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UCC27200-Q1

ACTIVO

Automotive 120V 3A half-bridge gate driver with 8V UVLO and CMOS inputs

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UCC27200-Q1

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Detalles del producto

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold CMOS Channel input logic CMOS Switch node voltage (V) -18 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Noninverting
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold CMOS Channel input logic CMOS Switch node voltage (V) -18 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Noninverting
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications: device temperature grade 1
  • –40°C to +150°C junction temperature range
  • Drives two N-channel MOSFETs in high-side and low-side configuration
  • Maximum boot voltage: 120V
  • Maximum VDD voltage: 20V
  • On-chip 0.65V VF, 0.65Ω RD bootstrap diode
  • 22ns propagation delay times
  • 3A sink, 3A source output currents
  • 8ns rise and 7ns fall time with 1000pF load
  • 1ns delay matching
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications: device temperature grade 1
  • –40°C to +150°C junction temperature range
  • Drives two N-channel MOSFETs in high-side and low-side configuration
  • Maximum boot voltage: 120V
  • Maximum VDD voltage: 20V
  • On-chip 0.65V VF, 0.65Ω RD bootstrap diode
  • 22ns propagation delay times
  • 3A sink, 3A source output currents
  • 8ns rise and 7ns fall time with 1000pF load
  • 1ns delay matching

The UCC27200-Q1 high frequency N-channel MOSFET drivers includes a 120V bootstrap diode and high-side and low-side drivers with independent inputs for maximum control flexibility. This allows for N-channel MOSFET control in half-bridge, full-bridge, two-switch forward, and active-clamp forward converters. The low-side and the high-side gate drivers are independently controlled and matched to 1ns between the turnon and turnoff of each other.

An on-chip bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers, forcing the outputs low if the drive voltage is below the specified threshold.

The UCC27200-Q1 has high-noise-immune CMOS input thresholds.

The device is offered in the 8-pin SO PowerPAD™ (DDA) package.

The UCC27200-Q1 high frequency N-channel MOSFET drivers includes a 120V bootstrap diode and high-side and low-side drivers with independent inputs for maximum control flexibility. This allows for N-channel MOSFET control in half-bridge, full-bridge, two-switch forward, and active-clamp forward converters. The low-side and the high-side gate drivers are independently controlled and matched to 1ns between the turnon and turnoff of each other.

An on-chip bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers, forcing the outputs low if the drive voltage is below the specified threshold.

The UCC27200-Q1 has high-noise-immune CMOS input thresholds.

The device is offered in the 8-pin SO PowerPAD™ (DDA) package.
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Documentación técnica

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