SN74CBTLV3257

アクティブ

部分的パワーダウン モード搭載、3.3V、2:1 (SPDT)、4 チャネル アナログ スイッチ

製品詳細

Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Configuration 2:1 SPDT Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 200 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 5000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 5.5 Ron (max) (mΩ) 40000 VIH (min) (V) 2 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Configuration 2:1 SPDT Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 200 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 5000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 5.5 Ron (max) (mΩ) 40000 VIH (min) (V) 2 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6 SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² 4.9 x 6 TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4 TVSOP (DGV) 16 23.04 mm² 3.6 x 6.4 UQFN (RSV) 16 4.68 mm² 2.6 x 1.8 VQFN (RGY) 16 14 mm² 4 x 3.5
  • 2つのポート間を5Ωスイッチで接続
  • データI/Oポートのレール・ツー・レール・スイッチング
  • Ioffにより部分的パワーダウン・モードをサポート
  • JESD 78, Class II準拠で100mA超のラッチアップ性能
  • JESD 22を超えるESD保護
    • 2000V、人体モデル(A114-A)
    • マシン・モデルで200V (A115-A)
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  • JESD 22を超えるESD保護
    • 2000V、人体モデル(A114-A)
    • マシン・モデルで200V (A115-A)

SN74CBTLV3257デバイスは、4ビット、1:2の高速FETマルチプレクサおよびデマルチプレクサです。スイッチのON状態の抵抗が低いため、最小の伝播遅延で接続が可能です。

選択(S)入力により、データフローが制御されます。FETマルチプレクサ/デマルチプレクサは、出力イネーブル(OE)入力がHIGHのとき無効になります。

このデバイスは、Ioffを使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用に完全に動作が規定されています。Ioff機能により、パワーダウン時に損傷を引き起こすような電流がデバイスに逆流しないことが保証されます。デバイスは、電源オフ時は絶縁されています。

電源オンまたは電源オフ時に高インピーダンス状態を確保するため、OEはプルアップ抵抗経由でVCCに接続します。この抵抗の最小値は、ドライバの電流シンク能力によって決定されます。

SN74CBTLV3257デバイスは、4ビット、1:2の高速FETマルチプレクサおよびデマルチプレクサです。スイッチのON状態の抵抗が低いため、最小の伝播遅延で接続が可能です。

選択(S)入力により、データフローが制御されます。FETマルチプレクサ/デマルチプレクサは、出力イネーブル(OE)入力がHIGHのとき無効になります。

このデバイスは、Ioffを使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用に完全に動作が規定されています。Ioff機能により、パワーダウン時に損傷を引き起こすような電流がデバイスに逆流しないことが保証されます。デバイスは、電源オフ時は絶縁されています。

電源オンまたは電源オフ時に高インピーダンス状態を確保するため、OEはプルアップ抵抗経由でVCCに接続します。この抵抗の最小値は、ドライバの電流シンク能力によって決定されます。

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技術資料

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設計および開発

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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 16 Ultra Librarian
TVSOP (DGV) 16 Ultra Librarian
UQFN (RSV) 16 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 16 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
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  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
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  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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