JAJSXM1 December 2025 MCT8376Z-Q1
PRODUCTION DATA
MCT8376Z-Q1 デバイスは、3 相ブリッジ構成で接続された統合型 400mΩ (ハイサイドとローサイドの各 FET のオン抵抗の合計) の NMOS FET で構成されています。ダブラー チャージ ポンプが、100% のデューティ サイクルをサポートしつつ、広い動作電圧範囲にわたって適切なゲート バイアス電圧をハイサイド NMOS FET に供給します。ローサイド MOSFET 用のゲート バイアス電圧は、内部リニア レギュレータが供給します。