考設計是針對最高功率密度設計的 GaN 式 45-W 主動箝位返馳 (ACF)。此電源供應器的設計旨在為伺服器和電信電源供應裝置 (PSU) 提供輔助電源。UCC28782 ACF 控制器和 LMG2610 GaN 半橋用於使用 UCC24612 驅動具有同步整流功能的平面變壓器。此輔助電源設計用途旨在以 PFC 匯流排電壓作為輸入來運作，並產生隔離式 12-V 輸出，可提供 3.7 A 與非隔離式 18-V 輸出，並可供電達 400 mA。主要隔離式 12-V 輸出受到 TPS74800 ORing 控制器的保護。多重 PMP23146 (...)
Test report: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
WSON (DRR) 12 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

以英文檢視所有論壇主題

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供，且不構成 TI 規範。檢視使用條款。

若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題，請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

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