JAJSXM1 December 2025 MCT8376Z-Q1
PRODUCTION DATA
調整可能なゲート ドライブ電流制御により、ハーフブリッジ内の MOSFET がアクティブに管理されてスルーレート制御が達成されます。MOSFET VDS スルーレートは、放射エミッション、エネルギーとダイオード回復スパイク期間、寄生によって発生するスイッチング電圧過の最適化に重大な影響を及ぼします。図 7-12 に示されているように、これらのスルーレートは、主に内部 MOSFET へのゲート電荷率によって決まります。
図 7-12 スルーレート回路の実装表 7-6 に示されているように、各ハーフブリッジのスルーレートは、ハードウェア デバイス バリアントでは GAIN_SLEW_tLOCK ピンを使用して、SPI デバイス バリアントでは SLEW ビットを使用して調整できます。各ハーフブリッジは、SPI デバイスでは、スルーレート設定として 1.1V/ns、0.5V/ns、0.25V/ns、0.05V/ns のいずれかを選択できます。各ハーフブリッジは、ハードウェア デバイスでは、スルーレート設定として 1.1V/ns か 0.25V/ns のいずれかを選択できます。スルーレートは、OUTx ピンの電圧の立ち上がり時間と立ち下がり時間によって計算されます (図 7-13 を参照)。
図 7-13 スルーレート タイミング