SN74AUP1G00

アクティブ

シングル、1 入力、0.8V ~ 3.6V、低消費電力 NAND ゲート

製品詳細

Technology family AUP Supply voltage (min) (V) 0.8 Supply voltage (max) (V) 3.6 Number of channels 1 Inputs per channel 1 IOL (max) (mA) 4 IOH (max) (mA) -4 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Features Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Data rate (max) (Mbps) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family AUP Supply voltage (min) (V) 0.8 Supply voltage (max) (V) 3.6 Number of channels 1 Inputs per channel 1 IOL (max) (mA) 4 IOH (max) (mA) -4 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Features Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Data rate (max) (Mbps) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
DSBGA (YFP) 6 1.4000000000000001 mm² 1 x 1.4000000000000001 SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8 SOT-5X3 (DRL) 5 2.56 mm² 1.6 x 1.6 SOT-SC70 (DCK) 5 4.2 mm² 2 x 2.1 USON (DRY) 6 1.45 mm² 1.45 x 1 X2SON (DPW) 5 0.64 mm² 0.8 x 0.8 X2SON (DSF) 6 1 mm² 1 x 1
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Available in the Ultra Small 0.64 mm2 Package (DPW) with 0.5-mm Pitch
  • Low Static-Power Consumption (ICC = 0.9 µA Max)
  • Low Dynamic-Power Consumption (Cpd = 4 pF Typical at 3.3 V)
  • Low Input Capacitance (Ci = 1.5 pF Typical)
  • Low Noise Overshoot and Undershoot <10% of VCC
  • Ioff Supports Live Insertion, Partial-Power-Down Mode, and Back-Drive Protection
  • Input Hysteresis Allows Slow Input Transition and Better Switching Noise Immunity at Input (Vhys = 250 mV Typical at 3.3 V)
  • Wide Operating VCC Range of 0.8 V to 3.6 V
  • Optimized for 3.3-V Operation
  • 3.6-V I/O Tolerant to Support Mixed-Mode Signal Operation
  • tpd = 4.8 ns Maximum at 3.3 V
  • Suitable for Point-to-Point Applications
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Available in the Ultra Small 0.64 mm2 Package (DPW) with 0.5-mm Pitch
  • Low Static-Power Consumption (ICC = 0.9 µA Max)
  • Low Dynamic-Power Consumption (Cpd = 4 pF Typical at 3.3 V)
  • Low Input Capacitance (Ci = 1.5 pF Typical)
  • Low Noise Overshoot and Undershoot <10% of VCC
  • Ioff Supports Live Insertion, Partial-Power-Down Mode, and Back-Drive Protection
  • Input Hysteresis Allows Slow Input Transition and Better Switching Noise Immunity at Input (Vhys = 250 mV Typical at 3.3 V)
  • Wide Operating VCC Range of 0.8 V to 3.6 V
  • Optimized for 3.3-V Operation
  • 3.6-V I/O Tolerant to Support Mixed-Mode Signal Operation
  • tpd = 4.8 ns Maximum at 3.3 V
  • Suitable for Point-to-Point Applications
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II

This single 2-input positive-NAND gate performs the Boolean function Y = A × B or Y = A + B in positive logic.

This single 2-input positive-NAND gate performs the Boolean function Y = A × B or Y = A + B in positive logic.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート SN74AUP1G00 Low-Power Single 2-Input Positive-NAND Gate データシート (Rev. J) PDF | HTML 2016年 12月 7日
アプリケーション概要 Understanding Schmitt Triggers (Rev. A) PDF | HTML 2019年 5月 22日
セレクション・ガイド Little Logic Guide 2018 (Rev. G) 2018年 7月 6日
アプリケーション・ノート Designing and Manufacturing with TI's X2SON Packages 2017年 8月 23日
セレクション・ガイド Logic Guide (Rev. AB) 2017年 6月 12日
アプリケーション・ノート How to Select Little Logic (Rev. A) 2016年 7月 26日
セレクション・ガイド ロジック・ガイド (Rev. AA 翻訳版) 最新の英語版をダウンロード (Rev.AB) 2014年 11月 6日
アプリケーション・ノート Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日

設計と開発

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(...)

設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
DSBGA (YFP) 6 オプションの表示
SOT-23 (DBV) 5 オプションの表示
SOT-5X3 (DRL) 5 オプションの表示
SOT-SC70 (DCK) 5 オプションの表示
USON (DRY) 6 オプションの表示
X2SON (DPW) 5 オプションの表示
X2SON (DSF) 6 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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