UCC21222
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Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver
- Junction temperature range –40 to +150°C
- Up to 4A peak source and 6A peak sink output
- Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
- Up to 25V VDD output drive supply
- 8V, VDD UVLO options
- Switching parameters:
- 33ns typical propagation delay
- 5ns maximum pulse-width distortion
- 10µs maximum VDD power-up delay
- UVLO protection for all power supplies
- Fast disable for power sequencing
- Safety-related
certifications (planned):
- 4242VPK isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
- 3000VRMS isolation for 1 minute per UL 1577
- CQC Certification per GB4943.1-2022
The UCC21222 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.
The UCC21222 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 3kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).
Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.
With all these advanced features, the UCC21222 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.
技術文件
設計與開發
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UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A、6A 3.0kVRMS 隔離式雙通道閘極驅動器評估模組
SLURAZ5 — UCC21520 Bootstrap Calculator 1.0
PMP40500 — 54-VDC 輸入、12-V 42-A 輸出半橋參考設計
此 12-V、42-A 輸出半橋式參考設計適合有線網路園區與分公司交換器中的匯流排轉換器。此設計具高效率及各種故障保護 (過電流和短路)。此設計採用 3 kVRMS 基本及功能隔離式閘極驅動器 UCC21220D, UCC21220AD, UCC21222D 及 5.7-kRMS 強化隔離式閘極驅動器 UCC21540D, UCC21540DWK and UCC21541DW 以提供效率比較。
PMP41006 — 由 C2000™ 和 GaN 實現且具 CCM 圖騰柱 PFC 和電流模式 LLC 的 1-kW 參考設計
此參考設計將展示混合磁滯控制 (HHC) 方法，這是一種採用 C2000™ F28004x 微控制器之半橋 LLC 階段上的電流模式控制方式。硬體採用 TIDA-010062，這是 1-kW、80-Plus 鈦金屬、GaN CCM 圖騰柱免橋接 PFC 與半橋式 LLC 參考設計。針對混合磁滯控制新增獨立的感應卡，可在共振電容器上重新產生電壓。相較於單迴路電壓模式控制方法 (VMC)、HHC LLC 階段顯示較佳的暫態回應與簡單控制迴路設計。
PMP41043 — 由 C2000 和 GaN 實現且具 CCM 圖騰柱 PFC 和電流模式 LLC 的 1.6-kW 參考設計
此參考設計將展示混合磁滯控制 (HHC) 方法，是配備 C2000 F28004x 微控制器的半橋 LLC 階段上之電流模式控制方式。硬體以 TIDA-010062 為基礎，為 1-kW、80 Plus 鈦金屬、GaN CCM 圖騰柱免橋接 PFC 與半橋式 LLC 參考設計。針對混合磁滯控制新增獨立感應卡，可在共振電容器上重新產生電壓。
相較於單迴路電壓模式控制 (VMC) 方法，HHC LLC 階段展示較佳的暫態回應與簡單控制迴路設計。
TIDA-010203 — 具 C2000 和 GaN 的 4-kW 單相圖騰柱 PFC 參考設計
| 封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 16 | Ultra Librarian |
訂購與品質
建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。