Home Energiemanagement MOSFETs
Home
Energiemanagement
MOSFETs

CSD75207W15

AKTIV

P-Ch NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 20 V, Dual Common Source WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 27 mΩ, Gate-ESD-Schut

Jetzt bestellen
Datenblatt

CSD75207W15

AKTIV
Datenblatt Jetzt bestellen

Produktdetails

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.4 QGS (typ) (nC) 0.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.9 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.4 QGS (typ) (nC) 0.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.9 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZF) 9 3.0625 mm² (— mm × — mm)
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection >4 kV
    • HBM JEDEC standard JESD22-A114
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection >4 kV
    • HBM JEDEC standard JESD22-A114
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant

The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.

The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.
filter Andere MOSFETs suchen
Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Technische Dokumentation

Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 10
Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Datenblatt CSD75207W15 Dual P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 12.06.2014
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31.10.2025
Anwendungshinweis MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27.10.2025
Anwendungshinweis Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs PDF | HTML 06.11.2024
Anwendungshinweis Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25.03.2024
Anwendungshinweis Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18.12.2023
Anwendungshinweis Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 14.12.2023
Anwendungshinweis Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13.03.2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31.05.2022
Anwendungshinweis AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 14.06.2019

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Referenzdesign

TIDA-00100 — Referenzdesign für eine auf der Innenbeleuchtung basierende Energiegewinnungslösung für ein Bluetoot

The Indoor Light Energy Harvesting Reference Design for Bluetooth Low Energy (BLE) Beacon Subsystem provides a solution where by with just the power of the typical indoor lighting in a retail environment (greater than 250 LUX) the Bluetooth Low Energy chip can broadcast BLE beacons.

This subsystem (...)

Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
DSBGA (YZF) 9 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos