JAJSON9A May   2022  – December 2025 DP83TC813R-Q1 , DP83TC813S-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング要件
    7. 6.7 タイミング図
    8. 6.8 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 診断ツール キット
        1. 7.3.1.1 信号品質インジケータ
        2. 7.3.1.2 静電気放電 (ESD) 検出
        3. 7.3.1.3 時間領域反射計測
        4. 7.3.1.4 電圧検出
        5. 7.3.1.5 BIST およびループバック モード
          1. 7.3.1.5.1 データ ジェネレータおよびチェッカ
          2. 7.3.1.5.2 xMII ループバック
          3. 7.3.1.5.3 PCS のループバック
          4. 7.3.1.5.4 デジタル ループバック
          5. 7.3.1.5.5 アナログ ループバック
          6. 7.3.1.5.6 リバース ループバック
      2. 7.3.2 準拠性テスト モード
        1. 7.3.2.1 テスト モード 1
        2. 7.3.2.2 テスト モード 2
        3. 7.3.2.3 テスト モード 4
        4. 7.3.2.4 テスト モード 5
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1  パワーダウン
      2. 7.4.2  リセット
      3. 7.4.3  スタンバイ
      4. 7.4.4  通常
      5. 7.4.5  スリープ確認
      6. 7.4.6  スリープ要求
      7. 7.4.7  スリープ失敗
      8. 7.4.8  スリープ
      9. 7.4.9  ウェークアップ
      10. 7.4.10 TC10 システム例
      11. 7.4.11 MDI (Media Dependent Interface)
        1. 7.4.11.1 100BASE-T1 リーダーおよび 100BASE-T1 フォロワ構成
        2. 7.4.11.2 自動極性検出および訂正
        3. 7.4.11.3 ジャバー検出
        4. 7.4.11.4 インターリーブ検出
      12. 7.4.12 MAC インターフェイス
        1. 7.4.12.1 メディア独立インターフェイス
        2. 7.4.12.2 簡易メディア独立インターフェイス
        3. 7.4.12.3 RGMII (Reduced Gigabit Media Independent Interface)
        4. 7.4.12.4 SGMII (Serial Gigabit Media Independent Interface)
      13. 7.4.13 シリアル マネージメント インターフェイス
        1. 7.4.13.1 ダイレクト レジスタ アクセス
        2. 7.4.13.2 拡張レジスタ スペース アクセス
        3. 7.4.13.3 書き込み動作 (ポスト インクリメントなし)
        4. 7.4.13.4 読み出し動作 (ポスト インクリメントなし)
        5. 7.4.13.5 書き込み動作 (ポスト インクリメントあり)
        6. 7.4.13.6 読み出し動作 (ポスト インクリメントあり)
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 ストラップ構成
      2. 7.5.2 LED の構成
      3. 7.5.3 PHY アドレスの設定
  9. 8 レジスタ マップ
    1. 8.1 レジスタ アクセスの概要
    2. 8.2 DP83TC813 のレジスタ
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
        1. 9.2.1.1 物理メディアの接続
          1. 9.2.1.1.1 コモン モード チョークに関する推奨事項
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
        1. 9.4.1.1 信号トレース
