JAJSXM1 December 2025 MCT8376Z-Q1
PRODUCTION DATA
MCT8376Z-Q1 の電力損失には、スタンバイ電力損失、LDO の電力損失、FET の導通損失とスイッチング損失、ダイオード損失が含まれます。FET の導通損失は、MCT8376Z-Q1 の合計消費電力の大部分を占めます。起動時およびフォルト条件では、出力電流は通常の電流よりもはるかに大きくなります。これらのピーク電流と電流の持続時間を考慮に入れる必要があります。デバイスの合計消費電力は、互いに追加された 3 つのハーフブリッジのそれぞれで消費される電力です。本デバイスが消費して放散できる電力の最大値は、周囲温度とヒートシンクの影響を受けます。RDS、ON は温度とともに上昇するので、デバイスが発熱すると消費電力が増大することに注意してください。PCB とヒートシンクを設計する際には、この点を考慮に入れてください。