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THVD9491-SP

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宇宙グレード耐放射線特性、フレキシブルな I/O 電圧に対応、IEC ESD 対応、3V ～ 5.5V、RS-485 トランシーバ

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製品詳細

Number of receivers 1 Number of transmitters 1 Duplex Full Supply voltage (nom) (V) 3.3, 5 Signaling rate (max) (Mbps) 20, 50 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 Fault protection (V) -40 to 40 Common-mode range (V) -12 to 12 Number of nodes 256 Features 1.65-V I/O supply, Fault protection, IEC ESD protection, PROFIBUS Isolated No Supply current (max) (µA) 72000 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 125
Number of receivers 1 Number of transmitters 1 Duplex Full Supply voltage (nom) (V) 3.3, 5 Signaling rate (max) (Mbps) 20, 50 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 Fault protection (V) -40 to 40 Common-mode range (V) -12 to 12 Number of nodes 256 Features 1.65-V I/O supply, Fault protection, IEC ESD protection, PROFIBUS Isolated No Supply current (max) (µA) 72000 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 125
SOIC (D) 14 51.9 mm² 8.65 x 6
  • TIA/EIA-485A および TIA/EIA-422B 規格の要件に適合またはそれを上回る性能
  • 電源電圧：3V～5.5V
  • 5V 電源で 2.1V を超える差動出力により PROFIBUS に準拠
  • 吸収線量 (TID) 特性評価済み
    • 吸収線量 (TID) 100krad (Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
  • シングルイベント効果 (SEE) の特性評価
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL) 耐性：線エネルギー付与 (LET) = 75MeV cm2/mg (125℃)
  • SMD# 5962R2522201PXE
  • 宇宙グレード プラスチック (SP)
    • 管理されたベースライン
    • 単一のアセンブリ / テスト施設
    • 単一の製造施設
    • 金ボンド ワイヤ
    • NiPdAu リード仕上げ
    • ミリタリー温度範囲 (-55℃～125℃)
    • 長期にわたる製品ライフ サイクル
    • 製品のトレーサビリティ
    • NASA ASTM E595 アウトガス仕様に適合
  • データおよびイネーブル信号用の 1.65V～5.5V 電源
  • SLR ピンで選択可能なデータ レート：
    • 20Mbps および 50Mbps
  • バス I/O 保護
    • DC ±40V バス フォルト
    • ±16kV HBM ESD
    • ±12kV IEC 61000-4-2 接触放電
    • ±12kV IEC 61000-4-2 気中放電
    • ±4kV IEC 61000-4-4 高速過渡バースト
  • グリッチのない電源投入 / 切断によるホット プラグイン機能
  • 開放、短絡、アイドル バスのフェイルセーフ
  • サーマル シャットダウン
  • 1/8 単位負荷 (最大 256 のバス ノード)
  • 14 ピン SOIC パッケージによるドロップイン互換
  • TIA/EIA-485A および TIA/EIA-422B 規格の要件に適合またはそれを上回る性能
  • 電源電圧：3V～5.5V
  • 5V 電源で 2.1V を超える差動出力により PROFIBUS に準拠
  • 吸収線量 (TID) 特性評価済み
    • 吸収線量 (TID) 100krad (Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
  • シングルイベント効果 (SEE) の特性評価
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL) 耐性：線エネルギー付与 (LET) = 75MeV cm2/mg (125℃)
  • SMD# 5962R2522201PXE
  • 宇宙グレード プラスチック (SP)
    • 管理されたベースライン
    • 単一のアセンブリ / テスト施設
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    • NiPdAu リード仕上げ
    • ミリタリー温度範囲 (-55℃～125℃)
    • 長期にわたる製品ライフ サイクル
    • 製品のトレーサビリティ
    • NASA ASTM E595 アウトガス仕様に適合
  • データおよびイネーブル信号用の 1.65V～5.5V 電源
  • SLR ピンで選択可能なデータ レート：
    • 20Mbps および 50Mbps
  • バス I/O 保護
    • DC ±40V バス フォルト
    • ±16kV HBM ESD
    • ±12kV IEC 61000-4-2 接触放電
    • ±12kV IEC 61000-4-2 気中放電
    • ±4kV IEC 61000-4-4 高速過渡バースト
  • グリッチのない電源投入 / 切断によるホット プラグイン機能
  • 開放、短絡、アイドル バスのフェイルセーフ
  • サーマル シャットダウン
  • 1/8 単位負荷 (最大 256 のバス ノード)
  • 14 ピン SOIC パッケージによるドロップイン互換

THVD9491-SP は、データおよびイネーブル ロジック信号用の 1.65V ～ 5.5V のロジック電源と 3V ～ 5.5V のバス側電源を使用する、±40V 故障保護機能付き半二重および全二重 RS-422/RS-485 トランシーバです。デバイスはスルーレート選択機能を備えています。このスルーレート選択機能を使うと、SLR ピンの設定に基づいて 2 つの最大速度でこれらのデバイスを使うことができます。

IEC ESD 保護機能を内蔵しているため、システムレベルの外部保護部品は不要です。対称的な ±12V 入力同相範囲により、長いケーブルを使用する場合やグランド ループ電圧が大きい場合でもデータ通信の信頼性を高めることができます。250mV のレシーバ ヒステリシスを強化することで、高いノイズ除去性能を実現します。また、レシーバのフェイルセーフ機能により、入力が開放または短絡した場合、出力が確実に論理 High に固定されます。

半二重デバイスは、スペースに制約がある用途向けに、小型の VSON パッケージで供給されます。全二重デバイスは、標準の 14-SOIC パッケージで供給されています。

THVD9491-SP は、データおよびイネーブル ロジック信号用の 1.65V ～ 5.5V のロジック電源と 3V ～ 5.5V のバス側電源を使用する、±40V 故障保護機能付き半二重および全二重 RS-422/RS-485 トランシーバです。デバイスはスルーレート選択機能を備えています。このスルーレート選択機能を使うと、SLR ピンの設定に基づいて 2 つの最大速度でこれらのデバイスを使うことができます。

IEC ESD 保護機能を内蔵しているため、システムレベルの外部保護部品は不要です。対称的な ±12V 入力同相範囲により、長いケーブルを使用する場合やグランド ループ電圧が大きい場合でもデータ通信の信頼性を高めることができます。250mV のレシーバ ヒステリシスを強化することで、高いノイズ除去性能を実現します。また、レシーバのフェイルセーフ機能により、入力が開放または短絡した場合、出力が確実に論理 High に固定されます。

半二重デバイスは、スペースに制約がある用途向けに、小型の VSON パッケージで供給されます。全二重デバイスは、標準の 14-SOIC パッケージで供給されています。
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* データシート THVD9491-SP 柔軟な I/O 電源に対応した、IEC ESD 対応、放射線強化 ±40V 故障保護機能搭載、3V ～ 5.5V RS-485 トランシーバ データシート PDF | HTML 2026年 4月 6日

設計と開発

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ユーザー ガイド: PDF
英語版 (Rev.A): PDF
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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

サポートとトレーニング

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