        2. 9.4.1.2 復帰パス
        3. 9.4.1.3 金属注入
        4. 9.4.1.4 PCB 層スタッキング
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 コミュニティ リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.5 電気的特性

自由気流での動作温度範囲内 (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
100BASE-T1 PMA 準拠
VOD-MDI 出力差動電圧 RL(diff) = 100Ω 2.2 V
RMDI-Diff 内蔵差動出力終端 TRD_P と TRD_M 100 Ω
ブートストラップ DC 特性 (2 レベル)
VMODE1 モード 1 ストラップ電圧範囲  VDDIO = 3.3V±10%、2 レベルストラップ 0 0.8 V
VMODE2 モード 2 ストラップ電圧範囲 VDDIO = 3.3V±10%、2 レベルストラップ 2 VDDIO V
VMODE1 モード 1 ストラップ電圧範囲  VDDIO = 2.5V±10%、2 レベルストラップ 0 0.7 V
VMODE2 モード 2 ストラップ電圧範囲 VDDIO = 2.5V±10%、2 レベルストラップ 1.5 VDDIO V
VMODE1 モード 1 ストラップ電圧範囲  VDDIO = 1.8V±10%、2 レベルストラップ 0 0.35 × VDDIO V
VMODE2 モード 2 ストラップ電圧範囲 VDDIO = 1.8V±10%、2 レベルストラップ 0.65 × VDDIO VDDIO V
ブートストラップ DC 特性 (3 レベル)
VMODE1 モード 1 ストラップ電圧範囲 VDDIO = 3.3V±10%、3 レベルストラップ 0 0.18 × VDDIO V
VMODE2 モード 2 ストラップ電圧範囲 VDDIO = 3.3V±10%、3 レベルストラップ 0.22 × VDDIO 0.42 × VDDIO V
VMODE3 モード 3 ストラップ電圧範囲 VDDIO = 3.3V±10%、3 レベルストラップ 0.46 × VDDIO  VDDIO V
VMODE1 モード 1 ストラップ電圧範囲 VDDIO = 2.5V±10%、3 レベルストラップ 0 0.19 × VDDIO V
VMODE2 モード 2 ストラップ電圧範囲 VDDIO = 2.5V±10%、3 レベルストラップ 0.27 × VDDIO 0.41 × VDDIO V
VMODE3 モード 3 ストラップ電圧範囲 VDDIO = 2.5V±10%、3 レベルストラップ 0.58 × VDDIO  VDDIO V
VMODE1 モード 1 ストラップ電圧範囲 VDDIO = 1.8V±10%、3 レベルストラップ 0 0.35 × VDDIO V
VMODE2 モード 2 ストラップ電圧範囲 VDDIO = 1.8V±10%、3 レベルストラップ 0.40 × VDDIO 0.75 × VDDIO V
VMODE3 モード 3 ストラップ電圧範囲 VDDIO = 1.8V±10%、3 レベルストラップ 0.84 × VDDIO  VDDIO V
IO 特性
VIH High レベル入力電圧 VDDIO = 3.3V ±10% 2 V
VIL Low レベル入力電圧 VDDIO = 3.3V ±10% 0.8 V
VOH High レベル出力電圧 IOH = -2mA、VDDIO = 3.3V ±10% 2.4 V
VOL Low レベル出力電圧 IOL = 2mA、VDDIO = 3.3V ±10% 0.4 V
VIH High レベル入力電圧 VDDIO = 2.5V ±10% 1.7 V
VIL Low レベル入力電圧 VDDIO = 2.5V ±10% 0.7 V
VOH High レベル出力電圧 IOH = -2mA、VDDIO = 2.5V ±10% 2 V
VOL Low レベル出力電圧 IOL = 2mA、VDDIO = 2.5V ±10% 0.4 V
VIH High レベル入力電圧 VDDIO = 1.8V ±10% 0.65 × VDDIO V
VIL Low レベル入力電圧 VDDIO = 1.8V ±10% 0.35 × VDDIO V
VOH High レベル出力電圧 IOH = -2mA、VDDIO = 1.8V ±10% VDDIO-0.45 V
VOL Low レベル出力電圧 IOL = 2mA、VDDIO = 1.8V ±10% 0.45 V
IIH 入力 High 電流(1) TA  = –40℃～ 125℃、VIN=VDDIO、XI と WAKE を除くすべてのピン -10 10 µA
IIH-XI 入力 High 電流(1) TA = –40℃～ 125℃、VIN=VDDIO、XI ピン -15 15 µA
IIL-XI 入力 Low 電流(1) TA = –40℃～ 125℃、VIN=GND、XI ピン -15 15 µA
IIL 入力 Low 電流(1) TA = –40℃～ 125℃、VIN=GND、XI ピンを除くすべてのピン -10 10 µA
Iozh トライステート出力高電流 TA = –40℃～ 125℃、VIN=VDDIO、RX_CTRL および RX_ER を除くすべてのピン -10 10 µA
Iozh トライステート出力高電流 TA = –40℃～ 125℃、VIN=VDDIO、RX_CTRL および RX_ER -52 52 µA
Iozl トライステート出力低電流(2) TA = –40℃～ 125℃、VOUT=GND -10 10 µA
Rpulldn 内蔵プルダウン抵抗 RX_D[3:0]、RX_CLK、LED_1 6.2 8.4 10.7 kΩ
Rpulldn 内蔵プルダウン抵抗 RX_CTRL、RX_ER 4.725 5.8 7.2 kΩ
Rpulldn 内蔵プルダウン抵抗 WAKE 455 kΩ
Rpullup 内蔵プルアップ抵抗 INT、RESET 6.3 9 11.2 kΩ
XI VIH High レベル入力電圧 1.3 VDDIO V
XI VIL Low レベル入力電圧 0.5 V
CIN XI の入力容量 1 pF
CIN 入力ピンの入力容量 5 pF
COUT XO の出力容量 1 pF
COUT 出力ピンの出力容量 5 pF
Rseries 内蔵 MAC 直列終端抵抗 RX_D[3:0]、RX_ER、RX_DV、RX_CLK 35 50 65 Ω
消費電力
I(3V3) MII –40°C ～ 125°C 57 63 mA
I(3V3) RMII –40°C ～ 125°C 57 63 mA
I(3V3) RGMII –40°C ～ 125°C 57 63 mA
I(3V3) SGMII –40°C ～ 125°C 81 95 mA
I(VDDIO=3.3V) MII –40℃～ 125℃、VDDIO = VDDMAC 19 24 mA
I(VDDIO=3.3V) RMII –40℃～ 125℃、VDDIO = VDDMAC 18 23 mA
I(VDDIO=3.3V) RGMII –40℃～ 125℃、VDDIO = VDDMAC 13 21 mA
I(VDDIO=3.3V) SGMII –40℃～ 125℃、VDDIO = VDDMAC 7 12 mA
I(VDDIO=2.5V) MII –40℃～ 125℃、VDDIO = VDDMAC 12 18 mA
I(VDDIO=2.5V) RMII –40℃～ 125℃、VDDIO = VDDMAC 12 17 mA
I(VDDIO=2.5V) RGMII –40℃～ 125℃、VDDIO = VDDMAC 12 16 mA
I(VDDIO=2.5V) SGMII –40℃～ 125℃、VDDIO = VDDMAC 6 9 mA
I(VDDIO=1.8V) MII –40℃～ 125℃、VDDIO = VDDMAC 9 13 mA
I(VDDIO=1.8V) RMII –40℃～ 125℃、VDDIO = VDDMAC 9 13 mA
I(VDDIO=1.8V) RGMII –40℃～ 125℃、VDDIO = VDDMAC 9 12 mA
I(VDDIO=1.8V) SGMII –40℃～ 125℃、VDDIO = VDDMAC 4 6 mA
消費電力 (低消費電力モード)
I(VDDA3V3) IEEE パワーダウン –40℃〜 125℃、全インターフェース 8 22 mA
I(VDDA3V3) TC-10 スリープ –40℃～ 125℃、全インターフェース 30 50 mA
I(VDDA3V3) リセット –40℃〜 125℃、全インターフェース 9 23 mA
I(VDDA3V3) スタンバイ –40℃～ 125℃、MII 15 33 mA
I(VDDA3V3) スタンバイ –40℃～125℃、RMII 15 30 mA
I(VDDA3V3) スタンバイ –40℃〜 125℃、RGMII 15 30 mA
I(VDDA3V3) スタンバイ –40℃～ 125℃、SGMII 15 30 mA
I(VDDIO=3.3V) IEEE パワーダウン –40℃～ 125℃、全インターフェース、VDDIO=VDDMAC 15 23 mA
I(VDDIO=3.3V) TC-10 スリープ –40℃～ 125℃、全インターフェース、VDDIO=VDDMAC 15 23 mA
I(VDDIO=3.3V) リセット –40℃～ 125℃、全インターフェース、VDDIO=VDDMAC 15 23 mA
