計算工具
FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup
The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
LM7480
- Qualified for extended temperature applications
- Device temperature: –55°C to +125°C ambient operating temperature range
- 3-V to 65-V input range
- Reverse input protection down to –65 V
- Drives external back-to-back N-channel MOSFETs in common drain and common source configurations
- Ideal diode operation with 10.5-mV A to C forward voltage drop regulation (LM74800)
- Low reverse detection threshold (–4.5 mV) with fast response (0.5 µs)
- 20-mA peak gate (DGATE) turnon current
- 2.6-A peak DGATE turnoff current
- Adjustable overvoltage protection
- Low 2.87-µA shutdown current (EN/UVLO = Low)
- Available in space saving 12-pin WSON package
The LM7480 ideal diode controller drives and controls external back to back N-channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V input powered systems. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and overvoltage protection using HGATE control. The device features an adjustable overvoltage cut-off protection feature. LM7480 has two variants, LM74800 and LM74801. LM74800 employs reverse current blocking using linear regulation and comparator scheme versus LM74801, which supports a comparator based scheme. With common-drain configuration of the power MOSFETs, the mid-point can be utilized for ORing designs using another ideal diode. The LM7480 has a maximum voltage rating of 65 V. The loads can be protected from extended overvoltage transients like 200-V unsuppressed load dumps in 24-V battery systems by configuring the device with external MOSFETs in common source topology.
技術文件
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|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LM7480 3-V to 65-V, Ideal Diode Controller Driving Back to Back NFETs datasheet | PDF | HTML | 2022年 12月 21日 |
設計與開發
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開發板
LM74800EVM-CD — LM74800-Q1 理想二極體控制器評估模組
TI 的評估模組 LM74800EVM-CD 可協助設計人員評估 LM7480-Q1 理想二極體控制器 (LM74800QDRR 和 LM74801QDRR) 在反向電池保護應用中的運作及性能。此評估模組展示 LM7480-Q1 如何控制兩個背對背 N 通道功率 MOSFET，首先連接理想二極體 MOSFET，接著連接第二個 MOSFET，以進行切換輸出及電源路徑切斷。
開發板
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模擬工具
PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 設計與模擬工具
PSpice® for TI 是有助於評估類比電路功能的設計和模擬環境。這款全功能設計和模擬套件使用 Cadence® 的類比分析引擎。PSpice for TI 包括業界最大的模型庫之一，涵蓋我們的類比和電源產品組合，以及特定類比行為模型，且使用無需支付費用。
PSpice for TI 設計和模擬環境可讓您使用其內建函式庫來模擬複雜的混合訊號設計。在進行佈局和製造之前，建立完整的終端設備設計和解決方案原型，進而縮短上市時間並降低開發成本。
在 PSpice for TI 設計與模擬工具中，您可以搜尋 TI (...)
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參考設計
PMP31365 — Industrial 24V to 5V safe power supply reference design
This reference design enables high-efficiency and low EMI. The design operates over a wide input voltage range reducing the need for external input surge protection. The design uses the LM686x5 buck converter which is intended for functional safety relevant applications. The design includes safety (...)
Test report: PDF
參考設計
PMP22951 — 具有主動鉗位的 54-V、3-kW 相移式全橋參考設計
參考設計為 GaN 式 3-kW 相移式全橋 (PSFB) 轉換器。此設計二次側使用主動箝位，可減少同步整流器 (SR) MOSFET 的電壓應力，使用擁有更出色品質因數 (FoM) 的低電壓額定值 MOSFET。PMP22951 在一次側使用 30-mΩ GaN，以及針對同步整流器使用 100-V、1.8-mΩ GaN。利用 TMS320F280049C 即時微控制實現 PSFB 控制。PSFB 轉換器可在 140-kHz 切換頻率下運作，並在 385-V 輸入下達到 97.45% 的峰值效率。
Test report: PDF
參考設計
PMP23547 — GaN 式 8kW 三相圖騰柱功率因數校正和三相 LLC 參考設計
此參考設計為高密度且高效率的 8kW 電源供應器。第一個階段是三角傳導模式 (TCM) 功率因數校正 (PFC) 轉換器，接著是連接 Δ-Δ 的三相電感器 - 電感器 - 電容器 (LLC) 轉換器。兩個功率級均採用 TI 高性能氮化鎵 (GaN) 電源開關來實現。PFC 在零電流偵測 (ZCD) 架構控制機制中採用三相圖騰柱 PFC。控制方法以可變頻率運作，且可在所有操作條件下維持零電壓切換 (ZVS)。此控制透過 TMS320F280039C 高性能微控制器和含整合式 ZCD 感測的 LMG3527R030 GaN 場效應電晶體 (FET) 來執行。轉換器的運作頻率範圍約在 70kHz (...)
Test report: PDF
| 封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
|---|---|---|
| WSON (DRR) | 12 | Ultra Librarian |
訂購與品質
內含資訊：
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內含資訊：
- 晶圓廠位置
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建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。