JAJU889A May   2023  – May 2025

 

  1.   1
  2.   説明
  3.   リソース
  4.   特長
  5.   アプリケーション
  6.   6
  7. 1システムの説明
    1. 1.1 用語
    2. 1.2 主なシステム仕様
  8. 2システム概要
    1. 2.1 ブロック図
    2. 2.2 設計上の考慮事項
    3. 2.3 主な使用製品
      1. 2.3.1  UCC5880-Q1
      2. 2.3.2  F29H859TU-Q1
      3. 2.3.3  UCC14240-Q1
      4. 2.3.4  UCC33421-Q1
      5. 2.3.5  AMC0386-Q1
      6. 2.3.6  AMC0381D-Q1
      7. 2.3.7  TCAN1043-Q1
      8. 2.3.8  ISO1042-Q1
      9. 2.3.9  ALM2403-Q1
      10. 2.3.10 LM5158-Q1
      11. 2.3.11 LM74202-Q1
    4. 2.4 システム設計理論
      1. 2.4.1 マイコン
        1. 2.4.1.1 マイクロコントローラ – C2000™
      2. 2.4.2 絶縁型バイアス電源
      3. 2.4.3 電源ツリー
        1. 2.4.3.1 はじめに
        2. 2.4.3.2 電源ツリーのブロック図
        3. 2.4.3.3 12V の分配と制御
        4. 2.4.3.4 ゲート ドライブ電源
        5. 2.4.3.5 5V 電源ドメイン
        6. 2.4.3.6 電流および位置センシング電源
  9. 3ハードウェア、テスト要件、およびテスト結果
    1. 3.1 ハードウェア要件
      1. 3.1.1 ハードウェア ボードの概要
        1. 3.1.1.1 制御ボード
        2. 3.1.1.2 MCU SOM 評価ボード - C2000™
        3. 3.1.1.3 ゲート ドライバとバイアス電源ボード
        4. 3.1.1.4 DC バス電圧センス
        5. 3.1.1.5 SiC パワー・モジュール
          1. 3.1.1.5.1 XM3 SiC パワー モジュール
          2. 3.1.1.5.2 モジュールの電源端子
          3. 3.1.1.5.3 モジュールの信号端子
          4. 3.1.1.5.4 内蔵 NTC 温度センサ
        6. 3.1.1.6 ラミネート バス コンデンサと DC バス コンデンサ
          1. 3.1.1.6.1 放電 PCB
    2. 3.2 テスト結果
      1. 3.2.1 絶縁型バイアス電源
      2. 3.2.2 絶縁型ゲート ドライバ
      3. 3.2.3 インバータ システム
  10. 4テキサス・インスツルメンツの高電圧評価基板 (TI HV EVM) におけるユーザーの安全のための一般的な指針
  11. 5設計とドキュメントのサポート
    1. 5.1 設計ファイル
      1. 5.1.1 回路図
      2. 5.1.2 BOM
      3. 5.1.3 PCB レイアウトに関する推奨事項
        1. 5.1.3.1 レイアウト プリント
      4. 5.1.4 Altium プロジェクト
      5. 5.1.5 ガーバー ファイル
      6. 5.1.6 アセンブリの図面
    2. 5.2 ツールとソフトウェア
    3. 5.3 ドキュメントのサポート
    4. 5.4 サポート・リソース
    5. 5.5 商標
  12. 6改訂履歴

2.3.1 UCC5880-Q1

UCC5880-Q1 は、機能安全に準拠した絶縁型ゲート ドライバで、EV および HEV トラクション インバータ アプリケーションを対象としています。調整可能なゲート駆動強度、ブランキング時間、グリッチ除去、スレッショルド、機能イネーブルを SPI でプログラムできるフレキシビリティと障害処理機能により、UCC5880 は、あらゆる EV および HEV トラクション インバータ アプリケーションで使用されるさまざまな IGBT または SiC パワー トランジスタをサポートできます。UCC5880-Q1 には、ほとんどのトラクション インバータ アプリケーションで必要とされるすべての保護機能が統合されています。また、20A のゲート駆動能力により外部ブースタ回路が不要になり、設計全体のサイズを縮小できます。内蔵のミラー クランプ回路は、過渡イベント時にゲートをオフに保持し、内部 4A プルダウンを使用するか、外部 N チャネル MOSFET を駆動するように構成できます。高度な内部コンデンサ ベースの絶縁テクノロジーにより、CMTI の性能を最大化すると同時に、放射エミッションを最小限に抑えます。