I(VDDIO=3.3V) スタンバイ –40℃～ 125℃、MII、VDDIO=VDDMAC 19 25 mA
I(VDDIO=3.3V) スタンバイ –40℃～ 125℃、RMII、VDDIO=VDDMAC 16 20 mA
I(VDDIO=3.3V) スタンバイ –40℃～ 125℃、RGMII、VDDIO=VDDMAC 14 20 mA
I(VDDIO=3.3V) スタンバイ –40℃～ 125℃、SGMII、VDDIO=VDDMAC 14 16 mA
I(VDDIO=2.5V) IEEE パワーダウン –40℃～ 125℃、全インターフェース、VDDIO=VDDMAC 10 16 mA
I(VDDIO=2.5V) TC-10 スリープ –40℃～ 125℃、全インターフェース、VDDIO=VDDMAC 10 16 mA
I(VDDIO=2.5V) リセット –40℃～ 125℃、全インターフェース、VDDIO=VDDMAC 10 16 mA
I(VDDIO=2.5V) スタンバイ –40℃～ 125℃、MII、VDDIO=VDDMAC 14 18 mA
I(VDDIO=2.5V) スタンバイ –40℃～ 125℃、RMII、VDDIO=VDDMAC 11 14 mA
I(VDDIO=2.5V) スタンバイ –40℃～ 125℃、RGMII、VDDIO=VDDMAC 9 14 mA
I(VDDIO=2.5V) スタンバイ –40℃～ 125℃、SGMII、VDDIO=VDDMAC 9 14 mA
I(VDDIO=1.8V) IEEE パワーダウン –40℃～ 125℃、全インターフェース、VDDIO=VDDMAC 7 11 mA
I(VDDIO=1.8V) TC-10 スリープ –40℃～ 125℃、全インターフェース、VDDIO=VDDMAC 7 11 mA
I(VDDIO=1.8V) リセット –40℃～ 125℃、全インターフェース、VDDIO=VDDMAC 7 11 mA
I(VDDIO=1.8V) スタンバイ –40℃～ 125℃、MII、VDDIO=VDDMAC 10 12 mA
I(VDDIO=1.8V) スタンバイ –40℃～ 125℃、RMII、VDDIO=VDDMAC 7 11 mA
I(VDDIO=1.8V) スタンバイ –40℃～ 125℃、RGMII、VDDIO=VDDMAC 6 11 mA
I(VDDIO=1.8V) スタンバイ –40℃～ 125℃、SGMII、VDDIO=VDDMAC 6 11 mA
I(VSLEEP) TC-10 スリープ –40℃～ 125℃、全インターフェイス、他のすべての電源オフ 7 18 µA
SGMII 入力
VIDTH 入力差動電圧スレッショルド SI_P および SI_N、AC 結合 0.1 V
RIN-DIFF 受信差動入力インピーダンス (DC) 80 120 Ω
SGMII 出力
クロック信号デューティ サイクル SO_P および SO_N、AC 結合、0101010101 パターン 48 52 %
出力差動電圧 SO_P および SO_N、AC 結合 150 400 mV
電圧センサ
VDDA VDDA センサの範囲 –40°C ～ +125°C 2.7 3.3 4 V
VDDA センサの分解能 (LSB) –40°C ～ +125°C 8.8 mV
VDDA センサの精度 (1 つの部品での電圧と温度による変動) –40°C ～ +125°C -120 120 mV
VDDA センサの精度 (部品間のばらつき) –40°C ～ +125°C -50 50 mV
VDDIO/VDDMAC VDDIO/VDDMAC センサの範囲 –40°C ～ +125°C 1.44 3.9 V
VDDIO/VDDMAC センサの分解能 (LSB) –40°C ～ +125°C 16 mV
VDDIO/VDDMAC センサの精度 (1 つの部品での電圧と温度による変動) –40°C ～ +125°C -144 144 mV
VDDIO/VDDMAC センサの精度 (部品間のばらつき) –40°C ～ +125°C -85 85 mV
VSLEEP VSLEEP センサの範囲 –40°C ～ +125°C 2.7 3.3 4 V
VSLEEP センサの分解能 (LSB) –40°C ～ +125°C 8.8 mV
VSLEEP センサの精度 (1 つの部品での電圧と温度による変動) –40°C ～ +125°C -120 120 mV
VSLEEP センサの精度 (部品間のばらつき) –40°C ～ +125°C -50 50 mV
(1) 対象ピン：MDC、TX_CLK、TX_CTRL、TX_D[3:0]、RESET_N
(2) 対象ピン：RX_D[3:0]、RX_CLK、RX_CTRL、MDIO、INT_N、XO。